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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
V10DM45C-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v10dm45c-m3/i 0.4901
RFQ
ECAD 7681 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²Pak (2 리드 + 탭) 변형 v10dm45 Schottky TO-263AC (SMPD) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 5a 620 MV @ 5 a 100 µa @ 45 v -40 ° C ~ 175 ° C
TZMA5V6-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZMA5V6-GS08 0.1497
RFQ
ECAD 5769 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 tzma5v6 500MW SOD-80 최소값 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 12,500 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 1 v 5.6 v 40
VS-50SQ080 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-50SQ080 -
RFQ
ECAD 5457 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 DO-204AR, 4 방향 50SQ080 Schottky DO-204AR 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 300 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 80 v 660 mV @ 5 a 550 µa @ 80 v -55 ° C ~ 175 ° C 5a -
1N4007GPE-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4007GPE-M3/73 -
RFQ
ECAD 3589 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4007 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 1000 v 1.1 v @ 1 a 5 µa @ 1000 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
VS-15ETL06HN3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-15etl06hn3 0.9393
RFQ
ECAD 7130 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, FRED PT® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 15etl06 기준 TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.05 V @ 15 a 220 ns 10 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 15a -
VS-VSKC91/12 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKC91/12 42.1600
RFQ
ECAD 8298 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시 섀시 Add-A-Pak (3) vskc91 기준 Add-a-Pak® 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10 1 연결 연결 시리즈 1200 v 50a 10 ma @ 1200 v -40 ° C ~ 150 ° C
VS-60EPF02-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-60EPF02-M3 6.5711
RFQ
ECAD 1339 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-2 60epf02 기준 TO-247AC ac 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VS-60EPF02-M3GI 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.3 V @ 60 a 180 ns 100 µa @ 200 v -40 ° C ~ 150 ° C 60a -
V20PWM60-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v20pwm60-m3/i 0.9300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 V20PWM60 Schottky Slimdpak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 700 mV @ 20 a 1.2 ma @ 60 v -40 ° C ~ 175 ° C 20A 2320pf @ 4V, 1MHz
VS-8EWF12SLHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-8ewf12slhm3 1.7000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 8ewf12 기준 D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1200 v 1.3 V @ 8 a 270 ns 100 µa @ 1200 v -40 ° C ~ 150 ° C 8a -
TZM5260F-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM5260F-GS08 -
RFQ
ECAD 9237 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TZM5260 500MW SOD-80 최소값 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 33 v 43 v 900 옴
BZX384C3V9-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384C3V9-G3-18 0.0389
RFQ
ECAD 4444 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZX384-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384C3V9 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 5 µa @ 1 v 3.9 v 90 옴
GF1A/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division GF1A/67A -
RFQ
ECAD 4044 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214BA GF1 기준 DO-214BA (GF1) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 50 v 1.1 v @ 1 a 2 µs 5 µa @ 50 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A -
VS-20CTH03-1HM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20CTH03-1HM3 1.0890
RFQ
ECAD 9530 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, FRED PT® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA 20cth03 기준 TO-262 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 300 v 10A 1.25 V @ 10 a 31 ns 20 µa @ 300 v -55 ° C ~ 175 ° C
SUF15G-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SUF15G-E3/73 -
RFQ
ECAD 9464 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 DO-201AA, DO-27, 축 방향 SUF15 기준 GP20 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.8 V @ 1.5 a 35 ns 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A -
SB540L-6314E3/72 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB540L-6314E3/72 -
RFQ
ECAD 2899 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SB540 Schottky Do-201ad - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 480 mV @ 5 a 500 µa @ 40 v -65 ° C ~ 150 ° C
SS3H9HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS3H9HE3_A/I -
RFQ
ECAD 8211 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AB, SMC SS3H9 Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 800 mv @ 3 a 20 µa @ 90 v -65 ° C ~ 175 ° C 3A -
RGP20JHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP20JHE3/73 -
RFQ
ECAD 5125 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, Superectifier® 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 DO-201AA, DO-27, 축 방향 RGP20 기준 GP20 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.3 V @ 2 a 250 ns 5 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 2A -
BZX384C4V7-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384C4V7-HE3-08 0.2600
RFQ
ECAD 25 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZX384 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384C4V7 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 3 µa @ 2 v 4.7 v 80 옴
TZMC68-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZMC68-GS08 0.2300
RFQ
ECAD 108 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TZM 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 tzmc68 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 51 v 68 v 200 옴
Z4KE160AHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Z4KE160AHE3/73 -
RFQ
ECAD 5169 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 Z4KE160 1.5 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 500 MA 500 NA @ 121.6 v 160 v 1100 옴
SE40PWDC-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE40PWDC-M3/I 0.2272
RFQ
ECAD 9683 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SE40 기준 Slimdpak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 112-SE40PWDC-M3/ITR 귀 99 8541.10.0080 4,500 200 v 1.1 v @ 2 a 1.5 µs 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 2A 14pf @ 4V, 1MHz
SS22HE3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS22HE3/5BT -
RFQ
ECAD 7775 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB SS22 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,200 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 500 mV @ 2 a 400 µa @ 20 v -65 ° C ~ 125 ° C 2A -
BZX85B18-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX85B18-TR 0.3800
RFQ
ECAD 19 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZX85 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 BZX85B18 1.3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 500 na @ 13 v 18 v 20 옴
MBR745/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR745/45 -
RFQ
ECAD 8681 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 MBR7 Schottky TO-220AC - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 840 mV @ 15 a 100 µa @ 45 v -65 ° C ~ 150 ° C 7.5A -
MBRB30H50CT-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB30H50CT-E3/81 -
RFQ
ECAD 3680 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB30 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 50 v 15a 680 mV @ 15 a 60 µa @ 50 v -65 ° C ~ 175 ° C
VS-6CWQ10FNTRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-6cwq10fntrpbf -
RFQ
ECAD 5968 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 6CWQ10 Schottky D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 3.5a 810 mV @ 3 a 1 ma @ 100 v -40 ° C ~ 150 ° C
FEPB6ATHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division fepb6athe3/45 -
RFQ
ECAD 6953 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB fepb6 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 50 v 6A 975 MV @ 3 a 35 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
VS-16FLR10S02 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-16FLR10S02 5.4944
RFQ
ECAD 8935 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 16FLR10 표준, 극성 역 DO-203AA (DO-4) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.4 v @ 16 a 200 ns 50 µa @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C 16A -
VS-8ETU04-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8ETU04-M3 0.9600
RFQ
ECAD 17 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 8ETU04 기준 TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 V @ 8 a 60 ns 10 µa @ 400 v -65 ° C ~ 175 ° C 8a -
VS-40L15CWPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40L15CWPBF -
RFQ
ECAD 9482 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-247-3 40L15 Schottky TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 15 v 20A 410 mV @ 20 a 10 ma @ 15 v -55 ° C ~ 125 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고