전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 속도 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 다이오드 다이오드 | 전압- 리버스 피크 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Z4KE200-E3/54 | - | ![]() | 7367 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | Z4KE200 | 1.5 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 5,500 | 500 NA @ 144 v | 200 v | 1500 옴 | ||||||||||||||
![]() | BYS10-35HE3_A/H | 0.3800 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | BYS10 | Schottky | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 35 v | 500 mV @ 1 a | 500 µa @ 35 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 1.5A | - | ||||||||||||
![]() | VS-30APF10-M3 | 5.5000 | ![]() | 2393 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | 30APF10 | 기준 | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | VS-30APF10-M3GI | 귀 99 | 8541.10.0080 | 25 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1000 v | 1.41 V @ 30 a | 450 ns | 100 @ 1000 v | -40 ° C ~ 150 ° C | 30A | - | ||||||||||
![]() | VS-70HFR10 | 8.0500 | ![]() | 5167 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | 섀시, 마운트 스터드 | do-203ab, do-5, 스터드 | 70hfr10 | 표준, 극성 역 | do-203ab (Do-5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 100 | 짐 | 100 v | 1.35 V @ 220 a | 15 ma @ 100 v | -65 ° C ~ 180 ° C | 70A | - | ||||||||||||
![]() | SS10P2CL-M3/86A | 0.9100 | ![]() | 636 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | ESMP® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-277, 3-powerdfn | SS10P2 | Schottky | TO-277A (SMPC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 20 v | 5a | 520 MV @ 5 a | 850 µa @ 20 v | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||
![]() | SS6P4CHM3_A/H | 0.2242 | ![]() | 1121 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, ESMP® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-277, 3-powerdfn | SS6P4 | Schottky | TO-277A (SMPC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 40 v | 3A | 650 MV @ 3 a | 200 µa @ 40 v | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||
![]() | SRP600B-E3/54 | - | ![]() | 2106 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | p600, 축, | SRP600 | 기준 | P600 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 1.3 V @ 6 a | 100 ns | 10 µa @ 100 v | -50 ° C ~ 125 ° C | 6A | - | |||||||||||
![]() | VS-2YH01-m3/h | 0.4800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | ESMP® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | do-221ac, sma 플랫 리드 | 2EYH01 | 기준 | Slimsmaw (do-221ad) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 930 MV @ 2 a | 28 ns | 2 µa @ 100 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 2A | 12pf @ 200v | |||||||||||
![]() | au3pjhm3/86a | - | ![]() | 2373 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | ESMP® | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | 표면 표면 | TO-277, 3-powerdfn | AU3 | 눈사태 | TO-277A (SMPC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 1.9 V @ 3 a | 75 ns | 10 µa @ 600 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 1.7a | 72pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | VS-30WQ10FNHM3 | 1.6200 | ![]() | 380 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 튜브 | 활동적인 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | 30WQ10 | Schottky | D-PAK (TO-252AA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 75 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 810 mV @ 3 a | 1 ma @ 100 v | -40 ° C ~ 150 ° C | 3.5a | 92pf @ 5V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | GBL06L-5308E3/51 | - | ![]() | 8306 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, GBL | GBL06 | 기준 | GBL | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 4 a | 5 µa @ 600 v | 3 a | 단일 단일 | 600 v | ||||||||||||||
![]() | V60100C-E3/45 | - | ![]() | 3271 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | TMBS® | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | v60100 | Schottky | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | V60100C-E3/45GI | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 100 v | 30A | 790 MV @ 30 a | 1 ma @ 100 v | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
![]() | 10TQ035STRR | - | ![]() | 9040 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | 10TQ035 | Schottky | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 35 v | 570 mV @ 10 a | 2 ma @ 35 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 10A | - | ||||||||||||
![]() | SBLB2040Cthe3/81 | - | ![]() | 1874 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SBLB2040 | Schottky | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 40 v | 10A | 600 mV @ 10 a | 1 ma @ 40 v | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||
