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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
BAT54C-BO-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAT54C-BO-G3-18 -
RFQ
ECAD 2269 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bat54 Schottky SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 음극 음극 공통 30 v 200MA (DC) 800 mv @ 100 ma 5 ns 2 µa @ 25 v 125 ° C (°)
1N4005GP-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4005GP-M3/73 -
RFQ
ECAD 6730 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4005 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 600 v 1.1 v @ 1 a 5 µa @ 600 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
S07D-M-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division S07D-M-18 0.1016
RFQ
ECAD 6748 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab S07 기준 DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50,000 200 v 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 700ma 4pf @ 4V, 1MHz
VIT1060CHM3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VIT1060CHM3/4W -
RFQ
ECAD 7849 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TMBS® 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA VIT1060 Schottky TO-262AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 5a 700 mv @ 5 a 700 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C
S3JHE3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division S3JHE3/9AT -
RFQ
ECAD 2691 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AB, SMC S3J 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 600 v 1.15 V @ 2.5 a 2.5 µs 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
GIB1402-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GIB1402-E3/45 0.6141
RFQ
ECAD 6023 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB GIB1402 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 975 MV @ 8 a 35 ns 5 µa @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C 8a -
UH3DHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division uh3dhe3_a/i -
RFQ
ECAD 5603 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC uh3 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.05 V @ 3 a 40 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 3A -
VS-MURB1620CTPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-murb1620ctpbf -
RFQ
ECAD 4084 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, FRED PT® 튜브 sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB murb1620 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 8a 975 MV @ 8 a 35 ns 5 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C
VS-HFA16TA60C-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-HFA16TA60C-M3 1.2100
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Hexfred® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 HFA16 기준 TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 600 v 8a 2.1 V @ 16 a 55 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C
SMZJ3809BHM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMZJ3809BHM3_A/H 0.1815
RFQ
ECAD 1310 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB SMZJ3809 1.5 w DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 750 5 µa @ 51.7 v 68 v 120 옴
MBRB3045CTHE3_B/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB3045Cthe3_B/P 0.9570
RFQ
ECAD 1758 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB3045 Schottky TO-263AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 15a 600 mV @ 20 a 1 ma @ 45 v -65 ° C ~ 150 ° C
BYV26EGPHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division byv26egphe3/54 -
RFQ
ECAD 7326 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 BYV26 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 2.5 V @ 1 a 75 ns 5 µa @ 1000 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
VS-30BQ100GPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30BQ100GPBF -
RFQ
ECAD 4944 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 표면 표면 DO-214AB, SMC 30BQ100 Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) VS30BQ100GPBF 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 790 MV @ 3 a 100 @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 3A 115pf @ 5V, 1MHz
MMBZ5240B-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5240B-HE3-18 -
RFQ
ECAD 5903 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5240 225 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 3 µa @ 8 v 10 v 17 옴
MMBZ5240C-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5240C-G3-18 -
RFQ
ECAD 1374 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5240 225 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 3 µa @ 8 v 10 v 17 옴
TZQ5226B-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZQ5226B-GS18 0.2300
RFQ
ECAD 83 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SOD-80 변형 TZQ5226 500MW SOD-80 Quadromelf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 25 µa @ 1 v 3.3 v 28 옴
Z47-BO123-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Z47-BO123-E3-08 -
RFQ
ECAD 3035 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 3,000
MMSZ5255C-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5255C-G3-18 0.0483
RFQ
ECAD 1120 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ5255 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 21 v 28 v 44 옴
VS-KBPC610PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-kbpc610pbf 3.5600
RFQ
ECAD 259 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division VS-KBPC6 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, D-72 KBPC610 기준 D-72 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1.2 v @ 3 a 10 µa @ 1000 v 6 a 단일 단일 1kv
GP10-4002-E3S/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10-4002-E3S/73 -
RFQ
ECAD 3314 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 GP10 기준 DO-204AL (DO-41) - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 100 v 1.1 v @ 1 a 3 µs 5 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
VF20202G-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VF20202G-M3/4W 0.9031
RFQ
ECAD 8036 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 VF20202 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 10A 920 MV @ 10 a 150 µa @ 200 v -40 ° C ~ 175 ° C
VS-12TQ045-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-12TQ045-N3 -
RFQ
ECAD 8068 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 12TQ045 Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VS-12TQ045-N3GI 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 710 MV @ 30 a 1.75 ma @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C 15a 900pf @ 5V, 1MHz
VLZ4V7C-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ4V7C-GS18 -
RFQ
ECAD 4406 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, VLZ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SOD-80 변형 VLZ4V7 500MW SOD-80 Quadromelf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 3 µa @ 2 v 4.81 v 25 옴
VB60170G-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VB60170G-E3/4W 3.7000
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB VB60170 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 170 v 30A 1.02 V @ 30 a 450 µa @ 170 v -40 ° C ~ 175 ° C
VS-30CPQ060-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30CPQ060-N3 3.0600
RFQ
ECAD 165 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 30cpq060 Schottky TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VS-30CPQ060-N3GI 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 30A 800 mV @ 30 a 800 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C
UH6PJ-M3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division uh6pj-m3/87a -
RFQ
ECAD 9880 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn UH6 기준 TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 3 v @ 6 a 45 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 6A -
SML4748AHE3/5A Vishay General Semiconductor - Diodes Division sml4748ahe3/5a -
RFQ
ECAD 8109 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA SML4748 1 W. DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 5 µa @ 16.7 v 22 v 23 옴
G3SBA60L-6088E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G3SBA60L-6088E3/51 -
RFQ
ECAD 6354 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU G3SBA60 기준 GBU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 1 1 V @ 2 a 5 µa @ 600 v 2.3 a 단일 단일 600 v
G3SBA60L-5703E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G3SBA60L-5703E3/51 -
RFQ
ECAD 1575 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU G3SBA60 기준 GBU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 1 1 V @ 2 a 5 µa @ 600 v 2.3 a 단일 단일 600 v
BY399P-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division by399p-e3/54 -
RFQ
ECAD 1490 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 by399 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,400 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.25 V @ 3 a 500 ns 10 µa @ 800 v -50 ° C ~ 125 ° C 3A 28pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고