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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BZG03B75TR3 | - |  | 9050 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, BZG03B | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 2% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | BZG03 | 1.25 w | DO-214AC | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 v @ 500 ma | 1 µa @ 56 v | 75 v | 100 옴 | ||||||||||||
 | MBRB16H60HE3_B/I | 0.7920 | | 6600 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MBRB16 | Schottky | TO-263AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 60 v | 730 MV @ 16 a | 100 µa @ 60 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 16A | - | ||||||||||
 | BZX584C5V1-VG-08 | - | | 9977 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZX584C-VG | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-79, SOD-523 | BZX584C | 200 MW | SOD-523 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 2 µa @ 2 v | 5.1 v | 60 옴 | ||||||||||||
 | tzx4v3b-tr | 0.2400 | | 29 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, TZX | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | TZX4V3 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 v @ 200 ma | 5 µa @ 1.5 v | 4.3 v | 100 옴 | |||||||||||
| vbt6045cbp-e3/8w | 2.9000 | | 6165 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | TMBS® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | vbt6045 | Schottky | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 45 v | 30A | 640 mV @ 30 a | 3 ma @ 45 v | 200 ° C (() | ||||||||||
 | BZG05B47-HM3-08 | 0.2079 | | 8684 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, BZG05B-M | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | BZG05B47 | 1.25 w | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 36 v | 47 v | 90 옴 | |||||||||||
| byg10m-e3/tr | 0.3900 | | 99 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | byg10 | 눈사태 | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 짐 | 1000 v | 1.15 V @ 1.5 a | 4 µs | 1 µa @ 1000 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5A | - | |||||||||
 | BAT54C-E3-08 | 0.3200 | | 17 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bat54 | Schottky | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 1 음극 음극 공통 | 30 v | 200MA (DC) | 800 mv @ 100 ma | 5 ns | 2 µa @ 25 v | 125 ° C (°) | |||||||||
| egf1ahe3_a/i | - | | 1917 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, Superectifier® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | DO-214BA | EGF1 | 기준 | DO-214BA (GF1) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 50 v | 1 V @ 1 a | 50 ns | 5 µa @ 50 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
| BZX55B30-TR | 0.2200 | | 9644 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, BZX55 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | BZX55B30 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 v @ 200 ma | 100 na @ 22 v | 30 v | 80 옴 | |||||||||||
 | MMSZ5234B-G3-18 | 0.0409 | | 6892 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123 | MMSZ5234 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 5 µa @ 4 v | 6.2 v | 7 옴 | ||||||||||||
| MMSZ5239B-E3-18 | 0.0360 | | 1136 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123 | MMSZ5239 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 3 µa @ 7 v | 9.1 v | 10 옴 | ||||||||||||
 | AR1PG-M3/85A | 0.1205 | | 4786 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | ESMP® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-220AA | AR1 | 눈사태 | DO-220AA (SMP) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 400 v | 1.25 V @ 1 a | 140 ns | 1 µa @ 400 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 12.5pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
| BZG05B68-E3-TR3 | - | | 1140 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZG05B | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 2% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | BZG05 | 1.25 w | DO-214AC | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 v @ 200 ma | 500 NA @ 51 v | 68 v | 130 옴 | ||||||||||||
 | TLZ11C-GS18 | 0.0335 | | 6147 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | TLZ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | TLZ11 | 500MW | SOD-80 최소값 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 v @ 200 ma | 40 na @ 10.28 v | 11 v | 10 옴 | |||||||||||
 | BZW03D33-TR | - | | 9286 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZW03 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | SOD-64,, 방향 | BZW03 | 1.85 w | SOD-64 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 12,500 | 1.2 v @ 1 a | 2 µa @ 23.5 v | 33 v | 10 옴 | |||||||||||
 | SMBZ5920B-M3/5B | 0.1906 | | 8192 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | SMBZ5920 | 550 MW | DO-214AA (SMBJ) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,200 | 1.5 v @ 200 ma | 200 µa @ 4 v | 6.2 v | 2 옴 | |||||||||||
 | GDZ13B-HG3-18 | 0.0523 | | 2706 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, GDZ-G | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-76, SOD-323 | GDZ13 | 200 MW | SOD-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 10 v | 13 v | 30 옴 | ||||||||||||
| TZM5240F-GS18 | - | | 7415 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | TZM5240 | 500MW | SOD-80 최소값 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 v @ 200 ma | 3 µa @ 8 v | 10 v | 600 옴 | ||||||||||||
| 1N5242B 탭 | 0.2300 | | 10 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 컷 컷 (CT) | 활동적인 | ± 5% | 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 1N5242 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 v @ 200 ma | 1 µa @ 9.1 v | 12 v | 30 옴 | |||||||||||
| GDZ24B-HG3-08 | 0.0523 | | 1292 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, GDZ-G | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-76, SOD-323 | GDZ24 | 200 MW | SOD-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 na @ 19 v | 24 v | 120 옴 | ||||||||||||
| MMSZ5252C-HE3-18 | 0.0454 | | 8858 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123 | MMSZ5252 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 18 v | 24 v | 33 옴 | ||||||||||||
 | VS-U5FH60FA120 | 22.5300 | | 160 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | pt® | 튜브 | 활동적인 | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | VS-U5FH | 기준 | SOT-227 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 112-VS-U5FH60FA120 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 2 독립 | 1200 v | 30A (DC) | 2.5 V @ 30 a | 54 ns | 60 µa @ 1200 v | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||
| 1N5260C 탭 | 0.0288 | | 7629 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 1N5260 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.1 v @ 200 ma | 100 na @ 33 v | 43 v | 93 옴 | |||||||||||
| GDZ5V1B-HG3-18 | 0.0451 | | 4791 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, GDZ-G | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-76, SOD-323 | GDZ5V1 | 200 MW | SOD-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 2 µa @ 1 v | 5.1 v | 100 옴 | ||||||||||||
| MMSZ4714-HE3-18 | 0.0378 | | 9599 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123 | MMSZ4714 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 10 na @ 25 v | 33 v | |||||||||||||
| tzx24b-tr | 0.2300 | | 30 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, TZX | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | TZX24 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 v @ 200 ma | 1 µa @ 19 v | 24 v | 70 옴 | |||||||||||
| SX073H045S4pt | - | | 1449 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | 표면 표면 | 주사위 | SX073 | Schottky | 주사위 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 45 v | 630 MV @ 7.5 a | 50 µa @ 45 v | -65 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||
| BZX84B16-HE3_A-08 | 0.0498 | | 2606 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, BZX84 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300MW | SOT-23-3 | 다운로드 | 112-BZX84B16-HE3_A-08TR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 50 NA @ 11.2 v | 16 v | 40 | |||||||||||||||
| BZW03D270-TAP | - | | 3314 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZW03 | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | SOD-64,, 방향 | BZW03 | 1.85 w | SOD-64 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 12,500 | 1.2 v @ 1 a | 2 µa @ 194 v | 270 v | 1200 옴 |
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