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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 구조 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 현재 -홀드 (ih) (최대) 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 전압 -상태 (vtm) (최대) 현재- it (it (av)) (max) Current -Off State (Max) scr 유형 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f scrs, 수 다이오드 IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) vce (on) (max) @ vge, ic 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 입력 입력 (cie) @ vce
V30DM120-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v30dm120-m3/i 0.6638
RFQ
ECAD 9813 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²Pak (2 리드 + 탭) 변형 v30dm120 Schottky TO-263AC (SMPD) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 120 v 1.06 V @ 30 a 1 ma @ 120 v -40 ° C ~ 175 ° C 6A -
V20DM120-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V20DM120-M3/I 1.0500
RFQ
ECAD 3463 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²Pak (2 리드 + 탭) 변형 V20DM120 Schottky TO-263AC (SMPD) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 120 v 10A 930 MV @ 10 a 600 µa @ 120 v -40 ° C ~ 175 ° C
VS-80PFR80 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-80PFR80 6.6000
RFQ
ECAD 89 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 80pfr80 표준, 극성 역 do-203ab (Do-5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs80pfr80 귀 99 8541.10.0080 100 800 v 1.4 V @ 220 a -55 ° C ~ 180 ° C 80a -
ES2D/1 Vishay General Semiconductor - Diodes Division es2d/1 -
RFQ
ECAD 4158 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB ES2D 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 750 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 900 mV @ 2 a 30 ns 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
HFA16TB120STRL Vishay General Semiconductor - Diodes Division HFA16TB120STR -
RFQ
ECAD 1258 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Hexfred® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB HFA16 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1200 v 3 V @ 16 a 135 ns 20 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 150 ° C 16A -
VS-VSKL91/04 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKL91/04 42.0550
RFQ
ECAD 9620 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 Add-A-Pak (3 + 4) VSKL91 시리즈 시리즈 - scr/다이오드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VSVSKL9104 귀 99 8541.30.0080 10 250 MA 400 v 210 a 2.5 v 2000a, 2094a 150 MA 95 a 1 scr, 1 다이오드
VLZ5V6B-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ5V6B-GS08 -
RFQ
ECAD 5781 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, VLZ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SOD-80 변형 VLZ5V6 500MW SOD-80 Quadromelf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 2 v 5.59 v 13 옴
BZD27B20P-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27B20P-E3-18 0.1155
RFQ
ECAD 6354 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZD27B 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 do-219ab BZD27 800MW DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 50,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 15 v 20 v 15 옴
BZX84C39-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84C39-HE3_A-18 0.0498
RFQ
ECAD 8008 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZX84 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW SOT-23-3 다운로드 112-BZX84C39-HE3_A-18TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 50 NA @ 27.3 v 39 v 130 옴
BZT55B24-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT55B24-GS08 0.0433
RFQ
ECAD 8918 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZT55 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SOD-80 변형 BZT55B24 500MW SOD-80 Quadromelf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 12,500 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 18 v 24 v 80 옴
EGF1D-E3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGF1D-E3/67A 0.6600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214BA EGF1 기준 DO-214BA (GF1) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
VS-40CPQ060PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40CPQ060PBF -
RFQ
ECAD 9439 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-247-3 40cpq060 Schottky TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 20A 530 mV @ 20 a 1.7 ma @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C
BYG10MHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg10mhe3_a/h 0.1452
RFQ
ECAD 6522 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA byg10 눈사태 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 1000 v 1.15 V @ 1.5 a 4 µs 1 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A -
VI20120SG-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VI20120SG-E3/4W 0.7435
RFQ
ECAD 5319 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA VI20120 Schottky TO-262AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 120 v 1.33 V @ 20 a 250 µa @ 120 v -40 ° C ~ 150 ° C 20A -
