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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 구조 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 현재 -홀드 (ih) (최대) 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 현재- it (it (av)) (max) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f scrs, 수 다이오드 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
RS1D-M3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division RS1D-M3/5AT 0.0682
RFQ
ECAD 5264 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA RS1D 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
15CTQ035S Vishay General Semiconductor - Diodes Division 15ctq035s -
RFQ
ECAD 1602 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 15ctq Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *15ctq035s 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 7.5A 550 MV @ 7.5 a 800 µa @ 35 v -55 ° C ~ 150 ° C
BAS40-02V-HG3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAS40-02V-HG3-08 0.3400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-79, SOD-523 BAS40 기준 SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 8,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 40 v 1 v @ 40 ma 5 ns 100 na @ 30 v 125 ° C 120ma 4pf @ 0V, 1MHz
1N5237B-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5237B-TR 0.2300
RFQ
ECAD 35 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% - 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5237 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 200 ma 3 µa @ 6.5 v 8.2 v 8 옴
VS-10ETF12FPPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-10etf12fppbf -
RFQ
ECAD 9093 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 10etf12 기준 TO-220AC 전체 ac 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1200 v 1.33 V @ 10 a 310 ns -40 ° C ~ 150 ° C 10A -
1N4934GPE-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4934GPE-E3/54 0.1754
RFQ
ECAD 6623 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4934 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.2 v @ 1 a 200 ns 5 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
SS210HE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS210HE3_A/H 0.4700
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB SS210 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 750 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 950 MV @ 3 a 30 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A -
BY527TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division by527tr 0.2574
RFQ
ECAD 8745 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 SOD-57,, 방향 by527 눈사태 SOD-57 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25,000 800 v 1.65 V @ 10 a 4 µs 1 µa @ 800 v -55 ° C ~ 175 ° C 2A 16pf @ 4V, 1MHz
BZG03C51TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03C51TR -
RFQ
ECAD 1151 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZG03C 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG03 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 500 ma 1 µa @ 39 v 51 v 60 옴
BZD27B12P-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27B12P-HE3-08 0.1238
RFQ
ECAD 8691 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZD27B 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 do-219ab BZD27 800MW DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 30,000 1.2 v @ 200 ma 3 µa @ 9.1 v 12 v 7 옴
MBR16H45HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR16H45HE3/45 -
RFQ
ECAD 4420 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 MBR16 Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 660 mV @ 16 a 100 µa @ 45 v -65 ° C ~ 175 ° C 16A -
SS1FL4HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss1fl4hm3/h 0.3900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab ss1fl4 Schottky DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 1 a 200 µa @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 115pf @ 4V, 1MHz
VS-8ETH03-1PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8ETH03-1PBF -
RFQ
ECAD 4564 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, FRED PT® 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA 8ETH03 기준 TO-262AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs8eth031pbf 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.25 V @ 8 a 27 ns 20 µa @ 300 v -65 ° C ~ 175 ° C 8a -
VS-85HFR120M Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-85HFR120M 24.4600
RFQ
ECAD 100 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 85HFR120 표준, 극성 역 do-203ab (Do-5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 1200 v 1.2 v @ 267 a -65 ° C ~ 180 ° C 85A -
VS-VSKV91/08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKV91/08 44.0280
RFQ
ECAD 2855 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 Add-A-Pak (3 + 4) VSKV91 일반적인 일반적인 - 양극 scr 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VSVSKV9108 귀 99 8541.30.0080 10 250 MA 800 v 150 a 2.5 v 2000a, 2094a 150 MA 95 a 2 scrs
V8P8-M3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division V8P8-M3/87A 0.2652
RFQ
ECAD 2721 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn v8p8 Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 80 v 660 mV @ 8 a 700 µa @ 80 v -40 ° C ~ 150 ° C 4a -
VB30M120CHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division VB30M120CHM3/i -
RFQ
ECAD 7832 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TMBS® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB VB30M Schottky TO-263AB 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 120 v 15a 980 MV @ 15 a 800 µa @ 120 v -40 ° C ~ 150 ° C
BZT52B30-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B30-HE3_A-08 0.0533
RFQ
ECAD 8349 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZT52 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 300MW SOD-123 다운로드 112-BZT52B30-HE3_A-08TR 귀 99 8541.10.0050 15,000 100 na @ 22.5 v 30 v 80 옴
VS-15ETL06-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-15ETL06-N3 -
RFQ
ECAD 3026 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 15etl06 기준 TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VS-15ETL06-N3GI 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.05 V @ 15 a 270 ns 10 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 15a -
80CPQ020 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 80cpq020 -
RFQ
ECAD 2535 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-247-3 80cpq Schottky TO-247AC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 20 v 40a 460 MV @ 40 a 5.5 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
BAS286-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAS286-GS18 0.0631
RFQ
ECAD 8304 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-80 변형 BAS286 Schottky SOD-80 Quadromelf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 50 v 900 mv @ 100 ma 5 µa @ 40 v -65 ° C ~ 150 ° C 200ma 8pf @ 1v, 1MHz
VS-15ETH06STRLPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-15ETH06STRLPBF -
RFQ
ECAD 2555 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, FRED PT® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 15ETH06 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VS15ETH06STRLPBF 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2.2 v @ 15 a 29 ns 50 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 15a -
SBL4030PT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SBL4030PT-E3/45 1.6198
RFQ
ECAD 4451 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 SBL4030 Schottky TO-247AD (TO-3P) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 750 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 40a 580 mV @ 20 a 10 ma @ 30 v -40 ° C ~ 125 ° C
BAV101-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAV101-GS08 0.2100
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 bav101 기준 SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1 v @ 100 ma 50 ns 100 na @ 100 v 175 ° C (°) 250ma 1.5pf @ 0v, 1MHz
ZGL41-110A-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZGL41-110A-E3/96 0.2020
RFQ
ECAD 1707 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-213AB, MELF ZGL41 1 W. GL41 (DO-213AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 83.6 v 110 v 300 옴
ZMM5263B-7 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZMM5263B-7 -
RFQ
ECAD 4283 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AA ZMM52 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) ZMM5263B-7GI 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 43 v 56 v 150 옴
BYG10KHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg10khe3_a/i 0.1403
RFQ
ECAD 5574 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA byg10 눈사태 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 800 v 1.15 V @ 1.5 a 4 µs 1 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A -
GDZ30B-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GDZ30B-HE3-18 0.0378
RFQ
ECAD 1783 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, GDZ 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 4% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 GDZ30 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 23 v 30 v 200 옴
SMPZ3937B-E3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMPZ3937B-E3/84A -
RFQ
ECAD 9577 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-220AA smpz39 500MW DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.5 v @ 200 ma 500 NA @ 25.1 v 33 v 33 옴
BZX84C9V1-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84C9V1-HE3_A-18 0.0498
RFQ
ECAD 1192 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZX84 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW SOT-23-3 다운로드 112-BZX84C9V1-HE3_A-18TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 500 na @ 6 v 9.1 v 15 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고