- RFQ
- Bom
- 저희에게 연락하십시오
전화 : +86-0755-83501315
- 중국인
- 영어
- 프랑스 국민
- 독일 사람
- 포르투갈 인
- 스페인 사람
- 러시아인
- 일본어
- 한국인
- 아라비아 말
- 아일랜드
- 그리스 사람
- 터키
- 이탈리아 사람
- 덴마크 말
- 루마니아 사람
- 인도네시아 인
- 체코 사람
- 아프리카 어
- 스웨덴어
- 광택
- 바스크 사람
- 카탈로니아 사람
- 에스페란토 말
- 힌디 어
- 라오
- 알바니아
- 암하라
- 아르메니아 사람
- 아제르바이잔
- 벨로루시
- 벵골 사람
- 보스니아 인
- 불가리아 사람
- 세부 노
- Chichewa
- 코르시칸
- 크로아티아
- 네덜란드 사람
- 에스토니아 사람
- 필리핀
- 핀란드
- 프리 시안
- 갈리시아어
- 그루지야 사람
- 구자라트
- 아이티 섬 사람
- 하우사
- 하와이
- 헤브라이 사람
- 몽족
- 헝가리 인
- 아이슬란드
- Igbo
- 자바어
- 칸나다어
- 카자흐
- 크메르
- 쿠르드족
- 키르기즈
- 라틴어
- 라트비아 사람
- 리투아니아 사람
- 룩셈부 ..
- 마케도니아 어
- 마다가스카르 사람
- 말레이 사람
- 말라 얄 람어
- 몰티즈
- 마오리족
- 마라 티
- 몽고 어
- 버마 사람
- 네팔
- 노르웨이 인
- 파슈토
- 페르시아 인
- 펀 자브
- 세르비아 사람
- 세소 토
- 신 할라
- 슬로바키아 사람
- 슬로베니아
- 소말리아
- 사모아
- 스코틀랜드 게 일어
- 쇼나
- 신디
- Sundanese
- 스와 할리
- 태조
- 타밀 사람
- 텔루구 어
- 태국
- 우크라이나 말
- 우르두어
- 우즈벡
- 베트남 사람
- 웨일스 말
- Xhosa
- 이디시어
- 요 루바
- 줄루 족
- Kinyarwanda
- 타타르
- 오리 야
- 투르크멘 말
- uyghur
불연속 불연속 제품 (31214)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 다이오드 다이오드 | 전압- 리버스 피크 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | GSIB2540-E3/45 | 2.9200 |  | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, GSIB-5S | GSIB2540 | 기준 | GSIB-5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 12.5 a | 10 µa @ 400 v | 3.5 a | 단일 단일 | 400 v | ||||||||||||||
 | BZX84B24-HE3_A-08 | 0.0498 | | 3028 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, BZX84 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300MW | SOT-23-3 | 다운로드 | 112-BZX84B24-HE3_A-08TR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 50 NA @ 16.8 v | 24 v | 70 옴 | ||||||||||||||||||
 | GDZ5V1B-G3-08 | 0.3300 | | 48 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | GDZ-G | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-76, SOD-323 | GDZ5V1 | 200 MW | SOD-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 2 µa @ 1 v | 5.1 v | 80 옴 | |||||||||||||||
 | TZMC56-M-08 | 0.0324 | | 5821 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, TZM-M | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | TZMC56 | 500MW | SOD-80 최소값 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 12,500 | 1.5 v @ 200 ma | 100 na @ 43 v | 56 v | 135 옴 | ||||||||||||||
 | BZX55B2V7-TAP | 0.2200 | | 30 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, BZX55 | 컷 컷 (CT) | 활동적인 | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | BZX55B2V7 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 v @ 200 ma | 10 µa @ 1 v | 2.7 v | 85 옴 | ||||||||||||||
 | GBL01-E3/45 | 1.5800 | | 832 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, GBL | GBL01 | 기준 | GBL | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | GBL01E345 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.1 v @ 4 a | 5 µa @ 100 v | 3 a | 단일 단일 | 100 v | |||||||||||||
 | 3N256-E4/51 | - | | 1032 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 165 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, KBPM | 3N256 | 기준 | KBPM | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 600 | 1.1 v @ 3.14 a | 5 µa @ 400 v | 2 a | 단일 단일 | 400 v | ||||||||||||||
 | EDF1CS-E3/45 | 0.5991 | | 3810 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 날개 | EDF1 | 기준 | DFS | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.05 V @ 1 a | 5 µa @ 150 v | 1 a | 단일 단일 | 150 v | ||||||||||||||
| EDF1BS-E3/45 | 0.5991 | | 5165 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 날개 | EDF1 | 기준 | DFS | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.05 V @ 1 a | 5 µa @ 100 v | 1 a | 단일 단일 | 100 v | ||||||||||||||
 | BYT28B-400HE3_A/I | - | | 8353 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | BYT28 | 기준 | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 400 v | 5a | 1.3 V @ 5 a | 50 ns | 10 µa @ 400 v | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||
 | vs-2enh02-m3/84a | 0.3800 | | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | pt® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-220AA | 2enh02 | 기준 | DO-220AA (SMP) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 200 v | 1 V @ 2 a | 28 ns | 2 µa @ 200 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 2A | - | ||||||||||||
| DFL1514S-E3/77 | - | | 4106 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 날개 | DFL1514 | 기준 | DFS | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 1.1 v @ 1.5 a | 5 µa @ 1400 v | 1.5 a | 단일 단일 | 1.4kV | ||||||||||||||
