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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
V1FM12HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v1fm12hm3/i 0.0651
RFQ
ECAD 2753 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab V1FM12 Schottky DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 112-V1FM12HM3/ITR 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 120 v 870 mv @ 1 a 65 µa @ 120 v -40 ° C ~ 175 ° C 1A 95pf @ 4V, 1MHz
VS-VSKD600-12PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKD600-12PBF 388.7300
RFQ
ECAD 7637 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시 섀시 Super Magn-A-Pak VSKD600 기준 Super Magn-A-Pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vsvskd60012pbf 귀 99 8541.10.0080 1 1 음극 음극 공통 1200 v 300A 50 ma @ 1200 v -40 ° C ~ 150 ° C
VS-MURB1620CTLHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-murb1620ctlhm3 2.0000
RFQ
ECAD 800 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, FRED PT® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB murb1620 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 8a 975 MV @ 8 a 20 ns 250 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C
V10DM60CHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v10dm60chm3/i 0.5231
RFQ
ECAD 5902 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²Pak (2 리드 + 탭) 변형 v10dm60 Schottky TO-263AC (SMPD) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 5a 660 mV @ 5 a 250 µa @ 60 v -40 ° C ~ 175 ° C
VS-30BQ100GPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30BQ100GPBF -
RFQ
ECAD 4944 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 표면 표면 DO-214AB, SMC 30BQ100 Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) VS30BQ100GPBF 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 790 MV @ 3 a 100 @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 3A 115pf @ 5V, 1MHz
VS-MURB1620CTPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-murb1620ctpbf -
RFQ
ECAD 4084 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, FRED PT® 튜브 sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB murb1620 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 8a 975 MV @ 8 a 35 ns 5 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C
VS-UFB60FA60P Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-UFB60FA60p -
RFQ
ECAD 5799 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 UFB60 기준 SOT-227 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) VSUFB60FA60p 귀 99 8541.10.0080 180 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2 독립 600 v 44A 1.69 V @ 30 a 118 ns 100 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C
V50100PW-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V50100pw-M3/4W -
RFQ
ECAD 7629 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 v50100 Schottky TO-3PW 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 25A 840 mV @ 25 a 1 ma @ 100 v -40 ° C ~ 150 ° C
G3SBA60L-6088E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G3SBA60L-6088E3/51 -
RFQ
ECAD 6354 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU G3SBA60 기준 GBU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 1 1 V @ 2 a 5 µa @ 600 v 2.3 a 단일 단일 600 v
G3SBA60L-5703E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G3SBA60L-5703E3/51 -
RFQ
ECAD 1575 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU G3SBA60 기준 GBU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 1 1 V @ 2 a 5 µa @ 600 v 2.3 a 단일 단일 600 v
SSA33L-M3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division SSA33L-M3/5AT 0.4400
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA SSA33 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 450 mV @ 3 a 500 µa @ 30 v -65 ° C ~ 150 ° C 3A -
1N4007GP-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4007GP-E3/53 -
RFQ
ECAD 3639 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4007 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 1000 v 1.1 v @ 1 a 2 µs 5 µa @ 1000 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
BY399P-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division by399p-e3/54 -
RFQ
ECAD 1490 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 by399 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,400 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.25 V @ 3 a 500 ns 10 µa @ 800 v -50 ° C ~ 125 ° C 3A 28pf @ 4V, 1MHz
1N4005GP-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4005GP-M3/73 -
RFQ
ECAD 6730 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4005 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 600 v 1.1 v @ 1 a 5 µa @ 600 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
VS-12CTQ045STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-12CTQ045STRL-M3 1.4500
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 12ctq045 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 6A 600 mV @ 6 a 800 µa @ 45 v -55 ° C ~ 175 ° C
V40100GHM3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V40100GHM3/4W -
RFQ
ECAD 4444 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 V40100 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 20A 810 mV @ 20 a 500 µa @ 100 v -40 ° C ~ 150 ° C
TZMC4V3-M-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZMC4V3-M-18 0.0324
RFQ
ECAD 7776 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TZM-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 Tzmc4v3 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 1 v 4.3 v 90 옴
VS-20TQ040SPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20TQ040SPBF -
RFQ
ECAD 7195 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 20TQ040 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs20tq040spbf 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 570 mV @ 20 a 2.7 ma @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 20A 1400pf @ 5V, 1MHz
V12P12-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division V12P12-M3/86A 0.9100
RFQ
ECAD 39 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn v12p12 Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 120 v 800 mV @ 12 a 500 µa @ 120 v -40 ° C ~ 150 ° C 12a -
BYM13-60HE3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYM13-60HE3/96 -
RFQ
ECAD 8587 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AB, MELF bym13 Schottky GL41 (DO-213AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 BYM13-60HE3_A/H 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 700 mv @ 1 a 500 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 80pf @ 4V, 1MHz
UGB10GCTHE3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ugb10gcthe3/81 -
RFQ
ECAD 2580 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB UGB10 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 ugb10gcthe3_a/i 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 400 v 5a 1.3 V @ 5 a 50 ns 10 µa @ 400 v -40 ° C ~ 150 ° C
EGL34C-E3/98 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGL34C-E3/98 0.1513
RFQ
ECAD 7970 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AA (유리) EGL34 기준 DO-213AA (GL34) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 1.25 V @ 500 ma 50 ns 5 µa @ 150 v -65 ° C ~ 175 ° C 500ma -
SD103BWS-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SD103BWS-G3-18 0.0646
RFQ
ECAD 6466 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-76, SOD-323 SD103 Schottky SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 600 mv @ 200 ma 10 ns 5 µa @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C 350ma 50pf @ 0V, 1MHz
MBRB20H60CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB20H60CTHE3/45 -
RFQ
ECAD 1186 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB20 Schottky TO-263AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 10A 710 MV @ 10 a 100 µa @ 60 v -65 ° C ~ 175 ° C
VS-KBPC610PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-kbpc610pbf 3.5600
RFQ
ECAD 259 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division VS-KBPC6 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, D-72 KBPC610 기준 D-72 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1.2 v @ 3 a 10 µa @ 1000 v 6 a 단일 단일 1kv
VBT1080C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VBT1080C-E3/4W 0.5115
RFQ
ECAD 2948 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB vbt1080 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 80 v 5a 720 MV @ 5 a 400 µa @ 80 v -55 ° C ~ 150 ° C
VS-12TQ045-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-12TQ045-N3 -
RFQ
ECAD 8068 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 12TQ045 Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VS-12TQ045-N3GI 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 710 MV @ 30 a 1.75 ma @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C 15a 900pf @ 5V, 1MHz
BYVB32-100HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYVB32-100HE3_A/I 0.9405
RFQ
ECAD 2695 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB BYVB32 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 18a 1.15 V @ 20 a 25 ns 10 µa @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C
VLZ4V7C-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ4V7C-GS18 -
RFQ
ECAD 4406 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, VLZ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SOD-80 변형 VLZ4V7 500MW SOD-80 Quadromelf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 3 µa @ 2 v 4.81 v 25 옴
P600B-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division P600B-E3/73 1.1800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 p600, 축, P600 기준 P600 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 300 100 v 900 mV @ 6 a 2.5 µs 5 µa @ 100 v -50 ° C ~ 150 ° C 6A 150pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고