SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 현재 -홀드 (ih) (최대) 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 전압 -상태 (vtm) (최대) 현재- it (it (av)) (max) Current -Off State (Max) scr 유형 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
AZ23B4V3-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23B4V3-E3-18 0.0509
RFQ
ECAD 9132 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division AZ23 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23B4V3 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1 양극 양극 공통 4.3 v 95 옴
VS-80RIA120 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-80RIA120 48.8396
RFQ
ECAD 1037 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division * 대부분 활동적인 80ri120 - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 25
V35PW60HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v35pw60hm3/i 1.4300
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 v35pw60 Schottky Slimdpak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 720 MV @ 35 a 5 ma @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 35a 3600pf @ 4V, 1MHz
T40HFL10S02 Vishay General Semiconductor - Diodes Division T40HFL10S02 -
RFQ
ECAD 2822 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 D-55 T- 5 T40 기준 D-55 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *T40HFL10S02 귀 99 8541.10.0080 10 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 200 ns 100 @ 100 v 40a -
VS-112CNQ030ASMPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-112CNQ030ASMPBF -
RFQ
ECAD 5552 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 D-61-8-SM 112CNQ030 Schottky D-61-8-SM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs112cnq030asmpbf 귀 99 8541.10.0080 400 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 55A 490 mV @ 55 a 3.5 ma @ 30 v 150 ° C (°)
VS-HFA30PA60CPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-hfa30pa60cpbf -
RFQ
ECAD 3510 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Hexfred® 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-247-3 HFA30 기준 TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 600 v 15A (DC) 1.7 V @ 15 a 60 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C
MURS360HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division MURS360HE3_A/I 0.2932
RFQ
ECAD 1829 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC MURS360 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.28 V @ 3 a 75 ns 10 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 3A -
VS-40TPS12APBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40TPS12APBF -
RFQ
ECAD 1911 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 TO-247-3 40TPS12 TO-247AC - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 25 150 MA 1.2kV 55 a 2.5 v 600A @ 50Hz 150 MA 1.85 v 35 a 500 µA 표준 표준
VS-10CSH02-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10CSH02-M3/86A 0.7500
RFQ
ECAD 9350 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn 10csh02 기준 TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 5a 980 MV @ 5 a 18 ns 2 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C
VS-40HFR160M Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40HFR160M 15.8598
RFQ
ECAD 5372 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 40HFR160 표준, 극성 역 do-203ab (Do-5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VS40HFR160M 귀 99 8541.10.0080 100 1600 v 1.5 V @ 125 a -65 ° C ~ 160 ° C 40a -
SB150-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB150-E3/73 0.4300
RFQ
ECAD 21 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 SB150 Schottky DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 650 mV @ 1 a 500 µa @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A -
GP10-4007E-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10-4007E-E3/54 0.1840
RFQ
ECAD 3144 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 GP10 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500 1000 v - 1A -
BYD13GGP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYD13GGP-E3/54 -
RFQ
ECAD 1722 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 BYD13 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500 400 v 3 µs 5 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
BAT41-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAT41-TR 0.3900
RFQ
ECAD 49 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BAT41 Schottky DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 100 v 1 v @ 200 ma 100 na @ 100 v 125 ° C (°) 100ma 2pf @ 1v, 1MHz
VS-SD703C25S20L Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-SD703C25S20L 125.7600
RFQ
ECAD 9444 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 마지막으로 마지막으로 클램프 클램프 DO-200AB, B-PUK SD703 기준 DO-200AB, B-PUK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3 2500 v 2.2 v @ 1500 a 3 µs 50 ma @ 2500 v 700A -
10CTQ150STRR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 10CTQ150STR -
RFQ
ECAD 9636 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 10ctq Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 5a 930 MV @ 5 a 50 µa @ 150 v -55 ° C ~ 175 ° C
BZX85C24-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX85C24-TAP 0.3800
RFQ
ECAD 34 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZX85 컷 컷 (CT) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 BZX85C24 1.3 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 500 na @ 18 v 24 v 25 옴
MURS360-E3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division MURS360-E3/9AT 0.6900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC MURS360 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.28 V @ 3 a 75 ns 10 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 3A -
VS-45LR10 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-45LR10 34.6460
RFQ
ECAD 5787 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 마지막으로 마지막으로 스터드 스터드 DO-205AC, DO-30, 스터드 45LR10 표준, 극성 역 DO-205AC (DO-30) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VS45LR10 귀 99 8541.10.0080 25 100 v 1.33 V @ 471 a -40 ° C ~ 200 ° C 150a -
GP10MEHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division gp10mehe3/73 -
RFQ
ECAD 8782 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 GP10 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 1000 v 1.2 v @ 1 a 3 µs 5 µa @ 1000 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 7pf @ 4V, 1MHz
BZD27C47P-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C47P-E3-08 0.4100
RFQ
ECAD 4503 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZD27C 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 do-219ab BZD27C47 800MW DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 36 v 47 v 45 옴
BZD17C39P-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD17C39P-E3-08 0.1492
RFQ
ECAD 5980 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 do-219ab BZD17C39 800MW DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 30,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 30 v 39 v
BZG03C160TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03C160TR -
RFQ
ECAD 4874 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZG03C 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG03 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.2 v @ 500 ma 1 µa @ 120 v 160 v 350 옴
10BQ060TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 10bq060tr -
RFQ
ECAD 2460 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AA, SMB 10BQ060 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 600 mV @ 1 a 100 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 62pf @ 5V, 1MHz
MBRF1035-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRF1035-E3/45 -
RFQ
ECAD 7762 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2, 분리 된 탭 MBRF1035 Schottky ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 35 v 840 mV @ 20 a 100 µa @ 35 v -65 ° C ~ 150 ° C 10A -
SMZJ3794BHM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division smzj3794bhm3/h -
RFQ
ECAD 8460 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB smzj37 1.5 w DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 750 5 µa @ 12.2 v 16 v 10 옴
BZG05C51-E3-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C51-E3-TR -
RFQ
ECAD 3241 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZG05C 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG05 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 39 v 51 v 115 옴
SE20PAJ-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE20PAJ-M3/I 0.4100
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-220AA SE20 기준 DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 600 v 1.05 V @ 2 a 1.2 µs 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 1.6a 13pf @ 4V, 1MHz
LL103C-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division LL103C-GS18 0.4300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 LL103 Schottky SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 20 v 600 mv @ 200 ma 10 ns 5 µa @ 10 v 125 ° C (°) 200ma 50pf @ 0V, 1MHz
VS-71HF140 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-71HF140 14.6379
RFQ
ECAD 1837 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 71HF140 기준 do-203ab (Do-5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1400 v 1.46 V @ 220 a 4.5 ma @ 1400 v -65 ° C ~ 150 ° C 70A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고