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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
1N4586GP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4586GP-E3/54 0.2318
RFQ
ECAD 3949 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 1N4586 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,000 1000 v 1 V @ 1 a 2 µs 5 µa @ 1000 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
BZT52C24-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52C24-E3-18 0.2700
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZT52 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52C24 410 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 18 v 24 v 28 옴
20TQ045STRL Vishay General Semiconductor - Diodes Division 20TQ045STRL -
RFQ
ECAD 8538 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 20TQ045 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 570 mV @ 20 a 2.7 ma @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C 20A 1400pf @ 5V, 1MHz
BZX384C20-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384C20-HE3-18 0.0341
RFQ
ECAD 3573 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZX384 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384C20 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 50 na @ 14 v 20 v 55 옴
VS-6TQ035S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-6TQ035S-M3 0.5595
RFQ
ECAD 9235 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 6TQ035 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 35 v 600 mV @ 6 a 800 µa @ 35 v -55 ° C ~ 175 ° C 6A 400pf @ 5V, 1MHz
VS-1N5818 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-1N5818 -
RFQ
ECAD 7791 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5818 Schottky DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 550 mV @ 1 a 1 ma @ 30 v -65 ° C ~ 125 ° C 1A -
SL02-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SL02-GS08 0.4200
RFQ
ECAD 33 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab SL02 Schottky DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 420 MV @ 1.1 a 10 ns 250 µa @ 20 v 125 ° C (°) 1.1a -
GPP60DHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GPP60DHE3/54 -
RFQ
ECAD 4149 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 p600, 축, GPP60 기준 P600 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 200 v 1.1 v @ 6 a 5.5 µs 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 6A -
MMSZ5256B-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5256B-E3-08 0.2700
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ5256 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 23 v 30 v 49 옴
SD103BWS-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SD103BWS-G3-08 0.0646
RFQ
ECAD 8752 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-76, SOD-323 SD103 Schottky SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 15,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 600 mv @ 200 ma 10 ns 5 µa @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C 350ma 50pf @ 0V, 1MHz
MBRB2045CTTRR Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB2045CTTRR -
RFQ
ECAD 5071 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB20 Schottky to-263ab (d²pak) - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 10A 840 mV @ 20 a 100 µa @ 45 v -65 ° C ~ 150 ° C
U3C-E3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division U3C-E3/57T 0.2279
RFQ
ECAD 3665 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC U3C 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 850 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 900 mV @ 3 a 20 ns 10 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
VS-VSKE71/06 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKE71/06 35.1660
RFQ
ECAD 4857 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시 섀시 Add-A-Pak (3) VSKE71 기준 Add-a-Pak® 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vsvske7106 귀 99 8541.10.0080 10 600 v 10 ma @ 600 v -40 ° C ~ 150 ° C 80a -
RGF1J-E3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGF1J-E3/67A 0.5400
RFQ
ECAD 19 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214BA RGF1 기준 DO-214BA (GF1) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.3 v @ 1 a 250 ns 5 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 8.5pf @ 4V, 1MHz
VS-80APF10PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-80APF10PBF -
RFQ
ECAD 2138 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-247-3 80APF10 기준 TO-247AC - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VS80APF10PBF 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.35 V @ 80 a 480 ns 100 @ 1000 v -40 ° C ~ 150 ° C 80a -
VS-8TQ100STRR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8TQ100STR-M3 1.4100
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 8TQ100 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 720 MV @ 8 a 550 µa @ 80 v -55 ° C ~ 175 ° C 8a 500pf @ 5V, 1MHz
SS10P6HM3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS10P6HM3/87A -
RFQ
ECAD 9387 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn SS10P6 Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 550 mV @ 7 a 150 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 7a -
VS-402CNQ200PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-402CNQ200PBF 36.7100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 상자 활동적인 섀시 섀시 TO-244AB Schottky TO-244 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 112-VS-402CNQ200PBF 귀 99 8541.10.0080 10 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 551A 1.358 V @ 400 a 132 ns 200 µa @ 200 v -40 ° C ~ 175 ° C
HFA08TB60STRL Vishay General Semiconductor - Diodes Division HFA08TB60STRL -
RFQ
ECAD 4461 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Hexfred® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB HFA08 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 8 a 55 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a -
20CTH03STRL Vishay General Semiconductor - Diodes Division 20cth03strl -
RFQ
ECAD 8439 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 20cth03 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 300 v 10A 1.25 V @ 10 a 35 ns 20 µa @ 300 v -65 ° C ~ 175 ° C
8AF05NPP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 8AF05NPP -
RFQ
ECAD 5349 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 섀시, 마운트 스터드 B-47 8AF05 기준 B-47 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *8AF05NPP 귀 99 8541.10.0080 100 50 v 7 ma @ 50 v -65 ° C ~ 195 ° C 50a -
MP820-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MP820-E3/54 -
RFQ
ECAD 9852 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 MP820 기준 DO-204AL (DO-41) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500 400 v - 1A -
NSB8BTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division NSB8Bthe3/45 -
RFQ
ECAD 4789 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB NSB8 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 100 v 1.1 v @ 8 a 10 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a 55pf @ 4V, 1MHz
SS2PH9HM3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS2PH9HM3/84A -
RFQ
ECAD 2396 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-220AA SS2PH9 Schottky DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 800 mV @ 2 a 1 µa @ 90 v -55 ° C ~ 175 ° C 2A 65pf @ 4V, 1MHz
2KBP04ML-6212E4/72 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 2KBP04ML-6212E4/72 -
RFQ
ECAD 7851 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 상자 쓸모없는 -55 ° C ~ 165 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBPM 2KBP04 기준 KBPM - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 200 1.1 v @ 3.14 a 5 µa @ 400 v 2 a 단일 단일 400 v
UH2C-M3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division UH2C-M3/52T -
RFQ
ECAD 3735 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AA, SMB uh2 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 1.05 V @ 2 a 35 ns 2 µa @ 150 v -55 ° C ~ 175 ° C 2A 42pf @ 4V, 1MHz
VS-30APF04PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30APF04PBF -
RFQ
ECAD 6523 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-247-3 30APF04 Schottky TO-247AC - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VS30APF04PBF 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.41 V @ 30 a 100 µa @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C 30A -
S07D-M-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division S07D-M-08 0.1016
RFQ
ECAD 9174 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab S07 기준 DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 30,000 200 v 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 700ma 4pf @ 4V, 1MHz
UF4003-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UF4003-E3/54 0.4300
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 UF4003 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1 V @ 1 a 50 ns 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 17pf @ 4V, 1MHz
SBLB8L40HE3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SBLB8L40HE3/81 -
RFQ
ECAD 2897 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SBLB8L40 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 8 a 1 ma @ 40 v -65 ° C ~ 125 ° C 8a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고