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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
SMZJ3800BHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division smzj3800bhe3_a/i -
RFQ
ECAD 3423 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB SMZJ3800 1.5 w DO-214AA (SMBJ) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,200 5 µa @ 22.8 v 30 v 26 옴
GF1DHE3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division GF1DHE3/67A -
RFQ
ECAD 5369 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214BA GF1 기준 DO-214BA (GF1) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 200 v 1.1 v @ 1 a 2 µs 5 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A -
VS-1N3892R Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-1N3892R -
RFQ
ECAD 8877 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 1N3892 표준, 극성 역 DO-203AA (DO-4) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.4 V @ 12 a 300 ns 25 µa @ 300 v -65 ° C ~ 150 ° C 12a -
B350A-E3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division B350A-E3/61T 0.4100
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA B350 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 720 MV @ 3 a 200 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 145pf @ 4V, 1MHz
BZT52B24-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B24-E3-08 0.3100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZT52 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52B24 410 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 18 v 24 v 28 옴
BZG05C5V6-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C5V6-M3-08 0.3900
RFQ
ECAD 6035 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZG05C-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 7.14% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG05C5V6 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 2 v 5.6 v 7 옴
BZG04-9V1-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG04-9V1-M3-18 0.1980
RFQ
ECAD 5711 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZG04-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG04-9V1 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 500 ma 5 µa @ 9.1 v 11 v
AZ23B15-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23B15-E3-08 0.0509
RFQ
ECAD 9987 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division AZ23 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23B15 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 1 양극 양극 공통 100 na @ 11 v 15 v 30 옴
VS-6CWQ06FNTRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-6cwq06fntrpbf -
RFQ
ECAD 7429 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 6CWQ06 Schottky D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 3.5A 610 mV @ 3 a 2 ma @ 60 v -40 ° C ~ 150 ° C
VS-HFA08TB60-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-HFA08TB60-M3 0.9800
RFQ
ECAD 1826 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Hexfred® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 HFA08 기준 TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2.1 V @ 16 a 55 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a -
VS-T85HFL60S02 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-T85HFL60S02 42.8100
RFQ
ECAD 6652 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시 섀시 D-55 T- 5 T85 기준 D-55 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 200 ns 20 ma @ 600 v 85A -
VI30120C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VI30120C-M3/4W 0.8664
RFQ
ECAD 2382 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TMBS® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA VI30120 Schottky TO-262AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 120 v 15a 970 MV @ 15 a 800 µa @ 120 v -40 ° C ~ 150 ° C
BZD27B13P-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27B13P-M3-18 0.1155
RFQ
ECAD 9541 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZD27B-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 do-219ab BZD27 800MW DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 50,000 1.2 v @ 200 ma 2 µa @ 10 v 13 v 10 옴
VB30150C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VB30150C-E3/4W 0.9691
RFQ
ECAD 5827 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB VB30150 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 15a 1.36 V @ 15 a 200 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C
SB320-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB320-E3/54 0.4300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SB320 Schottky Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,400 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 490 mV @ 3 a 500 µa @ 20 v -65 ° C ~ 150 ° C 3A -
SS34HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS34HE3_A/I -
RFQ
ECAD 5826 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC SS34 Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 3 a 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
VS-16F120M Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-16F120M 11.4300
RFQ
ECAD 9884 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 16F120 기준 DO-203AA (DO-4) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1200 v 1.23 V @ 50 a 29 ns -65 ° C ~ 175 ° C 16A -
VS-MBRB3045CTR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBRB3045CTR-M3 0.8438
RFQ
ECAD 6721 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB3045 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 15a 760 mV @ 30 a 1 ma @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C
AZ23C6V8-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23C6V8-HE3-18 0.0436
RFQ
ECAD 1750 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, AZ23 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C6V8 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 양극 양극 공통 100 na @ 3 v 6.8 v 8 옴
30CPQ080 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 30cpq080 -
RFQ
ECAD 4637 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-247-3 30cpq Schottky TO-247AC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 80 v 15a 860 mV @ 15 a 550 µa @ 80 v -55 ° C ~ 175 ° C
VS-10ETF02STRR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-10etf02strr-m3 0.9834
RFQ
ECAD 4134 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 10etf02 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.2 v @ 10 a 200 ns 100 µa @ 200 v -40 ° C ~ 150 ° C 10A -
ESH2BHE3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division ESH2BHE3/5BT -
RFQ
ECAD 6523 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB ESH2 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,200 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 930 MV @ 2 a 35 ns 2 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 2A -
BYV28-050-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYV28-050-TR 0.6138
RFQ
ECAD 5339 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 SOD-64,, 방향 BYV28 눈사태 SOD-64 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 12,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.1 v @ 5 a 30 ns 1 µa @ 50 v -55 ° C ~ 175 ° C 3.5A -
1N5627GP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5627GP-E3/54 -
RFQ
ECAD 9450 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 1N5627 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,400 800 v 1 V @ 3 a 3 µs 5 µa @ 800 v -65 ° C ~ 175 ° C 3A 40pf @ 4V, 1MHz
VS-309URA160 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-309URA160 -
RFQ
ECAD 3551 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 스터드 스터드 do-205AB, do-9, 스터드 309URA160 표준, 극성 역 DO-205AB (DO-9) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 12 1600 v -40 ° C ~ 180 ° C 330a -
BZW03D12-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZW03D12-TAP -
RFQ
ECAD 8648 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZW03 테이프 & t (TB) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 SOD-64,, 방향 BZW03 1.85 w SOD-64 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 12,500 1.2 v @ 1 a 10 µa @ 9.1 v 12 v 2.5 옴
1N4247GPHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4247GPHE3/73 -
RFQ
ECAD 2735 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4247 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 600 v 1.2 v @ 1 a 1 µa @ 600 v -65 ° C ~ 160 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
BZG05C11-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C11-M3-18 0.1089
RFQ
ECAD 1383 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZG05C-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.45% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG05C11 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 8.2 v 11 v 8 옴
BAT54A-DEL-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAT54A-DEL-E3-18 -
RFQ
ECAD 8904 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - - Bat54 - - - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0070 10,000 - - - -
MMSZ5236B-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5236B-E3-18 0.0360
RFQ
ECAD 4433 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ5236 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 3 µa @ 6 v 7.5 v 6 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고