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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | V15PL50-M3/87A | 0.5226 |  | 1879 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-277, 3-powerdfn | V15PL50 | Schottky | TO-277A (SMPC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 50 v | 570 mV @ 15 a | 800 µa @ 50 v | -40 ° C ~ 150 ° C | 6A | - | |||||||||
 | MMBZ5257B-G3-18 | - | | 6822 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5257 | 225 MW | SOT-23-3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 25 v | 33 v | 58 옴 | |||||||||||
 | 1N5241B 탭 | 0.2300 | | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 컷 컷 (CT) | 활동적인 | ± 5% | 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 1N5241 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 v @ 200 ma | 2 µa @ 8.4 v | 11 v | 22 옴 | ||||||||||
 | smzj3798bhm3_a/h | 0.5000 | | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | SMZJ3798 | 1.5 w | DO-214AA (SMB) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 750 | 5 µa @ 18.2 v | 24 v | 19 옴 | |||||||||||
 | TZMC75-GS08 | 0.2300 | | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, TZM | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | TZMC75 | 500MW | SOD-80 최소값 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 v @ 200 ma | 100 na @ 56 v | 75 v | 250 옴 | ||||||||||
 | BZX384B8V2-G3-08 | 0.0445 | | 6311 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZX384-G | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-76, SOD-323 | BZX384B8V2 | 200 MW | SOD-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 700 na @ 5 v | 8.2 v | 15 옴 | |||||||||||
| BZX384C20-G3-18 | 0.0389 | | 4083 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZX384-G | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-76, SOD-323 | BZX384C20 | 200 MW | SOD-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 50 na @ 14 v | 20 v | 55 옴 | |||||||||||
 | BZX85B75-TAP | 0.3800 | | 6351 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, BZX85 | 컷 컷 (CT) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | BZX85B75 | 1.3 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 25,000 | 500 NA @ 56 v | 75 v | 135 옴 | |||||||||||
 | MMSZ5259B-G3-18 | 0.0409 | | 4579 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123 | MMSZ5259 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 30 v | 39 v | 80 옴 | |||||||||||
 | BZD27C7V5P-M-08 | - | | 4565 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZD27-M | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | do-219ab | BZD27C7V5 | 800MW | DO-219AB (SMF) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 200 ma | 50 µa @ 3 v | 7.5 v | 2 옴 | ||||||||||
 | BZW03D130-TAP | - | | 2681 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZW03 | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | SOD-64,, 방향 | BZW03 | 1.85 w | SOD-64 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 12,500 | 1.2 v @ 1 a | 2 µa @ 100 v | 130 v | 190 옴 | ||||||||||
 | BZT03C20-TAP | 0.2970 | | 5545 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZT03 | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | ± 6% | 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | SOD-57,, 방향 | BZT03C20 | 1.3 w | SOD-57 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 25,000 | 1.2 v @ 500 ma | 1 µa @ 15 v | 20 v | 15 옴 | ||||||||||
| BZT52B3V3-HE3-18 | 0.0454 | | 4049 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, BZT52 | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123 | BZT52B3V3 | 410 MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 3.3 v | 80 옴 | ||||||||||||
 | BZX584C3V0-VG-08 | - | | 6412 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZX584C-VG | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-79, SOD-523 | BZX584C | 200 MW | SOD-523 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 10 µa @ 1 v | 3 v | 95 옴 | |||||||||||
 | SMZJ3798BHE3_A/H | 0.1597 | | 6237 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | SMZJ3798 | 1.5 w | DO-214AA (SMBJ) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 750 | 5 µa @ 18.2 v | 24 v | 19 옴 | |||||||||||
| TZM5240B-GS08 | 0.2300 | | 33 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | TZM5240 | 500MW | SOD-80 최소값 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.1 v @ 200 ma | 3 µa @ 8 v | 10 v | 17 옴 | ||||||||||
| GDZ36B-HG3-18 | 0.0523 | | 3721 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, GDZ-G | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-76, SOD-323 | GDZ36 | 200 MW | SOD-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 27 v | 36 v | 300 옴 | |||||||||||
 | MBR1060-E3/45 | 1.0600 | | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-220-2 | MBR106 | Schottky | TO-220AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 60 v | 800 mV @ 10 a | 100 µa @ 60 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | |||||||||
| tzx5v1a-tap | 0.0287 | | 8478 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, TZX | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | - | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | TZX5V1 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.5 v @ 200 ma | 5 µa @ 2 v | 5.1 v | 100 옴 | ||||||||||
 | FGP50C-E3/73 | - | | 9755 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Superectifier® | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | DO-201AA, DO-27, 축 방향 | FGP50 | 기준 | GP20 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 150 v | 950 MV @ 5 a | 35 ns | 5 µa @ 150 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 5a | 100pf @ 4V, 1MHz | ||||||||
| BZT52B2V7-E3-18 | 0.0433 | | 1444 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZT52 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123 | BZT52B2V7 | 410 MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 2.7 v | 75 옴 | ||||||||||||
| DZ23C3V0-E3-18 | 0.0415 | | 8422 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | DZ23 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DZ23 | 300MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 음극 음극 공통 | 3 v | 95 옴 | |||||||||||
 | GLL4760-E3/96 | 0.3053 | | 8083 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-213AB, MELF | GLL4760 | 1 W. | Melf do-213ab | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 5 µa @ 51.7 v | 68 v | 150 옴 | |||||||||||
| MMBZ5240C-E3-08 | - | | 3129 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5240 | 225 MW | SOT-23-3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 3 µa @ 8 v | 10 v | 17 옴 | |||||||||||
| SMBZ5919B-E3/52 | 0.4400 | | 4182 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | SMBZ5919 | 3 w | DO-214AA (SMBJ) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 750 | 1.5 v @ 200 ma | 200 µa @ 3 v | 5.6 v | 5 옴 | ||||||||||
| AZ23B12-E3-08 | 0.0509 | | 2277 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | AZ23 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23B12 | 300MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1 양극 양극 공통 | 100 na @ 9 v | 12 v | 20 옴 | ||||||||||
 | FESB8JT-E3/81 | 1.3200 | | 800 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | FESB8 | 기준 | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 1.5 v @ 8 a | 50 ns | 10 µa @ 600 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 8a | - | ||||||||
 | vs-50wq06fntrhm3 | 0.9913 | | 8157 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | 50WQ06 | Schottky | D-PAK (TO-252AA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | vs50wq06fntrhm3 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 60 v | 570 mV @ 5 a | 3 ma @ 60 v | -40 ° C ~ 150 ° C | 5.5A | 360pf @ 5V, 1MHz | ||||||||
 | VS-30EPF04-M3 | 3.4444 | | 3719 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-247-2 | 30EPF04 | 기준 | TO-247AC ac | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | vs30epf04m3 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 500 | 짐 | 400 v | 1.41 V @ 30 a | 100 µa @ 400 v | -40 ° C ~ 150 ° C | 30A | - | ||||||||
 | BZG03C20-HM3-18 | 0.1898 | | 1788 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, BZG03C-M | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 6% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | BZG03C20 | 1.25 w | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 v @ 500 ma | 1 µa @ 15 v | 20 v | 15 옴 |
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