전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | VSB3200S-M3/54 | - | ![]() | 8042 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | DO-204AC, DO-15, 축 방향 | B3200 | Schottky | DO-204AC (DO-15) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | VSB3200SM354 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 200 v | 1.4 V @ 3 a | 50 µa @ 200 v | -40 ° C ~ 150 ° C | 3A | 170pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
DZ23C33-HE3_A-08 | - | ![]() | 8897 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, DZ23 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300MW | SOT-23-3 | 다운로드 | 112-DZ23C33-HE3_A-08TR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 음극 음극 공통 | 100 na @ 25 v | 33 v | 40 | ||||||||||||||||
![]() | VS-20ETF06S-M3 | 1.5543 | ![]() | 8415 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | 20etf06 | 기준 | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 1.3 V @ 20 a | 160 ns | 100 µa @ 600 v | -40 ° C ~ 150 ° C | 20A | - | ||||||||||
![]() | PTV12B-M3/84A | 0.1223 | ![]() | 7194 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | ESMP® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 6% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-220AA | PTV12 | 600MW | DO-220AA (SMP) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.5 v @ 200 ma | 10 µa @ 9 v | 12.8 v | 8 옴 | ||||||||||||
![]() | v6pwm10-m3/i | 0.5700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | Schottky | Slimdpak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 4,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 780 mv @ 6 a | 150 µa @ 100 v | -40 ° C ~ 175 ° C | 6A | 620pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | BYG21M/54 | - | ![]() | 3000 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | BYG21 | 눈사태 | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1000 v | 1.6 V @ 1.5 a | 120 ns | 1 µa @ 1000 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5A | - | ||||||||||
![]() | BZX384B3V9-HE3-08 | 0.0378 | ![]() | 2148 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, BZX384 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-76, SOD-323 | BZX384B3V9 | 200 MW | SOD-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 3 µa @ 1 v | 3.9 v | 90 옴 | |||||||||||||
![]() | UGB12Hthe3/81 | - | ![]() | 6159 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | UGB12 | 기준 | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 500 v | 1.75 V @ 12 a | 50 ns | 30 µa @ 500 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 12a | - | ||||||||||
MMBZ5246B-E3-08 | - | ![]() | 6125 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5246 | 225 MW | SOT-23-3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 na @ 12 v | 16 v | 17 옴 | ||||||||||||||
![]() | VS-20ETF12FP-M3 | 3.6000 | ![]() | 2205 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-220-2 풀 -2 | 20etf12 | 기준 | TO-220-2 풀 -2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1200 v | 1.31 V @ 20 a | 400 ns | 100 µa @ 1200 v | -40 ° C ~ 150 ° C | 20A | - | ||||||||||
![]() | 1N5397GPHE3/54 | - | ![]() | 5934 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Superectifier® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | DO-204AC, DO-15, 축 방향 | 1N5397 | 기준 | DO-204AC (DO-15) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 짐 | 600 v | 1.4 V @ 1.5 a | 2 µs | 5 µa @ 600 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1.5A | 15pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | vs-12cwq06fntrhm3 | 1.3226 | ![]() | 9981 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | 12CWQ06 | Schottky | D-PAK (TO-252AA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | vs12cwq06fntrhm3 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 60 v | 6A | 610 MV @ 6 a | 3 ma @ 60 v | 150 ° C (°) | ||||||||||
BZT52C3V0-HE3_A-08 | 0.0533 | ![]() | 7946 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, BZT52 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123 | 300MW | SOD-123 | 다운로드 | 112-BZT52C3V0-HE3_A-08TR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 10 µa @ 1 v | 3 v | 95 옴 | |||||||||||||||||
![]() | BYM12-300HE3_A/H | - | ![]() | 3638 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, Superectifier® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | do-213ab, melf (유리) | BYM12 | 기준 | do-213ab | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | BYM12-300HE3_B/H | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 300 v | 1.25 V @ 1 a | 50 ns | 5 µa @ 300 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 14pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | VS-16CTQ060S-M3 | 0.9040 | ![]() | 8696 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | 16ctq060 | Schottky | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 60 v | 8a | 720 MV @ 8 a | 550 µa @ 60 v | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||
