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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
MMSZ4689-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ4689-HE3_A-08 0.0533
RFQ
ECAD 2898 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 500MW SOD-123 다운로드 112-MMSZ4689-HE3_A-08TR 귀 99 8541.10.0050 15,000 900 mV @ 10 ma 10 µa @ 3 v 5.1 v
VS-30APF04PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30APF04PBF -
RFQ
ECAD 6523 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-247-3 30APF04 Schottky TO-247AC - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VS30APF04PBF 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.41 V @ 30 a 100 µa @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C 30A -
TLZ13C-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TLZ13C-GS08 0.2500
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TLZ 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TLZ13 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.5 v @ 200 ma 40 NA @ 12.3 v 13 v 14 옴
UG2B-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UG2B-E3/54 0.4300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 UG2 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 950 MV @ 2 a 25 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
SML4729-E3/61 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SML4729-E3/61 -
RFQ
ECAD 8564 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA SML4729 1 W. DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 100 µa @ 1 v 3.6 v 10 옴
S8CG-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division S8CG-M3/I 0.2723
RFQ
ECAD 2288 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC S8CG 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 400 v 985 MV @ 8 a 4 µs 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a 79pf @ 4v, 1MHz
AZ23B10-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23B10-G3-18 0.0594
RFQ
ECAD 7213 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division AZ23-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23B10 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 양극 양극 공통 100 na @ 7.5 v 10 v 15 옴
VIT3060CHM3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VIT3060CHM3/4W -
RFQ
ECAD 9067 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TMBS® 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA VIT3060 Schottky TO-262AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 15a 700 mV @ 15 a 1.2 ma @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C
VT10202C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VT10202C-M3/4W 0.7755
RFQ
ECAD 5750 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 VT10202 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 5a 880 mV @ 5 a 150 µa @ 200 v -55 ° C ~ 125 ° C
BYM12-300HE3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYM12-300HE3/97 -
RFQ
ECAD 2405 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 do-213ab, melf (유리) BYM12 기준 do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.25 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 300 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 14pf @ 4V, 1MHz
BYT56M-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYT56M-TAP 1.1500
RFQ
ECAD 477 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 SOD-64,, 방향 BYT56 눈사태 SOD-64 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.4 V @ 3 a 100 ns 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 175 ° C 3A -
VS-MBRB2045CTTRLP Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-mbrb2045cttrlp -
RFQ
ECAD 5185 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB20 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vsmbrb2045cttrlp 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 10A 570 mV @ 10 a 100 µa @ 45 v -65 ° C ~ 150 ° C
SX110H060S4PU Vishay General Semiconductor - Diodes Division SX110H060S4PU -
RFQ
ECAD 5280 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 표면 표면 주사위 SX110 Schottky 주사위 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 6.8 V @ 15 a 60 @ 60 v -65 ° C ~ 175 ° C
VS-8EWF12S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8EWF12S-M3 3.3300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 8ewf12 기준 TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs8ewf12sm3 귀 99 8541.10.0080 75 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1200 v 1.3 V @ 8 a 270 ns 100 µa @ 1200 v -40 ° C ~ 150 ° C 8a -
UH4PBCHM3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division uh4pbchm3/87a -
RFQ
ECAD 3787 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn uh4 기준 TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 2A 1.05 V @ 2 a 25 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C
V15KM60CHM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division V15km60CHM3/H 0.9700
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 8-powertdfn Schottky Flatpak (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 5.1A 630 MV @ 7.5 a 900 µa @ 60 v -40 ° C ~ 175 ° C
BZW03C16-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZW03C16-TR -
RFQ
ECAD 3748 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZW03 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 SOD-64,, 방향 BZW03 1.85 w SOD-64 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 12,500 1.2 v @ 1 a 2 µa @ 12 v 16 v 1.3
BYG24GHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYG24GHM3_A/I 0.1815
RFQ
ECAD 7943 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA BYG24 눈사태 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.25 V @ 1.5 a 140 ns 1 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A -
VS-30WQ03FNPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30WQ03FNPBF -
RFQ
ECAD 1220 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 30WQ03 Schottky D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 75 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 450 mV @ 3 a 2 ma @ 30 v -40 ° C ~ 150 ° C 3.5a 290pf @ 5V, 1MHz
VS-16CTU04-1-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-16CTU04-1-M3 1.1300
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA 16ctu04 기준 TO-262AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 400 v 8a 1.3 V @ 8 a 60 ns 10 µa @ 400 v -65 ° C ~ 175 ° C
SS2FN6HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss2fn6hm3/i 0.0762
RFQ
ECAD 3877 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SS2FN6 Schottky DO-219AB (SMF) 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 600 mV @ 2 a 900 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 100pf @ 4V, 1MHz
MBRB1660HE3_B/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB1660HE3_B/I 0.9567
RFQ
ECAD 7481 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB1660 Schottky TO-263AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 750 mV @ 16 a 1 ma @ 60 v -65 ° C ~ 150 ° C 16A -
SS10P6HM3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS10P6HM3/86A -
RFQ
ECAD 3593 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn SS10P6 Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 550 mV @ 7 a 150 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 7a -
SS3P6HE3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS3P6HE3/84A -
RFQ
ECAD 3307 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q100, ESMP® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-220AA SS3P6 Schottky DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 780 mv @ 3 a 100 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 80pf @ 4V, 1MHz
V20PWM63C-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v20pwm63c-m3/i 0.4142
RFQ
ECAD 4264 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 Schottky Slimdpak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 112-V20PWM63C-M3/ITR 귀 99 8541.10.0080 4,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 10A 660 mV @ 10 a 20 µa @ 60 v -40 ° C ~ 175 ° C
BZG05C22-HM3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C22-HM3-18 0.1172
RFQ
ECAD 6827 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZG05C-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.68% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG05C22 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 200 ma 500 na @ 16 v 22 v 25 옴
BZD27B62P-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27B62P-E3-18 0.1155
RFQ
ECAD 4609 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZD27B 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 do-219ab BZD27B62 800MW DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 50,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 47 v 62 v 80 옴
BZT52B3V0-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B3V0-HE3_A-08 0.0533
RFQ
ECAD 6650 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZT52 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 300MW SOD-123 다운로드 112-BZT52B3V0-HE3_A-08TR 귀 99 8541.10.0050 15,000 10 µa @ 1 v 3 v 95 옴
SE40PGHM3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division Se40pghm3/87a -
RFQ
ECAD 2685 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn SE40 기준 TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6,500 400 v 1.05 V @ 4 a 2.2 µs 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C 2.4a 28pf @ 4V, 1MHz
BZX84C12-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84C12-E3-08 0.2300
RFQ
ECAD 19 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZX84 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C12 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 8 v 12 v 25 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고