SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 현재 -홀드 (ih) (최대) 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 전압 -상태 (vtm) (최대) 현재- it (it (av)) (max) Current -Off State (Max) scr 유형 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
VS-12CTQ035SPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-12CTQ035SPBF -
RFQ
ECAD 7985 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 12ctq035 Schottky to-263ab (d²pak) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 6A 600 mV @ 6 a 800 µa @ 35 v -55 ° C ~ 175 ° C
VS-8ETH03STRRHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8ETH03STRRHM3 1.0444
RFQ
ECAD 4126 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, FRED PT® 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA 8ETH03 기준 TO-262AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 112-VS-8ETH03STRRHM3TR 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.25 V @ 8 a 35 ns 20 µa @ 300 v -55 ° C ~ 175 ° C 8a -
1N4150W-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4150W-HE3-18 0.2700
RFQ
ECAD 19 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123 1N4150 기준 SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 50 v 1 v @ 200 ma 4 ns 100 na @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 200ma 2.5pf @ 0v, 1MHz
VS-SD1100C12L Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-sd1100c12l 106.9500
RFQ
ECAD 3762 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 스터드 스터드 DO-200AA, A-PUK SD1100 기준 B-43,, 푸크 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3 1200 v 1.31 V @ 1500 a 15 ma @ 1200 v 1170A -
SE15FGHM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE15FGHM3/H 0.4800
RFQ
ECAD 8032 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SE15 기준 DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 400 v 1.05 V @ 1.5 a 900 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C 1.5A 10.5pf @ 4V, 1MHz
V8P12HM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division v8p12hm3_a/h 0.3003
RFQ
ECAD 6848 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn v8p12 Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 120 v 840 mV @ 8 a 300 µa @ 120 v -40 ° C ~ 150 ° C 8a -
VS-70HF60 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-70HF60 11.1800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 70HF60 기준 do-203ab (Do-5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 600 v 1.35 V @ 220 a 9 ma @ 600 v -65 ° C ~ 150 ° C 70A -
VS-15EWX06FNTRR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-15ewx06fntrr-m3 0.6181
RFQ
ECAD 3251 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 15ewx06 기준 D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs15ewx06fntrrm3 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 3.2 v @ 15 a 22 ns 50 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 15a -
VS-HFA08TB120SPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-HFA08TB120SPBF -
RFQ
ECAD 6186 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Hexfred® 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB HFA08 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1200 v 3.3 v @ 8 a 95 ns 10 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a -
VS-HFA25TB60STRHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-hfa25tb60strhm3 2.3503
RFQ
ECAD 3086 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, Hexfred® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB HFA25 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vshfa25tb60strhm3 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 25 a 50 ns 20 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 25A -
VS-10WQ045FNTRLPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-10wq045fntrlpbf -
RFQ
ECAD 6643 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 10WQ045 Schottky D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 630 mv @ 10 a 1 ma @ 45 v -40 ° C ~ 175 ° C 10A 760pf @ 5V, 1MHz
VS-15ETH03STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-15ETH03STRL-M3 1.2000
RFQ
ECAD 8249 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 15ETH03 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.25 V @ 15 a 40 ns 40 µa @ 300 v -65 ° C ~ 175 ° C 15a -
S2KHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division S2KHE3_A/H 0.1119
RFQ
ECAD 1815 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB S2K 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 750 800 v 1.15 V @ 1.5 a 2 µs 1 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 16pf @ 4V, 1MHz
VS-20CTQ035STRR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20CTQ035ST-M3 0.9298
RFQ
ECAD 5718 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 20ctq035 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 10A 640 mV @ 10 a 2 ma @ 35 v -55 ° C ~ 175 ° C
BYS10-45HE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYS10-45HE3_A/H 0.3800
RFQ
