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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 구조 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 현재 -홀드 (ih) (최대) 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 전압 -상태 (vtm) (최대) 현재- it (it (av)) (max) Current -Off State (Max) scr 유형 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f scrs, 수 다이오드 IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) vce (on) (max) @ vge, ic 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 입력 입력 (cie) @ vce
MMSZ4685-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ4685-E3-08 0.2700
RFQ
ECAD 29 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ4685 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 7.5 µa @ 2 v 3.6 v
RGP15DHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP15DHE3/54 -
RFQ
ECAD 5211 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 RGP15 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.3 V @ 1.5 a 150 ns 5 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C 1.5A -
BYT78-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYT78-TR 1.1500
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 SOD-64,, 방향 BYT78 눈사태 SOD-64 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.2 v @ 3 a 250 ns 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 175 ° C 3A -
EGP10AE-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP10AE-E3/54 -
RFQ
ECAD 5116 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 egp10ae 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 1 (무제한) 112-EGP10AE-E3/54TR 귀 99 8541.10.0080 1,100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 950 MV @ 1 a 50 ns 5 µa @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 22pf @ 4V, 1MHz
BZG05B7V5-HE3-TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05B7V5-HE3-TR3 -
RFQ
ECAD 7798 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZG05B 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG05 1.25 w DO-214AC - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 4.5 v 7.5 v 3 옴
IRKT92/08A Vishay General Semiconductor - Diodes Division IRKT92/08A -
RFQ
ECAD 3682 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 Add-A-Pak (3 + 4) IRKT92 시리즈 시리즈 - 연결 scr 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 10 250 MA 800 v 210 a 2.5 v 1785a, 1870a 150 MA 95 a 2 scrs
BAS170WS-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAS170WS-HE3-08 0.4200
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-76, SOD-323 BAS170 Schottky SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 70 v 1 V @ 15 ma 10 µa @ 70 v -55 ° C ~ 125 ° C 70ma 2pf @ 0V, 1MHz
VS-25TTS12STRLPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-25tts12strlpbf -
RFQ
ECAD 3503 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 25TTS12 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 800 150 MA 1.2kV 25 a 2 v 350A @ 50Hz 45 MA 1.25 v 16 a 500 µA 표준 표준
BZD27C9V1P-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C9V1P-HE3-18 0.1520
RFQ
ECAD 3486 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZD27C 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 do-219ab BZD27C9V1 800MW DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 50,000 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 5 v 9.1 v 4 옴
FES8GT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FES8GT-E3/45 1.1200
RFQ
ECAD 387 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 FES8 기준 TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 V @ 8 a 50 ns 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a -
V10K150C-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v10k150c-m3/i 0.3340
RFQ
ECAD 5184 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 8-powertdfn Schottky Flatpak (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 112-V10K150C-M3/ITR 귀 99 8541.10.0080 6,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 3A 1.08 V @ 5 a 200 µa @ 150 v -40 ° C ~ 150 ° C
VS-8ETX06-1PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8ETX06-1PBF -
RFQ
ECAD 8572 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA 8etx06 기준 TO-262-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 3 V @ 8 a 24 ns 50 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 8a -
8AF1RPP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 8AF1RPP -
RFQ
ECAD 7225 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 섀시, 마운트 스터드 B-47 8AF1 기준 B-47 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *8AF1RPP 귀 99 8541.10.0080 100 100 v 7 ma @ 100 v -65 ° C ~ 195 ° C 50a -
CSA2G-E3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division CSA2G-E3/H -
RFQ
ECAD 9719 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AC, SMA CSA2 기준 DO-214AC (SMA) - 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 400 v 1.15 V @ 2 a 2.1 µs 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 11pf @ 4V, 1MHz
VS-HFA30TA60CSL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-HFA30TA60CSL-M3 1.1245
