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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
BZX85B68-TAP	0.0561	RFQ	3215	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, BZX85	테이프 & t (TB)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	BZX85B68		1.3 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	25,000								500 NA @ 51 v				68 v	130 옴
BZG04-39-M3-18	0.1980	RFQ	4725	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZG04-M	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	BZG04-39		1.25 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	6,000						1.2 v @ 500 ma		5 µa @ 39 v				47 v
v10km45duhm3/h	0.3503	RFQ	3947	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	8-powertdfn	v10km45	Schottky		flatpak 5x6 (이중)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	2 독립	45 v	5a	620 MV @ 5 a		200 µa @ 45 v	-40 ° C ~ 175 ° C
AZ23C24-HE3_A-18	-	RFQ	5226	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, AZ23	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			300MW	SOT-23-3	다운로드				112-AZ23C24-HE3_A-18TR	귀 99	8541.10.0050	1	1 양극 양극 공통							50 NA @ 16.8 v				24 v	70 옴
VS-85HFR120	16.6000	RFQ	5	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인			섀시, 마운트 스터드	do-203ab, do-5, 스터드	85HFR120	표준, 극성 역		do-203ab (Do-5)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	100		짐		1200 v		1.2 v @ 267 a		9 ma @ 1200 v	-65 ° C ~ 180 ° C	85A	-
V40100CHM3/4W	-	RFQ	7683	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, TMBS®	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-220-3	V40100	Schottky		TO-220-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	100 v	20A	730 mv @ 20 a		1 ma @ 100 v	-40 ° C ~ 175 ° C
VS-20ETF06SPBF	-	RFQ	8394	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	20etf06	기준		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.05 V @ 15 a	120 ns	100 µa @ 600 v	-40 ° C ~ 150 ° C	20A	-
vs-sd600n22pc	175.8700	RFQ	4755	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인			섀시, 마운트 스터드	B-8	SD600	기준		B-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	6		짐		2200 v		1.44 V @ 1500 a			-40 ° C ~ 150 ° C	600A	-
VS-8ETX06FP-N3	1.7900	RFQ	50	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2 풀 -2	8etx06	기준		TO-220-2 풀 -2	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		3 V @ 8 a	17 ns	50 µa @ 600 v	-65 ° C ~ 175 ° C	8a	-
MMSZ5260C-HE3_A-18	0.0566	RFQ	1126	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123			500MW	SOD-123	다운로드				112-MMSZ5260C-HE3_A-18TR	귀 99	8541.10.0050	10,000						900 mV @ 10 ma		100 na @ 33 v				43 v	93 옴
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BZT52C68-G3-08	0.0409	RFQ	6103	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZT52-G	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	BZT52C68		410 MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	15,000												68 v	200 옴
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TZMC5V6-GS08	0.2300	RFQ	86	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, TZM	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	175 ° C	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	Tzmc5v6		500MW	SOD-80 최소값	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500						1.5 v @ 200 ma		100 na @ 1 v				5.6 v	40
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as3pjhm3/87a	-	RFQ	7760	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, ESMP®	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	TO-277, 3-powerdfn	AS3	눈사태		TO-277A (SMPC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	6,500		짐		600 v		920 MV @ 1.5 a	1.2 µs	10 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 175 ° C	2.1a	37pf @ 4V, 1MHz
VS-1N2128A	8.2900	RFQ	6243	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인			섀시, 마운트 스터드	do-203ab, do-5, 스터드	1N2128	기준		do-203ab (Do-5)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	100		짐		50 v		1.3 v @ 188 a		10 ma @ 50 v	-65 ° C ~ 200 ° C	60a	-
IRKD166/14	-	RFQ	6155	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	쓸모없는			섀시 섀시	int-a-pak (3)	IRKD166	기준		기준 기준	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRKD166/14	귀 99	8541.10.0080	3		짐	1 연결 연결 시리즈	1400 v	165a			20 ma @ 1400 v
1N4448W-E3-08	0.2600	RFQ	28	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123	1N4448	기준		SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		75 v		720 mv @ 5 ma	4 ns	5 µa @ 75 v	-55 ° C ~ 150 ° C	150ma	-
BZD27B51P-HE3-18	0.1238	RFQ	2618	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, BZD27B	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	do-219ab	BZD27B51		800MW	DO-219AB (SMF)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	50,000						1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 39 v				51 v	60 옴
egp31g-e3/c	0.8126	RFQ	7735	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Superectifier®	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	EGP31	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,400		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.25 V @ 3 a	50 ns	4 µa @ 400 v	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	48pf @ 4V, 1MHz
TZM5259B-GS18	0.0303	RFQ	3379	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	TZM5259		500MW	SOD-80 최소값	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000						1.1 v @ 200 ma		100 na @ 30 v				39 v	80 옴
MMSZ5244C-HE3-08	0.0454	RFQ	3769	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	MMSZ5244		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	15,000								100 na @ 10 v				14 v	15 옴
BZG04-27-M3-08	0.5400	RFQ	5	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZG04-M	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	BZG04-27		1.25 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,500						1.2 v @ 500 ma		5 µa @ 27 v				33 v

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (31214)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²