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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
SB030-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB030-E3/54 -
RFQ
ECAD 3276 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 MPG06,, 방향 SB030 Schottky MPG06 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 550 mV @ 600 mA 500 µa @ 30 v -65 ° C ~ 125 ° C 600ma -
UGF8JTHE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division ugf8jthe3_a/p -
RFQ
ECAD 8797 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2, 분리 된 탭 UGF8 기준 ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.75 V @ 8 a 50 ns 30 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a -
VS-50PFR40 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-50PFR40 5.1887
RFQ
ECAD 8745 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 50pfr40 표준, 극성 역 do-203ab (Do-5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs50pfr40 귀 99 8541.10.0080 100 400 v 1.4 V @ 125 a -55 ° C ~ 180 ° C 50a -
S5J-M3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division S5J-M3/9AT 0.1549
RFQ
ECAD 5862 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC S5J 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 600 v 1.15 V @ 5 a 2.5 µs 10 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 40pf @ 4V, 1MHz
PLZ5V6C-G3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division plz5v6c-g3/h 0.2800
RFQ
ECAD 26 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division plz 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.6% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-219AC plz5v6 960 MW DO-219AC (microSMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,500 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 2.5 v 5.76 v 13 옴
VS-300U60A Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-300U60A 48.8200
RFQ
ECAD 126 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 마지막으로 마지막으로 스터드 스터드 do-205AB, do-9, 스터드 300U60 기준 DO-205AB (DO-9) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 12 600 v 1.4 V @ 942 a 40 ma @ 600 v -65 ° C ~ 200 ° C 300A -
VS-12CWQ06FNTRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-12CWQ06FNTRPBF -
RFQ
ECAD 7750 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 12CWQ06 Schottky D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 6A 610 MV @ 6 a 3 ma @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C
ZMY56-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZMY56-GS08 0.4200
RFQ
ECAD 463 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 175 ° C 표면 표면 do-213ab, melf (유리) ZMY56 1 W. do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 500 NA @ 42 v 56 v 100 옴
VS-8ETL06STRRHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-8etl06strhm3 1.7900
RFQ
ECAD 3614 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, FRED PT® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 8ETL06 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.05 V @ 8 a 250 ns 5 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 8a -
VS-18TQ035SPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-18TQ035SPBF -
RFQ
ECAD 2468 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 18TQ035 Schottky to-263ab (d²pak) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs18tq035spbf 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 35 v 600 mV @ 18 a 2.5 ma @ 35 v -55 ° C ~ 175 ° C 18a 1400pf @ 5V, 1MHz
BYG21K-M3/TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYG21K-M3/TR3 0.1518
RFQ
ECAD 5932 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA BYG21 눈사태 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.6 V @ 1.5 a 120 ns 1 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A -
V60100P-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division V60100p-E3/45 -
RFQ
ECAD 6903 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 v60100 Schottky TO-247AD (TO-3P) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 V60100p-E3/45GI 귀 99 8541.10.0080 750 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 30A 790 MV @ 30 a 800 µa @ 100 v -40 ° C ~ 150 ° C
MBR30H35CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR30H35Cthe3/45 -
RFQ
ECAD 6322 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR30 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 15a 820 MV @ 15 a 5 µa @ 35 v -65 ° C ~ 175 ° C
VS-20CTQ150-1-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20CTQ150-1-M3 0.8536
RFQ
ECAD 6717 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA 20ctq150 Schottky TO-262-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 10A 880 mV @ 10 a 25 µa @ 150 v -55 ° C ~ 175 ° C
VS-300UR40A Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-300UR40A 50.1500
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 마지막으로 마지막으로 스터드 스터드 do-205AB, do-9, 스터드 300UR40 표준, 극성 역 DO-205AB (DO-9) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 12 400 v 1.4 V @ 942 a 40 ma @ 400 v -65 ° C ~ 200 ° C 300A -
BZX584C3V9-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX584C3V9-G3-08 0.3000
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZX584C 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZX584C 200 MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 3 µa @ 1 v 3.9 v 85 옴
BZT55B30-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT55B30-GS08 0.0433
RFQ
ECAD 9992 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZT55 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SOD-80 변형 BZT55B30 500MW SOD-80 Quadromelf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 12,500 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 22 v 30 v 80 옴
VS-8ETH03SHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8ETH03SHM3 0.9290
RFQ
ECAD 8945 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, FRED PT® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA 8ETH03 기준 TO-262AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 112-VS-8ETH03SHM3 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.25 V @ 8 a 35 ns 20 µa @ 300 v -55 ° C ~ 175 ° C 8a -
S1JHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division S1JHE3_A/I 0.4200
RFQ
ECAD 51 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA S1J 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 600 v 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 1 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 12pf @ 4V, 1MHz
VS-40CTQ045SPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40CTQ045SPBF -
RFQ
ECAD 1938 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 40ctq045 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 20A 530 mV @ 20 a 3 ma @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C
VS-MURB1520-1-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MUBR1520-1-M3 1.0400
RFQ
ECAD 9443 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA murb1520 기준 TO-262AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.05 V @ 15 a 35 ns 10 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C 15a -
BZG05C9V1-HM3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C9V1-HM3-18 0.1172
RFQ
ECAD 5097 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZG05C-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.04% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG05C9V1 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 6.8 v 9.1 v 5 옴
VS-12CTQ045-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-12CTQ045-N3 -
RFQ
ECAD 8607 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 12ctq045 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VS-12CTQ045-N3GI 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 6A 730 mv @ 12 a 800 µa @ 45 v -55 ° C ~ 175 ° C
MBR20H100CTGHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR20H100CTGHE3/45 -
RFQ
ECAD 6493 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR20 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 10A 850 mv @ 10 a 3.5 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C
BAT81S-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAT81S-TAP 0.3400
RFQ
ECAD 49 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BAT81 Schottky DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 40 v 1 V @ 15 ma 200 na @ 40 v 125 ° C (°) 30ma 1.6pf @ 1v, 1MHz
VS-MBR1100TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-mbr1100tr -
RFQ
ECAD 5036 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 MBR1 Schottky DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 850 mv @ 1 a 500 µa @ 100 v -40 ° C ~ 150 ° C 1A 35pf @ 5V, 1MHz
VS-16CTQ060STRLHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-16ctq060strlhm3 0.9832
RFQ
ECAD 6061 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 16ctq060 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 8a 720 MV @ 8 a 550 µa @ 60 v -55 ° C ~ 175 ° C
201CMQ045 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 201cmq045 -
RFQ
ECAD 3026 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB 201CMQ Schottky TO-244AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 30 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 100A 670 mV @ 100 a 10 ma @ 45 v -55 ° C ~ 175 ° C
SS8PH9-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS8PH9-M3/86A 0.6700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn ss8ph9 Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 900 mV @ 8 a 2 µa @ 90 v -55 ° C ~ 175 ° C 8a -
BZG05C62-HE3-TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C62-HE3-TR3 -
RFQ
ECAD 7292 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZG05C 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG05 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 47 v 62 v 125 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고