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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
BZM55C56-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZM55C56-TR 0.2800
RFQ
ECAD 6141 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZM55 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 2-SMD,, 없음 BZM55C56 500MW 마이크로 마이크로 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 43 v 56 v 1000 옴
VS-ETU1506S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ETU1506S-M3 1.6000
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 대부분 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB ETU1506 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.9 V @ 15 a 40 ns 15 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 15a -
FEPB6DTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division fepb6dthe3/45 -
RFQ
ECAD 1568 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB fepb6 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 6A 975 MV @ 3 a 35 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C
V15P8-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division V15P8-M3/86A 0.8500
RFQ
ECAD 30 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn v15p8 Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 80 v 660 mV @ 15 a 1.2 ma @ 80 v -40 ° C ~ 150 ° C 4.6a -
V15PM63HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division v15pm63hm3/h 0.8200
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 660 mV @ 15 a 35 µa @ 60 v -40 ° C ~ 175 ° C 4.6a 2700pf @ 4V, 1MHz
VS-GB55NA120UX Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB55NA120UX -
RFQ
ECAD 6073 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Hexfred® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 GB55 431 w 기준 SOT-227 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 160 하나의 NPT 1200 v 84 a 50 µA 아니요
GDZ13B-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GDZ13B-HE3-18 0.0378
RFQ
ECAD 9963 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, GDZ 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 4% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 GDZ13 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 10 v 13 v 37 옴
TZM5256C-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM5256C-GS18 -
RFQ
ECAD 1580 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TZM5256 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 23 v 30 v 49 옴
SE07PG-M3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE07PG-M3/84A 0.0696
RFQ
ECAD 8526 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-220AA SE07 기준 DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 400 v 1.05 V @ 700 ma 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C 700ma 5pf @ 4V, 1MHz
VS-80-7383 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-80-7383 -
RFQ
ECAD 2483 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 마지막으로 마지막으로 80-7383 - 112-VS-80-7383 1
VS-16EDH06-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-16EDH06-M3/I 1.1900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²Pak (2 리드 + 탭) 변형 기준 TO-263AC (SMPD) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2.15 V @ 16 a 30 ns 20 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 16A -
GBPC2506-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBPC2506-E4/51 5.2000
RFQ
ECAD 7800 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 상자 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, GBPC GBPC2506 기준 GBPC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 12.5 a 5 µa @ 600 v 25 a 단일 단일 600 v
GDZ16B-HG3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GDZ16B-HG3-08 0.0523
RFQ
ECAD 1485 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, GDZ-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 GDZ16 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 100 na @ 12 v 16 v 50 옴
TZX5V6D-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division tzx5v6d-tr 0.2300
RFQ
ECAD 20 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TZX 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 TZX5V6 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 5 µa @ 2 v 5.6 v 40
V30DL45HM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v30dl45hm3_a/i 1.0814
RFQ
ECAD 2636 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²Pak (2 리드 + 탭) 변형 v30dl45 Schottky TO-263AC (SMPD) 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 650 mV @ 30 a 3 ma @ 45 v -40 ° C ~ 150 ° C 30A -
VS-MURB1520-1PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-murb1520-1pbf -
RFQ
ECAD 5199 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA murb1520 기준 TO-262-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.05 V @ 15 a 22 ns 10 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C 15a -
UGB10BCTHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division ugb10bcthe3_a/i -
RFQ
ECAD 5346 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 기준 TO-263AB 다운로드 영향을받지 영향을받지 112-ugb10bcthe3_a/itr 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 5a 1.1 v @ 5 a 25 ns 10 µa @ 100 v -40 ° C ~ 150 ° C
BZX85C47-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX85C47-TR 0.0475
RFQ
ECAD 1422 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZX85 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 BZX85C47 1.3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 25,000 500 na @ 36 v 47 v 90 옴
VS-VSKJS409/150 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKJS409/150 87.7100
RFQ
ECAD 9753 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시 섀시 Add-A-Pak (3) VSKJS409 Schottky Add-a-Pak® 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VSVSKJS409150 귀 99 8541.10.0080 10 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 150 v 200a 1.03 V @ 200 a 6 ma @ 150 v -55 ° C ~ 175 ° C
VS-C4ZU6006FP-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-C4ZU6006FP-M3 2.7600
RFQ
ECAD 3952 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-3pf C4ZU6006 기준 to-3pf - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 112-VS-C4ZU6006FP-M3 귀 99 8541.10.0080 30 1 음극 음극 공통 600 v 30A 1.97 V @ 50 a 70 ns 50 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C
VS-MBRD330TRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-mbrd330trl-m3 0.2764
RFQ
ECAD 1760 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MBRD330 Schottky D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vsmbrd330trlm3 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 600 mV @ 3 a 200 µa @ 20 v -40 ° C ~ 150 ° C 3A 189pf @ 5V, 1MHz
BZT55A13-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT55A13-GS08 -
RFQ
ECAD 1177 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 1% 175 ° C 표면 표면 SOD-80 변형 BZT55 500MW SOD-80 Quadromelf - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 10 v 13 v 26 옴
GBU6JL-6131E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU6JL-6131E3/51 -
RFQ
ECAD 4057 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU6 기준 GBU - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 1 1 V @ 6 a 5 µa @ 600 v 3.8 a 단일 단일 600 v
V3PM6-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division v3pm6-m3/h 0.3700
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-220AA v3pm6 Schottky DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 500 mV @ 1.5 a 200 µa @ 60 v -40 ° C ~ 175 ° C 2.4a 400pf @ 4V, 1MHz
MBRF30H60CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division mbrf30h60cthe3/45 -
RFQ
ECAD 5835 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 MBRF30 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 15a 680 mV @ 15 a 60 @ 60 v -65 ° C ~ 175 ° C
SE10DLJ-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division se10dlj-m3/i 0.5280
RFQ
ECAD 9390 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²Pak (2 리드 + 탭) 변형 기준 TO-263AC (SMPD) 다운로드 영향을받지 영향을받지 112-se10dlj-m3/itr 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1 V @ 10 a 280 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 3.6a 70pf @ 4V, 1MHz
SML4764HE3/61 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SML4764HE3/61 -
RFQ
ECAD 7385 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA SML4764 1 W. DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 5 µa @ 76 v 100 v 350 옴
MBRB10H60HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB10H60HE3/45 -
RFQ
ECAD 3584 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB10 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 710 MV @ 10 a 100 µa @ 60 v -65 ° C ~ 175 ° C 10A -
BZX84C11-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84C11-E3-08 0.2300
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZX84 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C11 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 8 v 11 v 20 옴
VS-VSKD270-30PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKD270-30PBF 208.9800
RFQ
ECAD 9192 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3-MAGN-A-PAK ™ VSKD270 기준 Magn-A-Pak® 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vsvskd27030pbf 귀 99 8541.10.0080 2 1 음극 음극 공통 3000 v 135a 50 ma @ 3000 v -40 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고