RFQ
ECAD 5459 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Hexfred® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB HFA30 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 600 v 15A (DC) 2 V @ 30 a 60 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C
VS-30CPF10PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30CPF10PBF -
RFQ
ECAD 5128 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-247-3 30cpf10 기준 TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.41 V @ 30 a 450 ns 100 @ 1000 v -40 ° C ~ 150 ° C 30A -
V2FM10HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division v2fm10hm3/h 0.4200
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab V2FM10 Schottky DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 830 mv @ 2 a 55 µa @ 100 v -40 ° C ~ 175 ° C 2A 150pf @ 4V, 1MHz
VS-20CTQ040SPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20CTQ040SPBF -
RFQ
ECAD 4316 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 20ctq040 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs20ctq040spbf 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 20A 760 mV @ 20 a 2 ma @ 40 v 175 ° C (°)
VS-VSKH250-04PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKH250-04PBF 190.8650
RFQ
ECAD 2375 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 130 ° C (TJ) 섀시 섀시 Magn-A-Pak (3) VSKH250 시리즈 시리즈 - scr/다이오드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VSVSKH25004PBF 귀 99 8541.30.0080 2 500 MA 400 v 555 a 3 v 8500A, 8900A 200 MA 250 a 1 scr, 1 다이오드
HFA08PB60 Vishay General Semiconductor - Diodes Division HFA08PB60 -
RFQ
ECAD 9794 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-247-2 HFA08 기준 TO-247AC ac 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 8 a 55 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a -
MMBZ4698-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ4698-G3-08 -
RFQ
ECAD 8810 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ4698 350 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 50 na @ 8.4 v 11 v
BZD27C27P-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C27P-M3-08 0.1650
RFQ
ECAD 6470 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZD27-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 do-219ab BZD27C27 800MW DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 30,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 20 v 27 v 15 옴
VS-ST330C12L1 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST330C12L1 146.5800
RFQ
ECAD 5459 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 TO-200AB, E-PUK ST330 TO-200AB (E-PUK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vsst330c12l1 귀 99 8541.30.0080 3 600 MA 1.2kV 1420 a 3 v 7570A, 7920A 200 MA 1.96 v 720 a 50 MA 표준 표준
AU3PJHM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division au3pjhm3_a/h 0.6765
RFQ
ECAD 3393 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn AU3 눈사태 TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.9 V @ 3 a 75 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 1.7a 72pf @ 4V, 1MHz
BZX55C56-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55C56-TR 0.2300
RFQ
ECAD 30 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZX55 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX55C56 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 43 v 56 v 135 옴
VS-ST083S12MFK0L Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST083S12MFK0L -
RFQ
ECAD 7489 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시, 마운트 스터드 TO-209AC, TO-94-4, 스터드 ST083 TO-209AC (TO-94) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vsst083s12mfk0l 귀 99 8541.30.0080 25 600 MA 1.2kV 135 a 3 v 2060a, 2160a 200 MA 2.15 v 85 a 30 MA 표준 표준
VS-GT80DA120U Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT80DA120U 38.9900
RFQ
ECAD 3455 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Hexfred® 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 GT80 658 w 기준 SOT-227 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 하나의 도랑 1200 v 139 a 2.55V @ 15V, 80A 100 µa 아니요 4.4 NF @ 25 v
VS-88-7311 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-88-7311 -
RFQ
ECAD 9974 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 마지막으로 마지막으로 88-7311 - 112-VS-88-7311 1
VS-VSKV26/06 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKV26/06 37.4570
RFQ
ECAD 7801 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 - 섀시 섀시 Add-A-Pak (3 + 4) VSKV26 - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VSVSKV2606 귀 99 8541.30.0080 10 - -
IRKH142/14 Vishay General Semiconductor - Diodes Division IRKH142/14 -
RFQ
ECAD 3318 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 int-a-pak (3 + 2) IRKH142 시리즈 시리즈 - scr/다이오드 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRKH142/14 귀 99 8541.30.0080 3 200 MA 1.4kV 310 a 2.5 v 4500A, 4712A 150 MA 140 a 1 scr, 1 다이오드
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고