ECAD 942 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA BYS10 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 500 mV @ 1 a 500 µa @ 45 v -65 ° C ~ 150 ° C 1.5A -
VS-16FR40 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-16FR40 3.5422
RFQ
ECAD 3463 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 16FR40 표준, 극성 역 DO-203AA (DO-4) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 400 v 1.23 V @ 50 a 12 ma @ 400 v -65 ° C ~ 175 ° C 16A -
VS-81RIA80M Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-81RIO80M 107.9360
RFQ
ECAD 7916 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시, 마운트 스터드 TO-209AC, TO-94-4, 스터드 81RIO80 TO-209AC (TO-94) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VS81RIA80M 귀 99 8541.30.0080 25 200 MA 800 v 125 a 2.5 v 1600a, 1675a 120 MA 1.6 v 80 a 15 MA 표준 표준
1N5266C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5266C 탭 0.0288
RFQ
ECAD 1993 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5266 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 30,000 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 52 v 68 v 230 옴
BYX10GPHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division byx10gphe3/73 -
RFQ
ECAD 3453 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 byx10 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 1600 v 1.6 V @ 2 a 2 µs 1 µa @ 1600 v -65 ° C ~ 175 ° C 360ma -
1N4003E-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4003E-E3/54 0.4800
RFQ
ECAD 2108 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4003 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500 200 v 1.1 v @ 1 a 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
SS3P3HE3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS3P3HE3/85A -
RFQ
ECAD 2306 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q100, ESMP® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-220AA SS3P3 Schottky DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 580 mV @ 3 a 200 µa @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
BAV20WS-HG3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAV20WS-HG3-08 0.0451
RFQ
ECAD 3783 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-76, SOD-323 BAV20 기준 SOD-323 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 15,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 1.25 V @ 200 ma 50 ns 100 na @ 150 v 150 ° C (°) 250ma 1.5pf @ 0v, 1MHz
BAS16D-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAS16D-E3-08 0.2600
RFQ
ECAD 60 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123 BAS16 기준 SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 75 v 1.25 V @ 150 mA 6 ns 1 µa @ 75 v -55 ° C ~ 150 ° C 250ma 2pf @ 0V, 1MHz
VS-8EWF06S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8ewF06S-M3 3.3300
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 8ewf06 기준 D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs-8ewf06s-m3gi 귀 99 8541.10.0080 75 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.2 v @ 8 a 55 ns 100 µa @ 600 v -40 ° C ~ 150 ° C 8a -
185NQ015 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 185NQ015 -
RFQ
ECAD 4009 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 D-67 하프 7 185NQ015 Schottky D-67 하프 7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 15 v 400 mV @ 180 a 60 ma @ 15 v 180a 12300pf @ 5V, 1MHz
123NQ100R Vishay General Semiconductor - Diodes Division 123NQ100R -
RFQ
ECAD 2402 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 D-67 하프 7 123NQ100 Schottky D-67 하프 7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *123NQ100R 귀 99 8541.10.0080 20 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 910 MV @ 120 a 3 ma @ 100 v 120a 2650pf @ 5V, 1MHz
150LR5A Vishay General Semiconductor - Diodes Division 150LR5A -
RFQ
ECAD 9127 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 스터드 스터드 DO-205AC, DO-30, 스터드 150LR5 기준 DO-205AC (DO-30) - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *150lr5a 귀 99 8541.10.0080 10 50 v 1.33 V @ 471 a 35 ma @ 50 v -40 ° C ~ 200 ° C 150a -
BA159GPHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BA159GPHE3/73 -
RFQ
ECAD 4084 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 BA159 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.3 v @ 1 a 500 ns 5 µa @ 1000 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
S8CKHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division S8CKHM3/i 0.3960
RFQ
ECAD 1375 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC S8CK 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 800 v 985 MV @ 8 a 4 µs 10 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a 79pf @ 4v, 1MHz
VS-6CWQ10FNPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-6CWQ10FNPBF -
RFQ
ECAD 1121 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 6CWQ10 Schottky D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 75 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 3.5A 810 mV @ 3 a 1 ma @ 100 v -40 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고