전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 속도 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 다이오드 다이오드 | 전압- 리버스 피크 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | v1fm12hm3/i | 0.0651 | ![]() | 2753 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | do-219ab | V1FM12 | Schottky | DO-219AB (SMF) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 112-V1FM12HM3/ITR | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 120 v | 870 mv @ 1 a | 65 µa @ 120 v | -40 ° C ~ 175 ° C | 1A | 95pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | VS-VSKD600-12PBF | 388.7300 | ![]() | 7637 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | 섀시 섀시 | Super Magn-A-Pak | VSKD600 | 기준 | Super Magn-A-Pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | vsvskd60012pbf | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 짐 | 1 음극 음극 공통 | 1200 v | 300A | 50 ma @ 1200 v | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||
![]() | vs-murb1620ctlhm3 | 2.0000 | ![]() | 800 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, FRED PT® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | murb1620 | 기준 | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 200 v | 8a | 975 MV @ 8 a | 20 ns | 250 µa @ 200 v | -65 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||
![]() | v10dm60chm3/i | 0.5231 | ![]() | 5902 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²Pak (2 리드 + 탭) 변형 | v10dm60 | Schottky | TO-263AC (SMPD) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 60 v | 5a | 660 mV @ 5 a | 250 µa @ 60 v | -40 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||
![]() | VS-30BQ100GPBF | - | ![]() | 4944 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 쓸모없는 | 표면 표면 | DO-214AB, SMC | 30BQ100 | Schottky | DO-214AB (SMC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | VS30BQ100GPBF | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 790 MV @ 3 a | 100 @ 100 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 3A | 115pf @ 5V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | vs-murb1620ctpbf | - | ![]() | 4084 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, FRED PT® | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | murb1620 | 기준 | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 200 v | 8a | 975 MV @ 8 a | 35 ns | 5 µa @ 200 v | -65 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||
![]() | VS-UFB60FA60p | - | ![]() | 5799 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 쓸모없는 | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | UFB60 | 기준 | SOT-227 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | VSUFB60FA60p | 귀 99 | 8541.10.0080 | 180 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 2 독립 | 600 v | 44A | 1.69 V @ 30 a | 118 ns | 100 µa @ 600 v | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||
V50100pw-M3/4W | - | ![]() | 7629 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | TMBS® | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3 p 팩 | v50100 | Schottky | TO-3PW | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 100 v | 25A | 840 mV @ 25 a | 1 ma @ 100 v | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||
![]() | G3SBA60L-6088E3/51 | - | ![]() | 6354 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, GBU | G3SBA60 | 기준 | GBU | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 2 a | 5 µa @ 600 v | 2.3 a | 단일 단일 | 600 v | ||||||||||||||
![]() | G3SBA60L-5703E3/51 | - | ![]() | 1575 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, GBU | G3SBA60 | 기준 | GBU | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 2 a | 5 µa @ 600 v | 2.3 a | 단일 단일 | 600 v | ||||||||||||||
![]() | SSA33L-M3/5AT | 0.4400 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | SSA33 | Schottky | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 30 v | 450 mV @ 3 a | 500 µa @ 30 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||||
![]() | 1N4007GP-E3/53 | - | ![]() | 3639 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Superectifier® | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N4007 | 기준 | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 짐 | 1000 v | 1.1 v @ 1 a | 2 µs | 5 µa @ 1000 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
by399p-e3/54 | - | ![]() | 1490 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | Do-201ad, 1 방향 | by399 | 기준 | Do-201ad | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,400 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 800 v | 1.25 V @ 3 a | 500 ns | 10 µa @ 800 v | -50 ° C ~ 125 ° C | 3A | 28pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | 1N4005GP-M3/73 | - | ![]() | 6730 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N4005 | 기준 | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 짐 | 600 v | 1.1 v @ 1 a | 5 µa @ 600 v | -50 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | VS-12CTQ045STRL-M3 | 1.4500 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | 12ctq045 | Schottky | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 45 v | 6A | 600 mV @ 6 a | 800 µa @ 45 v | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||