![]() | BYS11-90-E3/TR3 | 0.4700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | BYS11 | Schottky | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 90 v | 750 mv @ 1 a | 100 µa @ 90 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5A | - | |||||||||||
![]() | VS-6TQ045STRPBF | - | ![]() | 1442 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | 6TQ045 | Schottky | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 45 v | 600 mV @ 6 a | 800 µa @ 45 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 6A | 400pf @ 5V, 1MHz | |||||||||||
![]() | MBRB1035HE3/81 | - | ![]() | 9577 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MBRB10 | Schottky | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 35 v | 840 mV @ 20 a | 100 µa @ 35 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | |||||||||||
MMBZ5237B-HE3-18 | - | ![]() | 3205 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5237 | 225 MW | SOT-23-3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 3 µa @ 6.5 v | 8.2 v | 6 옴 | ||||||||||||||
![]() | GDZ33B-E3-18 | 0.0360 | ![]() | 3601 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | GDZ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 4% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-76, SOD-323 | GDZ33 | 200 MW | SOD-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 25 v | 33 v | 250 옴 | |||||||||||||
![]() | v5nm153hm3/i | 0.5300 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, TMBS® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면, 마운트 측면 | 2-vdfn | v5nm153 | Schottky | DFN3820A | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 14,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 150 v | 970 MV @ 5 a | 50 µa @ 150 v | -40 ° C ~ 175 ° C | 1.9a | 290pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||
![]() | GP10GE-6329M3/73 | - | ![]() | 3396 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Superectifier® | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | GP10 | 기준 | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 짐 | 400 v | 1.1 v @ 1 a | 3 µs | 5 µa @ 400 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 8pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | mbrs1100tr | - | ![]() | 7515 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | MBRS1 | Schottky | DO-214AA (SMB) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 780 MV @ 1 a | 500 µa @ 100 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | |||||||||||
![]() | vssaf5m10-m3/i | 0.1238 | ![]() | 1850 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | TMBS®, Slimsma ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | do-221ac, sma 플랫 리드 | SAF5M10 | Schottky | DO-221AC (Slimsma) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 14,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 790 MV @ 5 a | 400 µa @ 100 v | -40 ° C ~ 175 ° C | 5a | 470pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | SS3P3L-M3/86A | 0.2362 | ![]() | 9597 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | ESMP® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-277, 3-powerdfn | SS3P3 | Schottky | TO-277A (SMPC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 30 v | 470 mV @ 3 a | 250 µa @ 30 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | |||||||||||
![]() | UH1DHE3/61T | - | ![]() | 2156 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | uh1 | 기준 | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 200 v | 1.05 V @ 1 a | 30 ns | 1 µa @ 200 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | ||||||||||
MBR1090-E3/4W | 0.7999 | ![]() | 4469 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | TMBS® | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-220-2 | MBR109 | Schottky | TO-220AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 90 v | 800 mV @ 10 a | 100 µa @ 90 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | ||||||||||||
![]() | TLZ10D-GS08 | 0.2500 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | TLZ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | TLZ10 | 500MW | SOD-80 최소값 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 v @ 200 ma | 40 NA @ 9.44 v | 10 v | 8 옴 | ||||||||||||
![]() | BZD17C12P-E3-18 | 0.5400 | ![]() | 8176 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | do-219ab | BZD17 | 800MW | DO-219AB (SMF) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 50,000 | 1.2 v @ 200 ma | 3 µa @ 9.1 v | 12 v | |||||||||||||
MBR10H90-E3/45 | - | ![]() | 8860 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-220-2 | MBR10 | Schottky | TO-220AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 90 v | 770 MV @ 10 a | 4.5 µa @ 90 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 10A | - |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고