VS-GB100TH120U Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-gb100th120U -
RFQ
ECAD 4082 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 이중 int-a-pak (3 + 4) GB100 1136 w 기준 int-a-pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VSGB100th120U 귀 99 8541.29.0095 12 반 반 NPT 1200 v 200a 3.6V @ 15V, 100A 5 MA 아니요 8.45 NF @ 20 v
LS103A-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division LS103A-GS18 0.0672
RFQ
ECAD 7924 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-80 변형 LS103 Schottky SOD-80 Quadromelf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 600 mv @ 200 ma 10 ns 5 µa @ 30 v 125 ° C (°) - 50pf @ 0V, 1MHz
TZMC6V2-M-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZMC6V2-M-18 0.0324
RFQ
ECAD 7846 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TZM-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 Tzmc6v2 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 2 v 6.2 v 10 옴
VS-25TTS16STRRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-25tts16strrpbf -
RFQ
ECAD 1478 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 25TTS16 to-263ab (d²pak) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs25tts16strrpbf 귀 99 8541.30.0080 800 150 MA 1.6kV 25 a 2 v 300A @ 50Hz 45 MA 1.25 v 16 a 500 µA 표준 표준
V10PWM60C-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v10pwm60c-m3/i 0.3467
RFQ
ECAD 7488 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 Schottky Slimdpak 다운로드 영향을받지 영향을받지 112-V10PWM60C-M3/ITR 귀 99 8541.10.0080 4,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 5a 630 mv @ 5 a 100 µa @ 60 v -40 ° C ~ 175 ° C
RGL34DHE3/98 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGL34DHE3/98 -
RFQ
ECAD 3955 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AA (유리) RGL34 기준 DO-213AA (GL34) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 RGL34DHE3_A/H 귀 99 8541.10.0070 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.3 v @ 500 ma 150 ns 5 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C 500ma 4pf @ 4V, 1MHz
SSA23L-E3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division SSA23L-E3/61T 0.4200
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA SSA23 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 450 mV @ 2 a 500 µa @ 30 v -65 ° C ~ 150 ° C 2A -
VS-70HF40M Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-70HF40M 17.0803
RFQ
ECAD 1992 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 70HF40 기준 do-203ab (Do-5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VS70HF40M 귀 99 8541.10.0080 100 200 v 1.35 V @ 220 a -65 ° C ~ 180 ° C 70A -
VS-ST330S14P0 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST330S14P0 224.1617
RFQ
ECAD 5205 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시, 마운트 스터드 to-209ae, to-118-4, 스터드 ST330 TO-209AE (TO-118) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 6 600 MA 1.4kV 520 a 3 v 9000A, 9420A 200 MA 1.52 v 330 a 50 MA 표준 표준
VS-10TQ040PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10TQ040PBF -
RFQ
ECAD 5236 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-2 10TQ040 Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 760 mV @ 10 a 6 ma @ 40 v -55 ° C ~ 175 ° C 10A -
GP10GE-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division gp10ge-e3/54 0.1840
RFQ
ECAD 6774 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 GP10 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500 400 v 1.1 v @ 1 a 3 µs 5 µa @ 400 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
SD153R08S10PV Vishay General Semiconductor - Diodes Division SD153R08S10PV -
RFQ
ECAD 2259 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 스터드 스터드 DO-205AC, DO-30, 스터드 SD153 기준 DO-205AC (DO-30) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *SD153R08S10PV 귀 99 8541.10.0080 25 800 v 1.55 V @ 470 a 1 µs 35 ma @ 800 v -40 ° C ~ 125 ° C 150a -
IMBD4448-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division IMBD4448-G3-18 0.0445
RFQ
ECAD 7228 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 IMBD4448 기준 SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 75 v 1 V @ 10 ma 4 ns 2.5 µa @ 70 v 150 ° C (°) 150ma -
VS-25TTS12SPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-25tts12spbf -
RFQ
ECAD 2281 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 25TTS12 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 50 150 MA 1.2kV 25 a 2 v 350A @ 50Hz 45 MA 1.25 v 16 a 500 µA 표준 표준
GP30GE-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP30GE-E3/54 -
RFQ
ECAD 3649 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 GP30 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,400 400 v 1.1 v @ 3 a 5 µs 5 µa @ 400 v -65 ° C ~ 175 ° C 3A -
VS-P402 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-P402 39.0540
RFQ
ECAD 5021 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 8-pace-pak P402 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 10 130 MA 600 v 2 v 385A, 400A 60 MA 2 개의 scr, 2 개의 다이오드
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고