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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 구조 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | 현재 -홀드 (ih) (최대) | 전압 - 상태 꺼짐 | 현재- it (it (rms)) (max) | 짐 | 짐 | 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) | 전압 -상태 (vtm) (최대) | 현재- it (it (av)) (max) | Current -Off State (Max) | scr 유형 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | scrs, 수 다이오드 | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | vce (on) (max) @ vge, ic | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 입력 입력 (cie) @ vce |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | v30dm120-m3/i | 0.6638 | ![]() | 9813 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | ESMP®, TMBS® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²Pak (2 리드 + 탭) 변형 | v30dm120 | Schottky | TO-263AC (SMPD) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 120 v | 1.06 V @ 30 a | 1 ma @ 120 v | -40 ° C ~ 175 ° C | 6A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | V20DM120-M3/I | 1.0500 | ![]() | 3463 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²Pak (2 리드 + 탭) 변형 | V20DM120 | Schottky | TO-263AC (SMPD) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 120 v | 10A | 930 MV @ 10 a | 600 µa @ 120 v | -40 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-80PFR80 | 6.6000 | ![]() | 89 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | 섀시, 마운트 스터드 | do-203ab, do-5, 스터드 | 80pfr80 | 표준, 극성 역 | do-203ab (Do-5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | vs80pfr80 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 100 | 짐 | 800 v | 1.4 V @ 220 a | -55 ° C ~ 180 ° C | 80a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | es2d/1 | - | ![]() | 4158 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | ES2D | 기준 | DO-214AA (SMB) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 750 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 200 v | 900 mV @ 2 a | 30 ns | 10 µa @ 200 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HFA16TB120STR | - | ![]() | 1258 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Hexfred® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | HFA16 | 기준 | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1200 v | 3 V @ 16 a | 135 ns | 20 µa @ 1200 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 16A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
VS-VSKL91/04 | 42.0550 | ![]() | 9620 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | Add-A-Pak (3 + 4) | VSKL91 | 시리즈 시리즈 - scr/다이오드 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | VSVSKL9104 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 10 | 250 MA | 400 v | 210 a | 2.5 v | 2000a, 2094a | 150 MA | 95 a | 1 scr, 1 다이오드 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VLZ5V6B-GS08 | - | ![]() | 5781 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, VLZ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | SOD-80 변형 | VLZ5V6 | 500MW | SOD-80 Quadromelf | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 v @ 200 ma | 1 µa @ 2 v | 5.59 v | 13 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZD27B20P-E3-18 | 0.1155 | ![]() | 6354 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | BZD27B | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | do-219ab | BZD27 | 800MW | DO-219AB (SMF) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 50,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 15 v | 20 v | 15 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
BZX84C39-HE3_A-18 | 0.0498 | ![]() | 8008 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, BZX84 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300MW | SOT-23-3 | 다운로드 | 112-BZX84C39-HE3_A-18TR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 50 NA @ 27.3 v | 39 v | 130 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT55B24-GS08 | 0.0433 | ![]() | 8918 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, BZT55 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | SOD-80 변형 | BZT55B24 | 500MW | SOD-80 Quadromelf | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 12,500 | 1.5 v @ 200 ma | 100 na @ 18 v | 24 v | 80 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | EGF1D-E3/67A | 0.6600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Superectifier® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214BA | EGF1 | 기준 | DO-214BA (GF1) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 200 v | 1 V @ 1 a | 50 ns | 5 µa @ 200 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-40CPQ060PBF | - | ![]() | 9439 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | 40cpq060 | Schottky | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 25 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 60 v | 20A | 530 mV @ 20 a | 1.7 ma @ 60 v | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | byg10mhe3_a/h | 0.1452 | ![]() | 6522 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | byg10 | 눈사태 | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 짐 | 1000 v | 1.15 V @ 1.5 a | 4 µs | 1 µa @ 1000 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VI20120SG-E3/4W | 0.7435 | ![]() | 5319 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | VI20120 | Schottky | TO-262AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 120 v | 1.33 V @ 20 a | 250 µa @ 120 v | -40 ° C ~ 150 ° C | 20A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | vs-gb100th120U | - | ![]() | 