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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
SML4733A-E3/61 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SML4733A-E3/61 -
RFQ
ECAD 9929 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% - 표면 표면 DO-214AC, SMA SML4733 1 W. DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 10 µa @ 1 v 5.1 v 7 옴
V10PWM63HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v10pwm63hm3/i 0.3794
RFQ
ECAD 3404 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 Schottky Slimdpak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 112-v10pwm63hm3/itr 귀 99 8541.10.0080 4,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 650 mV @ 10 a 25 µa @ 60 v -40 ° C ~ 175 ° C 10A 2000pf @ 4V, 1MHz
SMZJ3797BHM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division smzj3797bhm3_a/h 0.1815
RFQ
ECAD 5454 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB SMZJ3797 1.5 w DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 750 5 µa @ 16.7 v 22 v 17.5 옴
MMSZ4683-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ4683-HE3-08 0.0368
RFQ
ECAD 4473 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ4683 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 800 na @ 1 v 3 v
VS-43CTQ100-011-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-43CTQ100-011-N3 -
RFQ
ECAD 8213 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 43ctq100 Schottky TO-220-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 20A 810 mV @ 20 a 1 ma @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C
GDZ12B-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GDZ12B-HE3-08 0.0378
RFQ
ECAD 5820 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, GDZ 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 4% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 GDZ12 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 100 na @ 9 v 12 v 30 옴
VS-S1287 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-S1287 -
RFQ
ECAD 9253 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 마지막으로 마지막으로 S1287 - 112-VS-S1287 1
G3SBA60L-5702E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G3SBA60L-5702E3/45 -
RFQ
ECAD 9482 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU G3SBA60 기준 GBU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 1 1 V @ 2 a 5 µa @ 600 v 2.3 a 단일 단일 600 v
RMPG06JHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RMPG06JHE3/73 -
RFQ
ECAD 4195 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 MPG06,, 방향 RMPG06 기준 MPG06 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.3 v @ 1 a 200 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 6.6pf @ 4V, 1MHz
ZGL41-160A-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZGL41-160A-E3/96 0.2020
RFQ
ECAD 6988 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-213AB, MELF ZGL41 1 W. GL41 (DO-213AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2266-ZGL41-160A-E3/96TR 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 121.6 v 160 v 700 옴
TLZ12A-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TLZ12A-GS18 0.0335
RFQ
ECAD 6682 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TLZ 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TLZ12 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 40 na @ 10.6 v 12 v 12 옴
BZX584C8V2-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX584C8V2-G3-08 0.3000
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZX584C 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZX584C 200 MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 700 na @ 5 v 8.2 v 6 옴
VS-43CTQ080GSPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-43CTQ080GSPBF -
RFQ
ECAD 1928 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 43ctq080 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) vs43ctq080gspbf 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 80 v 20A 810 mV @ 20 a 360 µa @ 80 v 175 ° C (°)
BZD27B8V2P-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27B8V2P-HE3-18 0.1238
RFQ
ECAD 7559 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZD27B 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 do-219ab BZD27B8V2 800MW DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 50,000 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 3 v 8.2 v 2 옴
VS-30CTQ100-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30CTQ100-N3 -
RFQ
ECAD 8514 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 30CTQ100 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs30ctq100n3 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 15a 1.05 V @ 30 a 550 µa @ 100 v 175 ° C (°)
VS-18TQ045SHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-18TQ045SHM3 1.2167
RFQ
ECAD 5951 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 18TQ045 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 112-VS-18TQ045SHM3 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 600 mV @ 18 a 2.5 ma @ 45 v -55 ° C ~ 175 ° C 18a 1400pf @ 5V, 1MHz
VS-VSKC196/04PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKC196/04PBF 63.2740
RFQ
ECAD 3921 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시 섀시 int-a-pak VSKC196 기준 int-a-pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VSVSKC19604PBF 귀 99 8541.10.0080 15 1 연결 연결 시리즈 400 v 97.5A 20 ma @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C
VS-6FR40 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-6FR40 3.3089
RFQ
ECAD 7993 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 6FR40 표준, 극성 역 DO-203AA (DO-4) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 400 v 1.1 v @ 19 a 12 ma @ 400 v -65 ° C ~ 175 ° C 6A -
VS-MBRD340PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-mbrd340pbf -
RFQ
ECAD 2275 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MBRD3 Schottky D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 75 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 600 mV @ 3 a 200 µa @ 40 v -40 ° C ~ 150 ° C 3A 189pf @ 5V, 1MHz
EGL41C-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGL41C-E3/96 0.5100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-213ab, melf (유리) EGL41 기준 do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 1 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 150 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 20pf @ 4V, 1MHz
VS-6DKH02-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-6DKH02-M3/H 0.6800
RFQ
ECAD 446 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 8-powertdfn 6DKH02 기준 flatpak 5x6 (이중) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2 독립 200 v 3A 940 MV @ 3 a 25 ns 2 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C
BZG04-220-HM3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG04-220-HM3-18 0.2079
RFQ
ECAD 6238 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZG04-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG04-220 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 500 ma 5 µa @ 220 v 270 v
BAS40-02V-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAS40-02V-G3-08 0.2800
RFQ
ECAD 6551 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-79, SOD-523 BAS40 Schottky SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 8,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 40 v 1 v @ 40 ma 5 ns 100 na @ 30 v 125 ° C 120ma 4pf @ 0V, 1MHz
MBRB15H45CTHE3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB15H45Cthe3/81 -
RFQ
ECAD 1566 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB15 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 7.5A 630 MV @ 7.5 a 50 µa @ 45 v -65 ° C ~ 175 ° C
MBRB20H100CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB20H100CT-E3/45 2.1500
RFQ
ECAD 4681 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB20 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 10A 770 MV @ 10 a 4.5 µa @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C
MMSZ4701-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ4701-HE3-08 0.0378
RFQ
ECAD 2993 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ4701 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 50 na @ 10.6 v 14 v
MBRB15H45CT-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB15H45CT-E3/81 -
RFQ
ECAD 8331 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB15 Schottky to-263ab (d²pak) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 7.5A 630 MV @ 7.5 a 50 µa @ 45 v -65 ° C ~ 175 ° C
VT3060G-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VT3060G-E3/4W 0.6419
RFQ
ECAD 1045 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 VT3060 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VT3060GE34W 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 15a 730 mv @ 15 a 850 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C
SS5P10HM3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss5p10hm3/87a -
RFQ
ECAD 6423 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn SS5P10 Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 880 mV @ 5 a 15 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
AZ23B7V5-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23B7V5-HE3-18 0.0534
RFQ
ECAD 5411 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, AZ23 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23B7V5 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 양극 양극 공통 100 na @ 5 v 7.5 v 7 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고