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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
Z4KE200-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Z4KE200-E3/54 -
RFQ
ECAD 7367 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -55 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 Z4KE200 1.5 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,500 500 NA @ 144 v 200 v 1500 옴
BYS10-35HE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYS10-35HE3_A/H 0.3800
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA BYS10 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 35 v 500 mV @ 1 a 500 µa @ 35 v -65 ° C ~ 150 ° C 1.5A -
VS-30APF10-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30APF10-M3 5.5000
RFQ
ECAD 2393 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 30APF10 기준 TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VS-30APF10-M3GI 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.41 V @ 30 a 450 ns 100 @ 1000 v -40 ° C ~ 150 ° C 30A -
VS-70HFR10 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-70HFR10 8.0500
RFQ
ECAD 5167 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 70hfr10 표준, 극성 역 do-203ab (Do-5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 100 v 1.35 V @ 220 a 15 ma @ 100 v -65 ° C ~ 180 ° C 70A -
SS10P2CL-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS10P2CL-M3/86A 0.9100
RFQ
ECAD 636 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn SS10P2 Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 20 v 5a 520 MV @ 5 a 850 µa @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
SS6P4CHM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS6P4CHM3_A/H 0.2242
RFQ
ECAD 1121 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn SS6P4 Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 3A 650 MV @ 3 a 200 µa @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C
SRP600B-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SRP600B-E3/54 -
RFQ
ECAD 2106 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 p600, 축, SRP600 기준 P600 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.3 V @ 6 a 100 ns 10 µa @ 100 v -50 ° C ~ 125 ° C 6A -
VS-2EYH01-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-2YH01-m3/h 0.4800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 2EYH01 기준 Slimsmaw (do-221ad) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 930 MV @ 2 a 28 ns 2 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 2A 12pf @ 200v
AU3PJHM3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division au3pjhm3/86a -
RFQ
ECAD 2373 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn AU3 눈사태 TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.9 V @ 3 a 75 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 1.7a 72pf @ 4V, 1MHz
VS-30WQ10FNHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30WQ10FNHM3 1.6200
RFQ
ECAD 380 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 30WQ10 Schottky D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 75 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 810 mV @ 3 a 1 ma @ 100 v -40 ° C ~ 150 ° C 3.5a 92pf @ 5V, 1MHz
GBL06L-5308E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBL06L-5308E3/51 -
RFQ
ECAD 8306 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBL GBL06 기준 GBL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 1 1 V @ 4 a 5 µa @ 600 v 3 a 단일 단일 600 v
V60100C-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division V60100C-E3/45 -
RFQ
ECAD 3271 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 v60100 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 V60100C-E3/45GI 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 30A 790 MV @ 30 a 1 ma @ 100 v -40 ° C ~ 150 ° C
10TQ035STRR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 10TQ035STRR -
RFQ
ECAD 9040 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 10TQ035 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 35 v 570 mV @ 10 a 2 ma @ 35 v -55 ° C ~ 175 ° C 10A -
SBLB2040CTHE3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SBLB2040Cthe3/81 -
RFQ
ECAD 1874 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SBLB2040 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 10A 600 mV @ 10 a 1 ma @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C
GP10WHM3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10WHM3/73 -
RFQ
ECAD 6796 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 GP10 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 1500 v 1.1 v @ 1 a 3 µs 5 µa @ 1500 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 5pf @ 4V, 1MHz
BYT51K-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYT51K-TAP 0.2871
RFQ
ECAD 4163 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 SOD-57,, 방향 BYT51 눈사태 SOD-57 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25,000 800 v 1.1 v @ 1 a 4 µs 1 µa @ 800 v -55 ° C ~ 175 ° C 1.5A -
GP10A-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10A-M3/73 -
RFQ
ECAD 4157 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 GP10 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 50 v 1.1 v @ 1 a 3 µs 5 µa @ 50 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
PTV5.6B-E3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division PTV5.6B-E3/84A -
RFQ
ECAD 5292 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 6% 150 ° C 표면 표면 DO-220AA PTV5.6 600MW DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.5 v @ 200 ma 20 µa @ 1.5 v 6 v 8 옴
VS-MBRB3030CTLR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-mbrb3030ctlr-m3 1.3075
RFQ
ECAD 7832 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB3030 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 15a 470 mV @ 15 a 2 ma @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C
SB040-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB040-E3/73 -
RFQ
ECAD 3197 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 MPG06,, 방향 SB040 Schottky MPG06 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 600 mA 500 µa @ 40 v -65 ° C ~ 125 ° C 600ma -
V30K45HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v30k45hm3/i 0.4991
RFQ
ECAD 7573 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 8-powertdfn v30k45 Schottky Flatpak (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 630 mV @ 30 a 2 ma @ 45 v -40 ° C ~ 150 ° C 30A 4000pf @ 4V, 1MHz
VS-6CWQ10FNTRLHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-6cwq10fntrlhm3 1.0479
RFQ
ECAD 8423 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 6CWQ10 Schottky D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs6cwq10fntrlhm3 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 3.5a 810 mV @ 3 a 1 ma @ 100 v -40 ° C ~ 150 ° C
MBRB25H45CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB25H45Cthe3/45 -
RFQ
ECAD 7149 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB25 Schottky TO-263AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 15a 640 mV @ 15 a 100 µa @ 45 v -65 ° C ~ 175 ° C
FESF16HTHE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division FESF16HTHE3_A/P 1.1055
RFQ
ECAD 8667 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2, 분리 된 탭 FESF16 기준 ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 500 v 1.5 v @ 16 a 50 ns 10 µa @ 500 v -65 ° C ~ 150 ° C 16A -
VS-6EWL06FNTRR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-6ewl06fntrr-m3 0.3800
RFQ
ECAD 4066 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 6ewl06 기준 D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs6ewl06fntrrm3 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.25 V @ 6 a 70 ns 5 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 6A -
VS-MBRB20100CTHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBRB20100CTHM3 0.9063
RFQ
ECAD 9317 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB20100 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 10A 800 mV @ 10 a 100 @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C
BZG05B18-E3-TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05B18-E3-TR3 -
RFQ
ECAD 3017 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZG05B 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG05 1.25 w DO-214AC - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 200 ma 500 na @ 13 v 18 v 20 옴
BZD27C47P-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C47P-HE3-18 0.1536
RFQ
ECAD 1285 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZD27C 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 do-219ab BZD27C47 800MW DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 50,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 36 v 47 v 45 옴
CSA2G-E3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division CSA2G-E3/i -
RFQ
ECAD 8293 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AC, SMA CSA2 기준 DO-214AC (SMA) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 400 v 1.15 V @ 2 a 2.1 µs 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.6a 11pf @ 4V, 1MHz
FES8ATHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FES8ATHE3/45 -
RFQ
ECAD 2526 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 FES8 기준 TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 950 MV @ 8 a 35 ns 10 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고