4082 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 이중 int-a-pak (3 + 4) | GB100 | 1136 w | 기준 | int-a-pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | VSGB100th120U | 귀 99 | 8541.29.0095 | 12 | 반 반 | NPT | 1200 v | 200a | 3.6V @ 15V, 100A | 5 MA | 아니요 | 8.45 NF @ 20 v | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | LS103A-GS18 | 0.0672 | ![]() | 7924 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOD-80 변형 | LS103 | Schottky | SOD-80 Quadromelf | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 40 v | 600 mv @ 200 ma | 10 ns | 5 µa @ 30 v | 125 ° C (°) | - | 50pf @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TZMC6V2-M-18 | 0.0324 | ![]() | 7846 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, TZM-M | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | Tzmc6v2 | 500MW | SOD-80 최소값 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 v @ 200 ma | 100 na @ 2 v | 6.2 v | 10 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | vs-25tts16strrpbf | - | ![]() | 1478 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | 25TTS16 | to-263ab (d²pak) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | vs25tts16strrpbf | 귀 99 | 8541.30.0080 | 800 | 150 MA | 1.6kV | 25 a | 2 v | 300A @ 50Hz | 45 MA | 1.25 v | 16 a | 500 µA | 표준 표준 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | v10pwm60c-m3/i | 0.3467 | ![]() | 7488 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | Schottky | Slimdpak | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 112-V10PWM60C-M3/ITR | 귀 99 | 8541.10.0080 | 4,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 60 v | 5a | 630 mv @ 5 a | 100 µa @ 60 v | -40 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RGL34DHE3/98 | - | ![]() | 3955 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Superectifier® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-213AA (유리) | RGL34 | 기준 | DO-213AA (GL34) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | RGL34DHE3_A/H | 귀 99 | 8541.10.0070 | 2,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 200 v | 1.3 v @ 500 ma | 150 ns | 5 µa @ 200 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 500ma | 4pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSA23L-E3/61T | 0.4200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | SSA23 | Schottky | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 30 v | 450 mV @ 2 a | 500 µa @ 30 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 2A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-70HF40M | 17.0803 | ![]() | 1992 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | 섀시, 마운트 스터드 | do-203ab, do-5, 스터드 | 70HF40 | 기준 | do-203ab (Do-5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | VS70HF40M | 귀 99 | 8541.10.0080 | 100 | 짐 | 200 v | 1.35 V @ 220 a | -65 ° C ~ 180 ° C | 70A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-ST330S14P0 | 224.1617 | ![]() | 5205 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | 섀시, 마운트 스터드 | to-209ae, to-118-4, 스터드 | ST330 | TO-209AE (TO-118) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 6 | 600 MA | 1.4kV | 520 a | 3 v | 9000A, 9420A | 200 MA | 1.52 v | 330 a | 50 MA | 표준 표준 | ||||||||||||||||||||||||||||
VS-10TQ040PBF | - | ![]() | 5236 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | 구멍을 구멍을 | TO-220-2 | 10TQ040 | Schottky | TO-220AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 40 v | 760 mV @ 10 a | 6 ma @ 40 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 10A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | gp10ge-e3/54 | 0.1840 | ![]() | 6774 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Superectifier® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | GP10 | 기준 | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,500 | 짐 | 400 v | 1.1 v @ 1 a | 3 µs | 5 µa @ 400 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
SD153R08S10PV | - | ![]() | 2259 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 쓸모없는 | 스터드 스터드 | DO-205AC, DO-30, 스터드 | SD153 | 기준 | DO-205AC (DO-30) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *SD153R08S10PV | 귀 99 | 8541.10.0080 | 25 | 짐 | 800 v | 1.55 V @ 470 a | 1 µs | 35 ma @ 800 v | -40 ° C ~ 125 ° C | 150a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
IMBD4448-G3-18 | 0.0445 | ![]() | 7228 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | IMBD4448 | 기준 | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 75 v | 1 V @ 10 ma | 4 ns | 2.5 µa @ 70 v | 150 ° C (°) | 150ma | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | vs-25tts12spbf | - | ![]() | 2281 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | 25TTS12 | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 50 | 150 MA | 1.2kV | 25 a | 2 v | 350A @ 50Hz | 45 MA | 1.25 v | 16 a | 500 µA | 표준 표준 | ||||||||||||||||||||||||||||
GP30GE-E3/54 | - | ![]() | 3649 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Superectifier® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | Do-201ad, 1 방향 | GP30 | 기준 | Do-201ad | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,400 | 짐 | 400 v | 1.1 v @ 3 a | 5 µs | 5 µa @ 400 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-P402 | 39.0540 | ![]() | 5021 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 8-pace-pak | P402 | 짐 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 10 | 130 MA | 600 v | 2 v | 385A, 400A | 60 MA | 2 개의 scr, 2 개의 다이오드 |
일일 평균 RFQ 볼륨
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