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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 구조 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 현재 -홀드 (ih) (최대) 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 전압 -상태 (vtm) (최대) 현재- it (it (av)) (max) Current -Off State (Max) scr 유형 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f scrs, 수 다이오드 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
VS-16TTS12STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-16TTS12STRL-M3 2.1400
RFQ
ECAD 9897 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 16TTS12 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 800 150 MA 1.2kV 16 a 2 v 200a @ 50Hz 60 MA 1.4 v 10 a 10 MA 표준 표준
VB20120SG-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VB20120SG-E3/4W 0.5942
RFQ
ECAD 7653 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB VB20120 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 120 v 1.33 V @ 20 a 250 µa @ 120 v -40 ° C ~ 150 ° C 20A -
UGF18CCT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UGF18CCT-E3/45 -
RFQ
ECAD 8059 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 UGF18 기준 ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 18a 1.1 v @ 9 a 30 ns 10 µa @ 150 v -65 ° C ~ 150 ° C
VS-MURD620CTTRLPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-murd620cttrlpbf -
RFQ
ECAD 2775 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 murd620 기준 D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 3A 1 V @ 3 a 35 ns 5 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C
20ETF10FP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 20etf10fp -
RFQ
ECAD 7551 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 20etf10 기준 TO-220AC 전체 ac - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.31 V @ 20 a 400 ns 100 @ 1000 v 20A -
VS-ST1230C16K0L Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST1230C16K0L 351.8300
RFQ
ECAD 8264 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 클램프 클램프 TO-200AC, K-PUK, A-24 ST1230 A-24 (K-PUK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VSST1230C16K0L 귀 99 8541.30.0080 2 600 MA 1.6kV 3200 a 3 v 28200A, 29500A 200 MA 1.62 v 1745 a 100 MA 표준 표준
BY253GP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BY253GP-E3/54 -
RFQ
ECAD 1177 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 by253 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,400 600 v 1.1 v @ 3 a 3 µs 5 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 3A 40pf @ 4V, 1MHz
VS-16CTQ080S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-16CTQ080S-M3 1.7500
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 16ctq080 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 80 v 8a 720 MV @ 8 a 550 µa @ 80 v -55 ° C ~ 175 ° C
HFA12PA120C Vishay General Semiconductor - Diodes Division HFA12PA120C -
RFQ
ECAD 7193 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Hexfred® 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-247-3 HFA12 기준 TO-247AC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *HFA12PA120C 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 1200 v 6A (DC) 3 v @ 6 a 80 ns 5 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 150 ° C
VSKHF200-12HK Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSKHF200-12HK -
RFQ
ECAD 4275 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 3-MAGN-A-PAK ™ VSKHF200 시리즈 시리즈 - scr/다이오드 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 2 600 MA 1.2kV 444 a 3 v 7600A, 8000A 200 MA 200a 1 scr, 1 다이오드
VS-ST230S08P0V Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST230S08P0V 112.3033
RFQ
ECAD 3601 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시, 마운트 스터드 to-209ab, to-93-4, 스터드 ST230 TO-209AB (TO-93) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 12 600 MA 800 v 360 a 3 v 5700A, 5970A 150 MA 1.55 v 230 a 30 MA 표준 표준
IRKH136/12 Vishay General Semiconductor - Diodes Division IRKH136/12 -
RFQ
ECAD 3705 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 int-a-pak (3 + 2) IRKH136 시리즈 시리즈 - scr/다이오드 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 3 200 MA 1.2kV 300 a 2.5 v 3200A, 3360A 150 MA 135 a 1 scr, 1 다이오드
IRKL56/06A Vishay General Semiconductor - Diodes Division IRKL56/06A -
RFQ
ECAD 9269 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 Add-A-Pak (3 + 2) IRKL56 시리즈 시리즈 - scr/다이오드 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 10 200 MA 600 v 135 a 2.5 v 1310a, 1370a 150 MA 60 a 1 scr, 1 다이오드
GP10D-M3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10D-M3/54 -
RFQ
ECAD 9564 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 GP10 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500 200 v 1.1 v @ 1 a 3 µs 5 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
VS-50PF40W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-50PF40W 6.9500
RFQ
