SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
VSB3200S-M3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSB3200S-M3/54 -
RFQ
ECAD 8042 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 B3200 Schottky DO-204AC (DO-15) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VSB3200SM354 귀 99 8541.10.0080 4,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.4 V @ 3 a 50 µa @ 200 v -40 ° C ~ 150 ° C 3A 170pf @ 4V, 1MHz
DZ23C33-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DZ23C33-HE3_A-08 -
RFQ
ECAD 8897 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, DZ23 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW SOT-23-3 다운로드 112-DZ23C33-HE3_A-08TR 귀 99 8541.10.0050 1 1 음극 음극 공통 100 na @ 25 v 33 v 40
VS-20ETF06S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20ETF06S-M3 1.5543
RFQ
ECAD 8415 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 20etf06 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.3 V @ 20 a 160 ns 100 µa @ 600 v -40 ° C ~ 150 ° C 20A -
PTV12B-M3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division PTV12B-M3/84A 0.1223
RFQ
ECAD 7194 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-220AA PTV12 600MW DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.5 v @ 200 ma 10 µa @ 9 v 12.8 v 8 옴
V6PWM10-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v6pwm10-m3/i 0.5700
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 Schottky Slimdpak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 780 mv @ 6 a 150 µa @ 100 v -40 ° C ~ 175 ° C 6A 620pf @ 4V, 1MHz
BYG21M/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYG21M/54 -
RFQ
ECAD 3000 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA BYG21 눈사태 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.6 V @ 1.5 a 120 ns 1 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A -
BZX384B3V9-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384B3V9-HE3-08 0.0378
RFQ
ECAD 2148 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZX384 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384B3V9 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 3 µa @ 1 v 3.9 v 90 옴
UGB12HTHE3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UGB12Hthe3/81 -
RFQ
ECAD 6159 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB UGB12 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 500 v 1.75 V @ 12 a 50 ns 30 µa @ 500 v -55 ° C ~ 150 ° C 12a -
MMBZ5246B-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5246B-E3-08 -
RFQ
ECAD 6125 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5246 225 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 100 na @ 12 v 16 v 17 옴
VS-20ETF12FP-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20ETF12FP-M3 3.6000
RFQ
ECAD 2205 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 20etf12 기준 TO-220-2 풀 -2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1200 v 1.31 V @ 20 a 400 ns 100 µa @ 1200 v -40 ° C ~ 150 ° C 20A -
1N5397GPHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5397GPHE3/54 -
RFQ
ECAD 5934 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 1N5397 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,000 600 v 1.4 V @ 1.5 a 2 µs 5 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 1.5A 15pf @ 4V, 1MHz
VS-12CWQ06FNTRHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-12cwq06fntrhm3 1.3226
RFQ
ECAD 9981 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 12CWQ06 Schottky D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs12cwq06fntrhm3 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 6A 610 MV @ 6 a 3 ma @ 60 v 150 ° C (°)
BZT52C3V0-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52C3V0-HE3_A-08 0.0533
RFQ
ECAD 7946 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZT52 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 300MW SOD-123 다운로드 112-BZT52C3V0-HE3_A-08TR 귀 99 8541.10.0050 15,000 10 µa @ 1 v 3 v 95 옴
BYM12-300HE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYM12-300HE3_A/H -
RFQ
ECAD 3638 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, Superectifier® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-213ab, melf (유리) BYM12 기준 do-213ab 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 BYM12-300HE3_B/H 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.25 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 300 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 14pf @ 4V, 1MHz
VS-16CTQ060S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-16CTQ060S-M3 0.9040
RFQ
ECAD 8696 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 16ctq060 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 8a 720 MV @ 8 a 550 µa @ 60 v -55 ° C ~ 175 ° C
BYS11-90-E3/TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYS11-90-E3/TR3 0.4700
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA BYS11 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 750 mv @ 1 a 100 µa @ 90 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A -
VS-6TQ045STRRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-6TQ045STRPBF -
RFQ
ECAD 1442 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 6TQ045 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 600 mV @ 6 a 800 µa @ 45 v -55 ° C ~ 175 ° C 6A 400pf @ 5V, 1MHz
MBRB1035HE3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB1035HE3/81 -
RFQ
ECAD 9577 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB10 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 35 v 840 mV @ 20 a 100 µa @ 35 v -65 ° C ~ 150 ° C 10A -
MMBZ5237B-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5237B-HE3-18 -
RFQ
ECAD 3205 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5237 225 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 3 µa @ 6.5 v 8.2 v 6 옴
GDZ33B-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GDZ33B-E3-18 0.0360
RFQ
ECAD 3601 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division GDZ 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 4% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 GDZ33 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 25 v 33 v 250 옴
V5NM153HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v5nm153hm3/i 0.5300
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면, 마운트 측면 2-vdfn v5nm153 Schottky DFN3820A 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 14,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 970 MV @ 5 a 50 µa @ 150 v -40 ° C ~ 175 ° C 1.9a 290pf @ 4V, 1MHz
GP10GE-6329M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10GE-6329M3/73 -
RFQ
ECAD 3396 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 GP10 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 400 v 1.1 v @ 1 a 3 µs 5 µa @ 400 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
MBRS1100TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division mbrs1100tr -
RFQ
ECAD 7515 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AA, SMB MBRS1 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 780 MV @ 1 a 500 µa @ 100 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A -
VSSAF5M10-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division vssaf5m10-m3/i 0.1238
RFQ
ECAD 1850 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS®, Slimsma ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 SAF5M10 Schottky DO-221AC (Slimsma) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 14,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 790 MV @ 5 a 400 µa @ 100 v -40 ° C ~ 175 ° C 5a 470pf @ 4V, 1MHz
SS3P3L-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS3P3L-M3/86A 0.2362
RFQ
ECAD 9597 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn SS3P3 Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 470 mV @ 3 a 250 µa @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
UH1DHE3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division UH1DHE3/61T -
RFQ
ECAD 2156 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AC, SMA uh1 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.05 V @ 1 a 30 ns 1 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A -
MBR1090-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR1090-E3/4W 0.7999
RFQ
ECAD 4469 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 MBR109 Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 800 mV @ 10 a 100 µa @ 90 v -65 ° C ~ 150 ° C 10A -
TLZ10D-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TLZ10D-GS08 0.2500
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TLZ 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TLZ10 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.5 v @ 200 ma 40 NA @ 9.44 v 10 v 8 옴
BZD17C12P-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD17C12P-E3-18 0.5400
RFQ
ECAD 8176 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 do-219ab BZD17 800MW DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 50,000 1.2 v @ 200 ma 3 µa @ 9.1 v 12 v
MBR10H90-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR10H90-E3/45 -
RFQ
ECAD 8860 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 MBR10 Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 770 MV @ 10 a 4.5 µa @ 90 v -65 ° C ~ 175 ° C 10A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고