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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
GBU6ML-5301E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU6ML-5301E3/51 -
RFQ
ECAD 5244 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU6 기준 GBU - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 1 1 V @ 6 a 5 µa @ 1000 v 3.8 a 단일 단일 1kv
FESF16GT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FESF16GT-E3/45 1.1055
RFQ
ECAD 6267 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2, 분리 된 탭 FESF16 기준 ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 16 a 50 ns 10 µa @ 400 v -65 ° C ~ 150 ° C 16A -
GBU4A-1E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU4A-1E3/51 -
RFQ
ECAD 3015 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU4 기준 GBU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 1 1 V @ 4 a 5 µa @ 50 v 3 a 단일 단일 50 v
BZX84C3V6-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84C3V6-HE3_A-08 0.0498
RFQ
ECAD 5816 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZX84 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW SOT-23-3 다운로드 112-BZX84C3V6-HE3_A-08TR 귀 99 8541.10.0050 15,000 5 µa @ 1 v 3.6 v 90 옴
1N5819-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5819-E3/54 0.4200
RFQ
ECAD 46 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5819 Schottky DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 600 mV @ 1 a 1 ma @ 40 v -65 ° C ~ 125 ° C 1A 110pf @ 4V, 1MHz
MBRB1545CTTRL Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB1545CTTRL -
RFQ
ECAD 2341 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB15 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 7.5A 840 MV @ 7.5 a 100 µa @ 45 v -65 ° C ~ 150 ° C
BYT56M-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYT56M-TAP 1.1500
RFQ
ECAD 477 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 SOD-64,, 방향 BYT56 눈사태 SOD-64 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.4 V @ 3 a 100 ns 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 175 ° C 3A -
PLZ39C-HG3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division PLZ39C-HG3_A/H 0.3600
RFQ
ECAD 50 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, plz 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 3% 150 ° C 표면 표면 DO-219AC plz39 500MW DO-219AC (microSMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,500 900 mV @ 10 ma 200 na @ 30 v 39 v 85 옴
GBU4DL-5303M3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU4DL-5303M3/51 -
RFQ
ECAD 3014 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU4 기준 GBU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 1 1 V @ 4 a 5 µa @ 200 v 3 a 단일 단일 200 v
EGP30C-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP30C-E3/54 -
RFQ
ECAD 9370 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 DO-201AA, DO-27, 축 방향 EGP30 기준 GP20 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,400 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 950 MV @ 3 a 50 ns 5 µa @ 150 v -65 ° C ~ 150 ° C 3A -
S8CG-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division S8CG-M3/I 0.2723
RFQ
ECAD 2288 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC S8CG 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 400 v 985 MV @ 8 a 4 µs 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a 79pf @ 4v, 1MHz
VT10202C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VT10202C-M3/4W 0.7755
RFQ
ECAD 5750 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 VT10202 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 5a 880 mV @ 5 a 150 µa @ 200 v -55 ° C ~ 125 ° C
BYM12-300HE3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYM12-300HE3/97 -
RFQ
ECAD 2405 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 do-213ab, melf (유리) BYM12 기준 do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.25 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 300 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 14pf @ 4V, 1MHz
EGF1CHE3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGF1CHE3/67A -
RFQ
ECAD 5217 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, Superectifier® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214BA EGF1 기준 DO-214BA (GF1) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 1 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 150 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
EGP20G-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP20G-E3/73 -
RFQ
ECAD 2655 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 EGP20 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.25 V @ 2 a 50 ns 5 µa @ 400 v -65 ° C ~ 150 ° C 2A 45pf @ 4V, 1MHz
VS-2EYH02HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-2YH02HM3/h 0.4500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 2EYH02 기준 Slimsmaw (do-221ad) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 930 MV @ 2 a 28 ns 2 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 2A 12pf @ 200v
VS-96-1205PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-96-1205PBF -
RFQ
ECAD 3969 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 Schottky TO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 112-VS-96-1205PBFTR 쓸모없는 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 40a 980 mV @ 40 a 1 ma @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C
MMBZ4711-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ4711-G3-08 -
RFQ
ECAD 2962 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ4711 350 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 10 NA @ 20.4 v 27 v
1N5239B-T Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5239B-t -
RFQ
ECAD 9208 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5239 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 200 ma 3 µa @ 7 v 9.1 v 600 옴
SS10P3C-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS10P3C-M3/86A 0.9100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn SS10P3 Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 5a 530 mv @ 5 a 550 µa @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C
VBT3060C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VBT3060C-E3/4W 0.6001
RFQ
ECAD 3962 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB vbt3060 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 15a 700 mV @ 15 a 1.2 ma @ 60 v -40 ° C ~ 150 ° C
1N4006-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4006-E3/53 -
RFQ
ECAD 2212 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4006 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 800 v 1.1 v @ 1 a 5 µa @ 800 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
VS-8ETH06-1-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8ETH06-1-M3 0.5262
RFQ
ECAD 2213 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA 8ETH06 기준 TO-262AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2.4 v @ 8 a 25 ns 50 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 8a -
BZG04-36-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG04-36-M3-08 0.5400
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZG04-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG04-36 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 500 ma 5 µa @ 36 v 43 v
BYT28B-300HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYT28B-300HE3_A/I -
RFQ
ECAD 7488 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB BYT28 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 300 v 5a 1.3 V @ 5 a 50 ns 10 µa @ 300 v -40 ° C ~ 150 ° C
FEP30AP-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division fep30ap-e3/45 1.6062
RFQ
ECAD 8489 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 fep30 기준 TO-247AD (TO-3P) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 30 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 50 v 15a 950 MV @ 15 a 35 ns 10 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
VS-MBR2545CT-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBR2545CT-N3 -
RFQ
ECAD 1483 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR25 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VS-MBR2545CT-N3GI 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 15a 820 MV @ 30 a 200 µa @ 45 v -65 ° C ~ 150 ° C
VS-MUR1520-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MUR1520-M3 1.0200
RFQ
ECAD 27 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 MUR1520 표준, 극성 역 TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.05 V @ 15 a 35 ns 10 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C 15a -
SML4739AHE3/5A Vishay General Semiconductor - Diodes Division sml4739ahe3/5a -
RFQ
ECAD 1862 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA SML4739 1 W. DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 7,500 10 µa @ 7 v 9.1 v 5 옴
BZM55B24-TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZM55B24-TR3 0.0433
RFQ
ECAD 7286 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZM55 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 2-SMD,, 없음 BZM55B24 500MW 마이크로 마이크로 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 18 v 24 v 220 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고