ECAD 7015 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 스터드 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 50pf40 기준 do-203ab (Do-5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 400 v 1.4 V @ 125 a -55 ° C ~ 180 ° C 50a -
VS-25TTS16STRLPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-25tts16strlpbf -
RFQ
ECAD 9108 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 25TTS16 to-263ab (d²pak) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs25tts16strlpbf 귀 99 8541.30.0080 800 150 MA 1.6kV 25 a 2 v 300A @ 50Hz 45 MA 1.25 v 16 a 500 µA 표준 표준
VS-ST083S12PFK0 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST083S12PFK0 105.2996
RFQ
ECAD 3935 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시, 마운트 스터드 TO-209AC, TO-94-4, 스터드 ST083 TO-209AC (TO-94) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 25 600 MA 1.2kV 135 a 3 v 2450A, 2560A 200 MA 2.15 v 85 a 30 MA 표준 표준
MMBZ5227B-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5227B-HE3-18 -
RFQ
ECAD 5356 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5227 225 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 15 µa @ 1 v 3.6 v 24 옴
VS-ST303C10LFJ0 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-st303c10lfj0 216.4733
RFQ
ECAD 8107 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 TO-200AB, E-PUK ST303 TO-200AB (E-PUK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 3 600 MA 1kv 995 a 3 v 7950A, 8320A 200 MA 2.16 v 515 a 50 MA 표준 표준
IRKH105/08A Vishay General Semiconductor - Diodes Division IRKH105/08A -
RFQ
ECAD 3787 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 130 ° C (TJ) 섀시 섀시 Add-A-Pak (3 + 2) IRKH105 시리즈 시리즈 - scr/다이오드 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 10 200 MA 800 v 235 a 2.5 v 1785a, 1870a 150 MA 105 a 1 scr, 1 다이오드
UGB15JT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UGB15JT-E3/45 -
RFQ
ECAD 6785 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB UGB15 기준 to-263ab (d²pak) - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.75 V @ 15 a 50 ns 30 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C
IRKH57/16A Vishay General Semiconductor - Diodes Division IRKH57/16A -
RFQ
ECAD 9862 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 Add-A-Pak (3 + 2) IRKH57 시리즈 시리즈 - scr/다이오드 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 10 200 MA 1.6kV 135 a 2.5 v 1310a, 1370a 150 MA 60 a 1 scr, 1 다이오드
VS-ST083S12PFK0L Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST083S12PFK0L -
RFQ
ECAD 9970 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시, 마운트 스터드 TO-209AC, TO-94-4, 스터드 ST083 TO-209AC (TO-94) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vsst083s12pfk0l 귀 99 8541.30.0080 25 600 MA 1.2kV 135 a 3 v 2060a, 2160a 200 MA 2.15 v 85 a 30 MA 표준 표준
BZT52B56-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B56-G3-18 0.0483
RFQ
ECAD 8200 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZT52-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52B56 410 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 56 v 135 옴
SE07PJ-E3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE07PJ-E3/84A -
RFQ
ECAD 7664 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-220AA SE07 기준 DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 600 v 1.05 V @ 700 ma 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 700ma 5pf @ 4V, 1MHz
BZX384B62-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384B62-G3-18 0.0445
RFQ
ECAD 6825 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZX384-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384B62 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 50 NA @ 43.4 v 62 v 215 옴
V20100C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V20100C-E3/4W 1.6100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 V20100 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 10A 790 mV @ 10 a 800 µa @ 100 v -40 ° C ~ 150 ° C
AR3PGHM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division ar3pghm3_a/h 0.4950
RFQ
ECAD 7395 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn AR3 눈사태 TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.6 V @ 3 a 140 ns 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 1.8a 44pf @ 4V, 1MHz
BZX84B8V2-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B8V2-E3-18 0.0324
RFQ
ECAD 9835 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZX84 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84B8V2 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 700 na @ 5 v 8.2 v 15 옴
MPG06BHE3_A/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MPG06BHE3_A/73 -
RFQ
ECAD 4430 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 MPG06,, 방향 MPG06 기준 MPG06 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 100 v 1.1 v @ 1 a 600 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고