![]() | GP10WHM3/73 | - | ![]() | 6796 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | GP10 | 기준 | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 짐 | 1500 v | 1.1 v @ 1 a | 3 µs | 5 µa @ 1500 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 5pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | BYT51K-TAP | 0.2871 | ![]() | 4163 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | SOD-57,, 방향 | BYT51 | 눈사태 | SOD-57 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 25,000 | 짐 | 800 v | 1.1 v @ 1 a | 4 µs | 1 µa @ 800 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 1.5A | - | |||||||||||
![]() | GP10A-M3/73 | - | ![]() | 4157 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | GP10 | 기준 | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 짐 | 50 v | 1.1 v @ 1 a | 3 µs | 5 µa @ 50 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | PTV5.6B-E3/84A | - | ![]() | 5292 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | ESMP® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 6% | 150 ° C | 표면 표면 | DO-220AA | PTV5.6 | 600MW | DO-220AA (SMP) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.5 v @ 200 ma | 20 µa @ 1.5 v | 6 v | 8 옴 | |||||||||||||
![]() | vs-mbrb3030ctlr-m3 | 1.3075 | ![]() | 7832 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MBRB3030 | Schottky | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 30 v | 15a | 470 mV @ 15 a | 2 ma @ 30 v | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||
SB040-E3/73 | - | ![]() | 3197 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | MPG06,, 방향 | SB040 | Schottky | MPG06 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 40 v | 550 mV @ 600 mA | 500 µa @ 40 v | -65 ° C ~ 125 ° C | 600ma | - | |||||||||||||
![]() | v30k45hm3/i | 0.4991 | ![]() | 7573 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 8-powertdfn | v30k45 | Schottky | Flatpak (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 6,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 45 v | 630 mV @ 30 a | 2 ma @ 45 v | -40 ° C ~ 150 ° C | 30A | 4000pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | vs-6cwq10fntrlhm3 | 1.0479 | ![]() | 8423 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | 6CWQ10 | Schottky | D-PAK (TO-252AA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | vs6cwq10fntrlhm3 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 100 v | 3.5a | 810 mV @ 3 a | 1 ma @ 100 v | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
![]() | MBRB25H45Cthe3/45 | - | ![]() | 7149 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MBRB25 | Schottky | TO-263AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 45 v | 15a | 640 mV @ 15 a | 100 µa @ 45 v | -65 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||
![]() | FESF16HTHE3_A/P | 1.1055 | ![]() | 8667 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-220-2 풀 -2, 분리 된 탭 | FESF16 | 기준 | ITO-220AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 500 v | 1.5 v @ 16 a | 50 ns | 10 µa @ 500 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 16A | - | |||||||||||
![]() | vs-6ewl06fntrr-m3 | 0.3800 | ![]() | 4066 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | pt® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | 6ewl06 | 기준 | D-PAK (TO-252AA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | vs6ewl06fntrrm3 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 1.25 V @ 6 a | 70 ns | 5 µa @ 600 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 6A | - | ||||||||||
![]() | VS-MBRB20100CTHM3 | 0.9063 | ![]() | 9317 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 튜브 | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MBRB20100 | Schottky | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 100 v | 10A | 800 mV @ 10 a | 100 @ 100 v | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||
![]() | BZG05B18-E3-TR3 | - | ![]() | 3017 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZG05B | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 2% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | BZG05 | 1.25 w | DO-214AC | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 13 v | 18 v | 20 옴 | ||||||||||||||
![]() | BZD27C47P-HE3-18 | 0.1536 | ![]() | 1285 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, BZD27C | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | do-219ab | BZD27C47 | 800MW | DO-219AB (SMF) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 50,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 36 v | 47 v | 45 옴 | |||||||||||||
![]() | CSA2G-E3/i | - | ![]() | 8293 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | CSA2 | 기준 | DO-214AC (SMA) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 짐 | 400 v | 1.15 V @ 2 a | 2.1 µs | 5 µa @ 400 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.6a | 11pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
FES8ATHE3/45 | - | ![]() | 2526 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-220-2 | FES8 | 기준 | TO-220AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 50 v | 950 MV @ 8 a | 35 ns | 10 µa @ 50 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 8a | - |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고