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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
PLZ39C-HG3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division PLZ39C-HG3_A/H 0.3600
RFQ
ECAD 50 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, plz 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 3% 150 ° C 표면 표면 DO-219AC plz39 500MW DO-219AC (microSMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,500 900 mV @ 10 ma 200 na @ 30 v 39 v 85 옴
EGP30C-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP30C-E3/54 -
RFQ
ECAD 9370 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 DO-201AA, DO-27, 축 방향 EGP30 기준 GP20 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,400 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 950 MV @ 3 a 50 ns 5 µa @ 150 v -65 ° C ~ 150 ° C 3A -
VT10202C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VT10202C-M3/4W 0.7755
RFQ
ECAD 5750 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 VT10202 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 5a 880 mV @ 5 a 150 µa @ 200 v -55 ° C ~ 125 ° C
BYM12-300HE3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYM12-300HE3/97 -
RFQ
ECAD 2405 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 do-213ab, melf (유리) BYM12 기준 do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.25 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 300 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 14pf @ 4V, 1MHz
EGF1CHE3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGF1CHE3/67A -
RFQ
ECAD 5217 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, Superectifier® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214BA EGF1 기준 DO-214BA (GF1) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 1 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 150 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
EGP20G-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP20G-E3/73 -
RFQ
ECAD 2655 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 EGP20 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.25 V @ 2 a 50 ns 5 µa @ 400 v -65 ° C ~ 150 ° C 2A 45pf @ 4V, 1MHz
VS-2EYH02HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-2YH02HM3/h 0.4500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 2EYH02 기준 Slimsmaw (do-221ad) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 930 MV @ 2 a 28 ns 2 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 2A 12pf @ 200v
VS-96-1205PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-96-1205PBF -
RFQ
ECAD 3969 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 Schottky TO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 112-VS-96-1205PBFTR 쓸모없는 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 40a 980 mV @ 40 a 1 ma @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C
1N5239B-T Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5239B-t -
RFQ
ECAD 9208 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5239 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 200 ma 3 µa @ 7 v 9.1 v 600 옴
SS10P3C-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS10P3C-M3/86A 0.9100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn SS10P3 Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 5a 530 mv @ 5 a 550 µa @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C
VBT3060C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VBT3060C-E3/4W 0.6001
RFQ
ECAD 3962 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB vbt3060 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 15a 700 mV @ 15 a 1.2 ma @ 60 v -40 ° C ~ 150 ° C
1N4006-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4006-E3/53 -
RFQ
ECAD 2212 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4006 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 800 v 1.1 v @ 1 a 5 µa @ 800 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
BYT28B-300HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYT28B-300HE3_A/I -
RFQ
ECAD 7488 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB BYT28 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 300 v 5a 1.3 V @ 5 a 50 ns 10 µa @ 300 v -40 ° C ~ 150 ° C
FEP30AP-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division fep30ap-e3/45 1.6062
RFQ
ECAD 8489 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 fep30 기준 TO-247AD (TO-3P) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 30 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 50 v 15a 950 MV @ 15 a 35 ns 10 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
VS-MBR2545CT-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBR2545CT-N3 -
RFQ
ECAD 1483 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR25 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VS-MBR2545CT-N3GI 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 15a 820 MV @ 30 a 200 µa @ 45 v -65 ° C ~ 150 ° C
VS-MUR1520-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MUR1520-M3 1.0200
RFQ
ECAD 27 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 MUR1520 표준, 극성 역 TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.05 V @ 15 a 35 ns 10 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C 15a -
BZM55B24-TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZM55B24-TR3 0.0433
RFQ
ECAD 7286 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZM55 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 2-SMD,, 없음 BZM55B24 500MW 마이크로 마이크로 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 18 v 24 v 220 옴
VS-5EWL06FNTRR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-5ewl06fntrr-m3 0.3652
RFQ
ECAD 7890 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 5ewl06 기준 D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs5ewl06fntrrm3 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.2 v @ 5 a 145 ns 5 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 5a -
SML4733A-E3/61 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SML4733A-E3/61 -
RFQ
ECAD 9929 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% - 표면 표면 DO-214AC, SMA SML4733 1 W. DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 10 µa @ 1 v 5.1 v 7 옴
V10PWM63HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v10pwm63hm3/i 0.3794
RFQ
ECAD 3404 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 Schottky Slimdpak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 112-v10pwm63hm3/itr 귀 99 8541.10.0080 4,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 650 mV @ 10 a 25 µa @ 60 v -40 ° C ~ 175 ° C 10A 2000pf @ 4V, 1MHz
SMZJ3797BHM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division smzj3797bhm3_a/h 0.1815
RFQ
ECAD 5454 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB SMZJ3797 1.5 w DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 750 5 µa @ 16.7 v 22 v 17.5 옴
MMSZ4683-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ4683-HE3-08 0.0368
RFQ
ECAD 4473 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ4683 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 800 na @ 1 v 3 v
GDZ12B-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GDZ12B-HE3-08 0.0378
RFQ
ECAD 5820 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, GDZ 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 4% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 GDZ12 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 100 na @ 9 v 12 v 30 옴
VS-S1287 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-S1287 -
RFQ
ECAD 9253 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 마지막으로 마지막으로 S1287 - 112-VS-S1287 1
G3SBA60L-5702E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G3SBA60L-5702E3/45 -
RFQ
ECAD 9482 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU G3SBA60 기준 GBU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 1 1 V @ 2 a 5 µa @ 600 v 2.3 a 단일 단일 600 v
RMPG06JHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RMPG06JHE3/73 -
RFQ
ECAD 4195 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 MPG06,, 방향 RMPG06 기준 MPG06 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.3 v @ 1 a 200 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 6.6pf @ 4V, 1MHz
ZGL41-160A-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZGL41-160A-E3/96 0.2020
RFQ
ECAD 6988 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-213AB, MELF ZGL41 1 W. GL41 (DO-213AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2266-ZGL41-160A-E3/96TR 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 121.6 v 160 v 700 옴
VS-43CTQ080GSPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-43CTQ080GSPBF -
RFQ
ECAD 1928 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 43ctq080 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) vs43ctq080gspbf 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 80 v 20A 810 mV @ 20 a 360 µa @ 80 v 175 ° C (°)
BZD27B8V2P-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27B8V2P-HE3-18 0.1238
RFQ
ECAD 7559 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZD27B 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 do-219ab BZD27B8V2 800MW DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 50,000 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 3 v 8.2 v 2 옴
VS-30CTQ100-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30CTQ100-N3 -
RFQ
ECAD 8514 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 30CTQ100 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs30ctq100n3 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 15a 1.05 V @ 30 a 550 µa @ 100 v 175 ° C (°)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고