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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
MMBZ5255B-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5255B-HE3-18 -
RFQ
ECAD 5931 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5255 225 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 21 v 28 v 44 옴
15ETH03-1 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 15ETH03-1 -
RFQ
ECAD 4819 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA 15ETH03 기준 TO-262-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.25 V @ 15 a 40 ns 40 µa @ 300 v -65 ° C ~ 175 ° C 15a -
MMSZ5256C-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5256C-G3-08 0.0483
RFQ
ECAD 4559 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ5256 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 100 na @ 23 v 30 v 49 옴
BZX584C24-HG3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX584C24-HG3-08 0.3400
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZX584C 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZX584C 200 MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 50 NA @ 16.8 v 24 v 25 옴
VS-60EPU02-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-60EPU02-N3 7.0300
RFQ
ECAD 373 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-2 60epu02 기준 TO-247AC ac 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.08 V @ 60 a 28 ns 50 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 60a -
EGL41BHE3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGL41BHE3/96 -
RFQ
ECAD 9527 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 do-213ab, melf (유리) EGL41 기준 do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 20pf @ 4V, 1MHz
EGF1BHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGF1BHE3_A/I -
RFQ
ECAD 8518 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214BA EGF1 기준 DO-214BA (GF1) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.10.0080 6,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1 V @ 1 a 50 ns 1 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
GP10KE-M3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10KE-M3/54 -
RFQ
ECAD 4157 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 GP10 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500 800 v 1.2 v @ 1 a 3 µs 5 µa @ 800 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 7pf @ 4V, 1MHz
SS22SHE3_B/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss22she3_b/i 0.0759
RFQ
ECAD 8260 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA SS22 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 550 mV @ 2 a 200 µa @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 130pf @ 4V, 1MHz
8EWF12STR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 8ewf12str -
RFQ
ECAD 3978 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 8ewf12 기준 D-PAK (TO-252AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1200 v 1.3 V @ 8 a 270 ns 100 µa @ 1200 v -40 ° C ~ 150 ° C 8a -
VS-T40HFL100S05 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-T40HFL100S05 31.1900
RFQ
ECAD 206 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시 섀시 D-55 T- 5 T40 기준 D-55 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 500 ns 100 @ 1000 v 40a -
VS-20ETF06STRLPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-20etf06strlpbf -
RFQ
ECAD 9955 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 20etf06 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.05 V @ 15 a 120 ns 100 µa @ 600 v -40 ° C ~ 150 ° C 20A -
UGB8FTHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division ugb8fthe3_a/i -
RFQ
ECAD 9340 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB UGB8 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.25 V @ 8 a 50 ns 10 µa @ 300 v -40 ° C ~ 150 ° C 8a -
BYS10-45HE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYS10-45HE3_A/H 0.3800
RFQ
ECAD 942 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA BYS10 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 500 mV @ 1 a 500 µa @ 45 v -65 ° C ~ 150 ° C 1.5A -
VS-50WQ10FNTR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-50wq10fntr-m3 0.7800
RFQ
ECAD 19 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 50wq10 Schottky D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 770 mv @ 5 a 1 ma @ 100 v -40 ° C ~ 150 ° C 5.5A 183pf @ 5V, 1MHz
EGL41A-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGL41A-E3/96 0.1502
RFQ
ECAD 2199 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-213ab, melf (유리) EGL41 기준 do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 50 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 20pf @ 4V, 1MHz
VS-20ETS12STRLPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-20ets12strlpbf -
RFQ
ECAD 1685 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 20ets12 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 1200 v 1.1 v @ 20 a 100 µa @ 1200 v -40 ° C ~ 150 ° C 20A -
S1FLD-M-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division S1FLD-M-08 0.0466
RFQ
ECAD 4104 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab S1F 기준 DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 30,000 200 v 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 700ma 4pf @ 4V, 1MHz
VS-VSKC91/10 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKC91/10 41.7400
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시 섀시 Add-A-Pak (3) vskc91 기준 Add-a-Pak® 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10 1 연결 연결 시리즈 1000 v 50a 10 ma @ 1000 v -40 ° C ~ 150 ° C
VS-80CNQ045ASLPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-80CNQ045ASLPBF -
RFQ
ECAD 9010 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 표면 표면 D-61-8-SL 80CNQ045 Schottky D-61-8-SL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VS80CNQ045ASLPBF 귀 99 8541.10.0080 400 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 40a 520 MV @ 40 a 5 ma @ 35 v -55 ° C ~ 150 ° C
200HFR120PV Vishay General Semiconductor - Diodes Division 200hfr120pv -
RFQ
ECAD 5330 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 스터드 스터드 DO-205AC, DO-30, 스터드 200hfr120 기준 DO-205AC (DO-30) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *200hfr120pv 귀 99 8541.10.0080 25 1200 v 1.45 V @ 628 a 15 ma @ 1200 v -40 ° C ~ 180 ° C 200a -
VS-150SQ030 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-150SQ030 -
RFQ
ECAD 8925 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 DO-204AR, 4 방향 150SQ030 기준 DO-204AR 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) VS150SQ030 귀 99 8541.10.0080 300 30 v 540 mV @ 15 a 1.75 ma @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C 15a 900pf @ 5V, 1MHz
BAS20-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAS20-HE3-18 0.0303
RFQ
ECAD 9923 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS20 기준 SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 150 v 1.25 V @ 200 ma 50 ns 100 na @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 200ma 5pf @ 0V, 1MHz
162CNQ030 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 162CNQ030 -
RFQ
ECAD 3161 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-249AA 162CNQ Schottky TO-249AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *162CNQ030 귀 99 8541.10.0080 10 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 80a 530 MV @ 80 a 5 ma @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C
VFT1080C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VFT1080C-M3/4W 0.5775
RFQ
ECAD 9387 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 vft1080 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 80 v 5a 720 MV @ 5 a 400 µa @ 80 v -55 ° C ~ 150 ° C
BAT54A-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAT54A-E3-18 0.3200
RFQ
ECAD 65 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bat54 Schottky SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 양극 양극 공통 30 v 200MA (DC) 800 mv @ 100 ma 5 ns 2 µa @ 25 v 125 ° C (°)
SS10PH9-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS10PH9-M3/86A 0.8400
RFQ
ECAD 311 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn ss10ph9 Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 880 mV @ 10 a 10 µa @ 90 v -55 ° C ~ 175 ° C 10A 270pf @ 4V, 1MHz
VS-16FR40 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-16FR40 3.5422
RFQ
ECAD 3463 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 16FR40 표준, 극성 역 DO-203AA (DO-4) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 400 v 1.23 V @ 50 a 12 ma @ 400 v -65 ° C ~ 175 ° C 16A -
SBL1040CT804HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SBL1040CT804HE3/45 -
RFQ
ECAD 4915 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 SBL1040 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 5a 550 mV @ 5 a 500 µa @ 40 v -40 ° C ~ 125 ° C
S3GHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division S3GHE3_A/I 0.4800
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC S3G 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 400 v 1.15 V @ 2.5 a 2.5 µs 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고