- RFQ
- Bom
- 저희에게 연락하십시오
전화 : +86-0755-83501315
- 중국인
- 영어
- 프랑스 국민
- 독일 사람
- 포르투갈 인
- 스페인 사람
- 러시아인
- 일본어
- 한국인
- 아라비아 말
- 아일랜드
- 그리스 사람
- 터키
- 이탈리아 사람
- 덴마크 말
- 루마니아 사람
- 인도네시아 인
- 체코 사람
- 아프리카 어
- 스웨덴어
- 광택
- 바스크 사람
- 카탈로니아 사람
- 에스페란토 말
- 힌디 어
- 라오
- 알바니아
- 암하라
- 아르메니아 사람
- 아제르바이잔
- 벨로루시
- 벵골 사람
- 보스니아 인
- 불가리아 사람
- 세부 노
- Chichewa
- 코르시칸
- 크로아티아
- 네덜란드 사람
- 에스토니아 사람
- 필리핀
- 핀란드
- 프리 시안
- 갈리시아어
- 그루지야 사람
- 구자라트
- 아이티 섬 사람
- 하우사
- 하와이
- 헤브라이 사람
- 몽족
- 헝가리 인
- 아이슬란드
- Igbo
- 자바어
- 칸나다어
- 카자흐
- 크메르
- 쿠르드족
- 키르기즈
- 라틴어
- 라트비아 사람
- 리투아니아 사람
- 룩셈부 ..
- 마케도니아 어
- 마다가스카르 사람
- 말레이 사람
- 말라 얄 람어
- 몰티즈
- 마오리족
- 마라 티
- 몽고 어
- 버마 사람
- 네팔
- 노르웨이 인
- 파슈토
- 페르시아 인
- 펀 자브
- 세르비아 사람
- 세소 토
- 신 할라
- 슬로바키아 사람
- 슬로베니아
- 소말리아
- 사모아
- 스코틀랜드 게 일어
- 쇼나
- 신디
- Sundanese
- 스와 할리
- 태조
- 타밀 사람
- 텔루구 어
- 태국
- 우크라이나 말
- 우르두어
- 우즈벡
- 베트남 사람
- 웨일스 말
- Xhosa
- 이디시어
- 요 루바
- 줄루 족
- Kinyarwanda
- 타타르
- 오리 야
- 투르크멘 말
- uyghur
불연속 불연속 제품 (31214)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 다이오드 다이오드 | 전압- 리버스 피크 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MBRB15H60CTHE3/45 | - |  | 3257 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MBRB15 | Schottky | TO-263AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 60 v | 7.5A | 730 MV @ 7.5 a | 50 µa @ 60 v | -65 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||
 | BZM55B3V0-TR | 0.3200 | | 2525 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, BZM55 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | 2-SMD,, 없음 | BZM55B3V0 | 500MW | 마이크로 마이크로 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 v @ 200 ma | 4 µa @ 1 v | 3 v | 600 옴 | |||||||||||||
 | BZX84B30-HE3-08 | 0.0341 | | 9199 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, BZX84 | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84B30 | 300MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 50 na @ 21 v | 30 v | 80 옴 | ||||||||||||||
 | tzx6v2a- 탭 | 0.0287 | | 3265 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, TZX | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | - | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | tzx6v2 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.5 v @ 200 ma | 1 µa @ 3 v | 6.2 v | 15 옴 | |||||||||||||
| AZ23B33-G3-08 | 0.0594 | | 1476 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | AZ23-G | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23B33 | 300MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1 양극 양극 공통 | 100 na @ 25 v | 33 v | 80 옴 | |||||||||||||
 | 1N4731A-T | - | | 9217 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | 175 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N4731 | 1.3 w | DO-41 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µa @ 1 v | 4.3 v | 400 옴 | ||||||||||||||
 | BZW03D30-TR | - | | 2440 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZW03 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | SOD-64,, 방향 | BZW03 | 1.85 w | SOD-64 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 12,500 | 1.2 v @ 1 a | 2 µa @ 21.5 v | 30 v | 8 옴 | |||||||||||||
 | MMSZ5245B-HE3_A-08 | 0.0549 | | 2471 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | 112-MMSZ5245B-HE3_A-08TR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 11 v | 15 v | 16 옴 | ||||||||||||||||
| tzx3v9c-tr | 0.2400 | | 19 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, TZX | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | TZX3V9 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 v @ 200 ma | 5 µa @ 1 v | 3.9 v | 100 옴 | |||||||||||||
| Z4KE180A-E3/73 | - | | 6396 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | Z4KE180 | 1.5 w | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 500 MA | 500 NA @ 136.8 v | 180 v | 1300 옴 | |||||||||||||
 | MMSZ5267C-G3-08 | 0.0483 | | 1342 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123 | MMSZ5267 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 na @ 56 v | 75 v | 270 옴 | ||||||||||||||
| 1N5241B 탭 | 0.2300 | | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 컷 컷 (CT) | 활동적인 | ± 5% | 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 1N5241 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 v @ 200 ma | 2 µa @ 8.4 v | 11 v | 22 옴 | |||||||||||||
 | BZX384B7V5-E3-08 | 0.2700 | | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZX384 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-76, SOD-323 | BZX384B7V5 | 200 MW | SOD-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 µa @ 1 v | 7.5 v | 15 옴 | ||||||||||||||