![]() | V40100GHM3/4W | - | ![]() | 4444 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | V40100 | Schottky | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 100 v | 20A | 810 mV @ 20 a | 500 µa @ 100 v | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||
![]() | TZMC4V3-M-18 | 0.0324 | ![]() | 7776 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, TZM-M | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | Tzmc4v3 | 500MW | SOD-80 최소값 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 v @ 200 ma | 1 µa @ 1 v | 4.3 v | 90 옴 | |||||||||||||
![]() | VS-20TQ040SPBF | - | ![]() | 7195 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | 20TQ040 | Schottky | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | vs20tq040spbf | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 40 v | 570 mV @ 20 a | 2.7 ma @ 40 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 20A | 1400pf @ 5V, 1MHz | |||||||||||
![]() | V12P12-M3/86A | 0.9100 | ![]() | 39 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | ESMP®, TMBS® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-277, 3-powerdfn | v12p12 | Schottky | TO-277A (SMPC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 120 v | 800 mV @ 12 a | 500 µa @ 120 v | -40 ° C ~ 150 ° C | 12a | - | ||||||||||||
![]() | BYM13-60HE3/96 | - | ![]() | 8587 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-213AB, MELF | bym13 | Schottky | GL41 (DO-213AB) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | BYM13-60HE3_A/H | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 60 v | 700 mv @ 1 a | 500 µa @ 60 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 80pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | ugb10gcthe3/81 | - | ![]() | 2580 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | UGB10 | 기준 | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | ugb10gcthe3_a/i | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 400 v | 5a | 1.3 V @ 5 a | 50 ns | 10 µa @ 400 v | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | EGL34C-E3/98 | 0.1513 | ![]() | 7970 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Superectifier® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-213AA (유리) | EGL34 | 기준 | DO-213AA (GL34) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 2,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 150 v | 1.25 V @ 500 ma | 50 ns | 5 µa @ 150 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 500ma | - | |||||||||||
![]() | SD103BWS-G3-18 | 0.0646 | ![]() | 6466 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-76, SOD-323 | SD103 | Schottky | SOD-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 30 v | 600 mv @ 200 ma | 10 ns | 5 µa @ 20 v | -55 ° C ~ 125 ° C | 350ma | 50pf @ 0V, 1MHz | |||||||||||
![]() | MBRB20H60CTHE3/45 | - | ![]() | 1186 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MBRB20 | Schottky | TO-263AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 60 v | 10A | 710 MV @ 10 a | 100 µa @ 60 v | -65 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||
![]() | vs-kbpc610pbf | 3.5600 | ![]() | 259 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | VS-KBPC6 | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4- 스퀘어, D-72 | KBPC610 | 기준 | D-72 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.2 v @ 3 a | 10 µa @ 1000 v | 6 a | 단일 단일 | 1kv | |||||||||||||
![]() | VBT1080C-E3/4W | 0.5115 | ![]() | 2948 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | TMBS® | 튜브 | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | vbt1080 | Schottky | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 80 v | 5a | 720 MV @ 5 a | 400 µa @ 80 v | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||
VS-12TQ045-N3 | - | ![]() | 8068 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-220-2 | 12TQ045 | Schottky | TO-220AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | VS-12TQ045-N3GI | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 45 v | 710 MV @ 30 a | 1.75 ma @ 45 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 15a | 900pf @ 5V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | BYVB32-100HE3_A/I | 0.9405 | ![]() | 2695 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | BYVB32 | 기준 | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 100 v | 18a | 1.15 V @ 20 a | 25 ns | 10 µa @ 100 v | -65 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
![]() | VLZ4V7C-GS18 | - | ![]() | 4406 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, VLZ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | SOD-80 변형 | VLZ4V7 | 500MW | SOD-80 Quadromelf | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 v @ 200 ma | 3 µa @ 2 v | 4.81 v | 25 옴 | |||||||||||||
![]() | P600B-E3/73 | 1.1800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 컷 컷 (CT) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | p600, 축, | P600 | 기준 | P600 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 300 | 짐 | 100 v | 900 mV @ 6 a | 2.5 µs | 5 µa @ 100 v | -50 ° C ~ 150 ° C | 6A | 150pf @ 4V, 1MHz |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고