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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | ESH3CHE3_A/I | 0.3208 |  | 2547 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AB, SMC | ESH3 | 기준 | DO-214AB (SMC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 150 v | 900 mV @ 3 a | 40 ns | 5 µa @ 150 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 3A | 70pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | MMBZ5260C-HE3-18 | - | | 5595 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5260 | 225 MW | SOT-23-3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 33 v | 43 v | 93 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZT52C75-E3-08 | 0.2700 | | 15 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZT52 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123 | BZT52C75 | 410 MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 75 v | 250 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BYM13-30-E3/97 | 0.2586 | | 9676 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-213AB, MELF | bym13 | Schottky | GL41 (DO-213AB) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 30 v | 500 mV @ 1 a | 500 µa @ 30 v | -55 ° C ~ 125 ° C | 1A | 110pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | GBU8K-3E3/51 | - | | 1878 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, GBU | GBU8 | 기준 | GBU | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 8 a | 5 µa @ 800 v | 3.9 a | 단일 단일 | 800 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | vs-8etl06strlpbf | - | | 1647 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, FRED PT® | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | 8ETL06 | 기준 | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | vs8etl06strlpbf | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 2.4 v @ 8 a | 25 ns | 50 µa @ 600 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 8a | - | ||||||||||||||||||||||||||||
 | vs-8ewh06fnhm3 | 1.3015 | | 8409 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, FRED PT® | 튜브 | 활동적인 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | 8ewh06 | 기준 | TO-252, (D-PAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | vs8ewh06fnhm3 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 2.4 v @ 8 a | 25 ns | 50 µa @ 600 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 8a | - | ||||||||||||||||||||||||||||
 | SMZJ3794A-E3/5B | - | | 1506 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | smzj37 | 1.5 w | DO-214AA (SMBJ) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,200 | 5 µa @ 12.2 v | 16 v | 10 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| MMSZ5226B-E3-08 | 0.2700 | | 14 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123 | MMSZ5226 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 25 µa @ 1 v | 3.3 v | 28 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLZ5V6-GS18 | 0.0335 | | 5387 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | TLZ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | TLZ5V6 | 500MW | SOD-80 최소값 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 v @ 200 ma | 5.6 v | 13 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TVR06K-E3/54 | - | | 2884 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Superectifier® | 대부분 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | TVR06 | 기준 | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 짐 | 800 v | 1.4 v @ 600 ma | 10 µa @ 800 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 600ma | 15pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ugb8hcthe3/81 | - | | 5256 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | UGB8 | 기준 | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 500 v | 4a | 1.75 V @ 4 a | 50 ns | 30 µa @ 500 v | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||
| VBT1045C-M3/4W | 0.7192 | | 5123 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | TMBS® | 튜브 | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | vbt1045 | Schottky | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 45 v | 5a | 580 mV @ 5 a | 500 µa @ 45 v | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||
| GBU6JL-5305M3/51 | - | | 6822 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, GBU | GBU6 | 기준 | GBU | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 6 a | 5 µa @ 600 v | 3.8 a | 단일 단일 | 600 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZGL41-180A-E3/96 | 0.5500 | | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-213AB, MELF | ZGL41 | 1 W. | GL41 (DO-213AB) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.5 v @ 200 ma | 1 µa @ 136.9 v | 180 v | 900 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| vs-gb400th120U | - | | 5555 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 이중 int-a-pak (3 + 4) | GB400 | 2660 W. | 기준 | int-a-pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | VSGB400th120U | 귀 99 | 8541.29.0095 | 12 | 반 반 | NPT | 1200 v | 660 a | 3.6V @ 15V, 400A | 5 MA | 아니요 | 33.7 NF @ 30 v | ||||||||||||||||||||||||||
| UHB20FCT-E3/8W | - | | 6228 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | UHB20 | 기준 | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 300 v | 10A | 1.2 v @ 10 a | 35 ns | 5 µa @ 300 v | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX384C27-G3-08 | 0.0389 | | 6895 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZX384-G | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-76, SOD-323 | BZX384C27 | 200 MW | SOD-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 50 NA @ 18.9 v | 27 v | 80 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | vss8d2m12hm3/h | 0.4400 | | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | do-221ac, sma 플랫 리드 | S8D2 | Schottky | Slimsmaw (do-221ad) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 120 v | 600 mV @ 1 a | 250 µa @ 120 v | -40 ° C ~ 175 ° C | 1.9a | 220pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
| vs-1n5817tr | - | | 9430 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N5817 | Schottky | DO-204AL (DO-41) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 20 v | 450 mV @ 1 a | 1 ma @ 20 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 110pf @ 5V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | V30D202CHM3/i | - | | 2130 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | ESMP®, TMBS® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-263-3, d²Pak (2 리드 + 탭) 변형 | v30d202 | Schottky | TO-263AC (SMPD) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 200 v | 15a | 880 mV @ 15 a | 200 µa @ 200 v | -40 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MBL108S-01M3/i | - | | 5945 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 날개 | MBL1 | 기준 | 4-SMD | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 950 mV @ 400 mA | 5 µa @ 800 v | 1 a | 단일 단일 | 800 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PLZ4V3B-HG3_A/H | 0.3600 | | 50 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, plz | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 3.02% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-219AC | plz4v3 | 960 MW | DO-219AC (microSMF) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,500 | 900 mV @ 10 ma | 5 µa @ 1 v | 4.3 v | 40 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| VS-VSKV162/16PBF | 49.5000 | | 2285 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | int-a-pak (3) | VSKV162 | 일반적인 일반적인 - 음극 scr | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 15 | 200 MA | 1.6kV | 355 a | 2.5 v | 4870A, 5100A | 150 MA | 160 a | 1 scr | |||||||||||||||||||||||||||||||
| TLZ22C-GS18 | 0.0335 | | 5424 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | TLZ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | TLZ22 | 500MW | SOD-80 최소값 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 v @ 200 ma | 40 na @ 20 v | 22 v | 30 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | ESH1PC-M3/84A | 0.4600 | | 15 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | ESMP® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-220AA | ESH1 | 기준 | DO-220AA (SMP) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 150 v | 900 mV @ 1 a | 25 ns | 1 µa @ 150 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 25pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | GI2404-E3/45 | 0.8186 | | 1737 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | GI2404 | 기준 | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 200 v | 16A | 975 MV @ 8 a | 35 ns | 5 µa @ 200 v | -65 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||
 | tzx2v7a- 탭 | 0.0290 | | 9974 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, TZX | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | - | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | TZX2V7 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.5 v @ 200 ma | 5 µa @ 500 mV | 2.7 v | 100 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| GDZ18B-G3-08 | 0.0445 | | 1180 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | GDZ-G | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 4% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-76, SOD-323 | GDZ18 | 200 MW | SOD-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 na @ 13 v | 18 v | 65 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | uh6pjhm3/86a | - | | 4039 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, ESMP® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-277, 3-powerdfn | UH6 | 기준 | TO-277A (SMPC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 3 v @ 6 a | 45 ns | 10 µa @ 600 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 6A | 30pf @ 4V, 1MHz |
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