 | VS-36MB20A | 8.4600 | | 2451 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | QC 터미널 | 4- 스퀘어, D-34 | 36MB20 | 기준 | D-34 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 20 | 10 µa @ 200 v | 35 a | 단일 단일 | 200 v | ||||||||||||||
| 1N5257C 탭 | 0.0288 | | 5370 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 1N5257 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.1 v @ 200 ma | 100 na @ 25 v | 33 v | 58 옴 | |||||||||||||
 | TZMC47-GS18 | 0.2300 | | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, TZM | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | TZMC47 | 500MW | SOD-80 최소값 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 v @ 200 ma | 100 na @ 36 v | 47 v | 110 옴 | |||||||||||||
| MMBZ4625-E3-18 | - | | 5332 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ4625 | 350 MW | SOT-23-3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 10 µa @ 3 v | 5.1 v | 1500 옴 | ||||||||||||||
| BZT52B39-E3-18 | 0.0415 | | 3285 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZT52 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123 | BZT52B39 | 410 MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 29 v | 39 v | 50 옴 | ||||||||||||||
 | BZT55A6V8-GS18 | - | | 2479 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 1% | 175 ° C | 표면 표면 | SOD-80 변형 | BZT55 | 500MW | SOD-80 Quadromelf | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 v @ 200 ma | 100 na @ 3 v | 6.8 v | 8 옴 | |||||||||||||
| TLZ4V3C-GS08 | 0.0335 | | 6182 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | TLZ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | TLZ4V3 | 500MW | SOD-80 최소값 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 12,500 | 1.5 v @ 200 ma | 3 µa @ 1 v | 4.3 v | 40 | |||||||||||||
| AZ23C12-E3-18 | 0.0415 | | 2831 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | AZ23 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23C12 | 300MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 양극 양극 공통 | 100 na @ 9 v | 12 v | 20 옴 | |||||||||||||
| AZ23C11-E3-18 | 0.0415 | | 8899 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | AZ23 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23C11 | 300MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 양극 양극 공통 | 100 na @ 8.5 v | 11 v | 20 옴 | |||||||||||||
| BZX84B51-HE3-18 | 0.0341 | | 1380 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, BZX84 | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84B51 | 300MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 50 na @ 35.7 v | 51 v | 180 옴 | ||||||||||||||
| BZX384C56-E3-18 | 0.0324 | | 2306 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZX384 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-76, SOD-323 | BZX384C56 | 200 MW | SOD-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 50 NA @ 39.2 v | 56 v | 200 옴 | ||||||||||||||
 | V15PL50-M3/87A | 0.5226 | | 1879 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-277, 3-powerdfn | V15PL50 | Schottky | TO-277A (SMPC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 50 v | 570 mV @ 15 a | 800 µa @ 50 v | -40 ° C ~ 150 ° C | 6A | - | ||||||||||||
| MMBZ5257B-G3-18 | - | | 6822 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5257 | 225 MW | SOT-23-3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 25 v | 33 v | 58 옴 | ||||||||||||||
| BZT52C9V1-E3-18 | 0.0360 | | 9609 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZT52 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123 | BZT52C9V1 | 410 MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 7 v | 9.1 v | 4.8 옴 | ||||||||||||||
| BZX384B8V2-G3-08 | 0.0445 | | 6311 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZX384-G | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-76, SOD-323 | BZX384B8V2 | 200 MW | SOD-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 700 na @ 5 v | 8.2 v | 15 옴 | ||||||||||||||
| GDZ20B-HG3-18 | 0.0523 | | 6986 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, GDZ-G | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-76, SOD-323 | GDZ20 | 200 MW | SOD-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 15 v | 20 v | 85 옴 | ||||||||||||||
 | SMPZ3933B-M3/85A | 0.0888 | | 7140 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | ESMP® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-220AA | SMPZ3933 | 500MW | DO-220AA (SMP) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 v @ 200 ma | 500 NA @ 16.7 v | 22 v | 17 옴 |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
위시리스트 (0 항목)