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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
UH6PJ-M3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division uh6pj-m3/87a -
RFQ
ECAD 9880 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn UH6 기준 TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 3 v @ 6 a 45 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 6A -
SML4748AHE3/5A Vishay General Semiconductor - Diodes Division sml4748ahe3/5a -
RFQ
ECAD 8109 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA SML4748 1 W. DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 5 µa @ 16.7 v 22 v 23 옴
G3SBA60L-6088E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G3SBA60L-6088E3/51 -
RFQ
ECAD 6354 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU G3SBA60 기준 GBU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 1 1 V @ 2 a 5 µa @ 600 v 2.3 a 단일 단일 600 v
G3SBA60L-5703E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G3SBA60L-5703E3/51 -
RFQ
ECAD 1575 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU G3SBA60 기준 GBU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 1 1 V @ 2 a 5 µa @ 600 v 2.3 a 단일 단일 600 v
BY399P-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division by399p-e3/54 -
RFQ
ECAD 1490 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 by399 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,400 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.25 V @ 3 a 500 ns 10 µa @ 800 v -50 ° C ~ 125 ° C 3A 28pf @ 4V, 1MHz
VS-20TQ040SPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20TQ040SPBF -
RFQ
ECAD 7195 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 20TQ040 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs20tq040spbf 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 570 mV @ 20 a 2.7 ma @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 20A 1400pf @ 5V, 1MHz
UGB10GCTHE3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ugb10gcthe3/81 -
RFQ
ECAD 2580 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB UGB10 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 ugb10gcthe3_a/i 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 400 v 5a 1.3 V @ 5 a 50 ns 10 µa @ 400 v -40 ° C ~ 150 ° C
VS-MURB1620CTLHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-murb1620ctlhm3 2.0000
RFQ
ECAD 800 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, FRED PT® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB murb1620 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 8a 975 MV @ 8 a 20 ns 250 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C
BZX84B24-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B24-HE3_A-18 0.0498
RFQ
ECAD 8281 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZX84 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW SOT-23-3 다운로드 112-BZX84B24-HE3_A-18TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 50 NA @ 16.8 v 24 v 70 옴
BZT52B2V7-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B2V7-E3-08 0.3200
RFQ
ECAD 6602 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZT52 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52B2V7 410 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 2.7 v 75 옴
HFA16TA60C Vishay General Semiconductor - Diodes Division HFA16TA60C -
RFQ
ECAD 4531 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Hexfred® 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 HFA16 기준 TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 600 v 8A (DC) 1.7 V @ 8 a 55 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C
V20120S-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V20120S-M3/4W 0.6626
RFQ
ECAD 3068 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 V20120 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 120 v 1.33 V @ 20 a 250 µa @ 120 v -40 ° C ~ 150 ° C 20A -
BZG03B15-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03B15-M3-18 0.2228
RFQ
ECAD 5465 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZG03B-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG03B15 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 500 ma 1 µa @ 11 v 15 v 10 옴
MMBZ5231C-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5231C-HE3-08 -
RFQ
ECAD 7072 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5231 225 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 5 µa @ 2 v 5.1 v 17 옴
VSSAF3M10HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division vssaf3m10hm3/i 0.1304
RFQ
ECAD 6499 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TMBS®, Slimsma ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 SAF3M10 Schottky DO-221AC (Slimsma) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 14,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 720 MV @ 3 a 200 µa @ 100 v -40 ° C ~ 175 ° C 3A 364pf @ 4V, 1MHz
BZX84B16-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B16-E3-18 0.0324
RFQ
ECAD 3344 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZX84 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84B16 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 50 NA @ 11.2 v 16 v 40
RS1PJHM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division rs1pjhm3_a/h 0.1002
RFQ
ECAD 6811 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-220AA Rs1p 기준 DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.3 v @ 1 a 250 ns 1 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 9pf @ 4V, 1MHz
P600B-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division P600B-E3/73 1.1800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 p600, 축, P600 기준 P600 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 300 100 v 900 mV @ 6 a 2.5 µs 5 µa @ 100 v -50 ° C ~ 150 ° C 6A 150pf @ 4V, 1MHz
V10DM60CHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v10dm60chm3/i 0.5231
RFQ
ECAD 5902 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²Pak (2 리드 + 탭) 변형 v10dm60 Schottky TO-263AC (SMPD) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 5a 660 mV @ 5 a 250 µa @ 60 v -40 ° C ~ 175 ° C
MMSZ5229C-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5229C-E3-08 0.3200
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ5229 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 5 µa @ 1 v 4.3 v 22 옴
IRKJ71/06A Vishay General Semiconductor - Diodes Division IRKJ71/06A -
RFQ
ECAD 7948 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 Add-A-Pak (3) IRKJ71 기준 Add-a-Pak® 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10 1 양극 양극 공통 600 v 80a 10 ma @ 600 v
BZX84C6V2-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84C6V2-G3-18 0.0353
RFQ
ECAD 7571 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZX84-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C6V2 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 3 µa @ 4 v 6.2 v 10 옴
VBT1080C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VBT1080C-E3/4W 0.5115
RFQ
ECAD 2948 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB vbt1080 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 80 v 5a 720 MV @ 5 a 400 µa @ 80 v -55 ° C ~ 150 ° C
BZX84B11-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B11-G3-18 0.0389
RFQ
ECAD 8374 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZX84-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84B11 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 8 v 11 v 20 옴
EGL34C-E3/98 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGL34C-E3/98 0.1513
RFQ
ECAD 7970 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AA (유리) EGL34 기준 DO-213AA (GL34) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 1.25 V @ 500 ma 50 ns 5 µa @ 150 v -65 ° C ~ 175 ° C 500ma -
VB40100C-E3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VB40100C-E3/8W 2.8100
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB VB40100 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 20A 730 mv @ 20 a 1 ma @ 100 v -40 ° C ~ 150 ° C
V30M100M-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V30M100M-E3/4W 0.5978
RFQ
ECAD 6719 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 v30m100 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 15a 930 MV @ 15 a 1 ma @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C
VS-309URA250 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-309URA250 -
RFQ
ECAD 3979 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 스터드 스터드 do-205AB, do-9, 스터드 309URA250 표준, 극성 역 DO-205AB (DO-9) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs309ura250 귀 99 8541.10.0080 12 2500 v 1.46 V @ 942 a -40 ° C ~ 180 ° C 300A -
SML4745A-E3/61 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SML4745A-E3/61 0.5000
RFQ
ECAD 990 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA SML4745 1 W. DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 5 µa @ 12.2 v 16 v 16 옴
PLZ16A-HG3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division PLZ16A-HG3_A/H 0.3600
RFQ
ECAD 50 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, plz 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 3% 150 ° C 표면 표면 DO-219AC plz16 500MW DO-219AC (microSMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,500 900 mV @ 10 ma 200 na @ 12 v 16 v 18 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고