 | VS-113MT160KPBF | 109.5933 | | 5124 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | MT-K 모듈 | 113MT160 | 기준 | MT-K | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | vs113mt160kpbf | 귀 99 | 8541.10.0080 | 15 | 110 a | 3 단계 | 1.6kV | |||||||||||||||
 | VS-GBPC3502A | 7.4200 | | 8286 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | vs-gbpc | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | QC 터미널 | 4- 스퀘어, GBPC-A | GBPC3502 | 기준 | GBPC-A | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 100 | 2 ma @ 200 v | 35 a | 단일 단일 | 200 v | |||||||||||||||
| GBU6JL-5303E3/45 | - | | 6488 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, GBU | GBU6 | 기준 | GBU | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 6 a | 5 µa @ 600 v | 3.8 a | 단일 단일 | 600 v | |||||||||||||||
| VS-92MT140KPBF | 96.1787 | | 4058 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | MT-K 모듈 | 92MT140 | 기준 | MT-K | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | VS92MT140KPBF | 귀 99 | 8541.10.0080 | 15 | 90 a | 3 단계 | 1.4kV | |||||||||||||||
 | B380C1500G-E4/51 | 0.8200 | | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4 원, wog | B380 | 기준 | wog | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 1 V @ 1.5 a | 10 µa @ 600 v | 1.5 a | 단일 단일 | 600 v | ||||||||||||||
| KBP06M-M4/51 | - | | 4051 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, KBPM | KBP06 | 기준 | KBPM | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 600 | 1.1 v @ 3.14 a | 5 µa @ 600 v | 1.5 a | 단일 단일 | 600 v | ||||||||||||||
| G2SBA20-M3/51 | - | | 2798 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, GBL | G2SBA20 | 기준 | GBL | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 400 | 1 V @ 750 ma | 5 µa @ 200 v | 1.5 a | 단일 단일 | 200 v | ||||||||||||||
| GBU4JL-6088E3/45 | - | | 4767 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, GBU | GBU4 | 기준 | GBU | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 4 a | 5 µa @ 600 v | 3 a | 단일 단일 | 600 v | |||||||||||||||
| U8CT-E3/4W | - | | 6020 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | U8 | 기준 | to-263ab (d²pak) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 150 v | 1.02 V @ 8 a | 20 ns | 10 µa @ 150 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 8a | - | ||||||||||||
 | gbu8g-e3/51 | 2.0600 | | 2302 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, GBU | GBU8 | 기준 | GBU | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 V @ 8 a | 5 µa @ 400 v | 3.9 a | 단일 단일 | 400 v | ||||||||||||||
 | BYT52J-TAP | 0.2871 | | 5325 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | SOD-57,, 방향 | BYT52 | 눈사태 | SOD-57 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 25,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 1.3 v @ 1 a | 200 ns | 5 µa @ 600 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 1.4a | - | ||||||||||||
| DZ23C15-E3-18 | 0.0415 | | 2437 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | DZ23 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DZ23 | 300MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 음극 음극 공통 | 100 na @ 11 v | 15 v | 30 옴 | ||||||||||||||
| DFL1501S-E3/77 | 0.3298 | | 5289 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 날개 | DFL1501 | 기준 | DFS | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 1.1 v @ 1.5 a | 5 µa @ 100 v | 1.5 a | 단일 단일 | 100 v | ||||||||||||||
| GBU8JL-5300E3/51 | - | | 4474 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, GBU | GBU8 | 기준 | GBU | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 8 a | 5 µa @ 600 v | 3.9 a | 단일 단일 | 600 v | |||||||||||||||
| GBL08L-5701E3/51 | - | | 4223 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, GBL | GBL08 | 기준 | GBL | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 4 a | 5 µa @ 800 v | 3 a | 단일 단일 | 800 v | |||||||||||||||
 | BU1006A-M3/45 | 2.2500 | | 799 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-sip, bu | BU1006 | 기준 | Isocink+™ BU | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.1 v @ 5 a | 10 µa @ 600 v | 10 a | 단일 단일 | 600 v | ||||||||||||||
 | BU15105S-M3/45 | - | | 5374 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, BU-5S | BU15105 | 기준 | ISOCINK+™ BU-5S | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 1.05 V @ 7.5 a | 5 µa @ 1000 v | 15 a | 단일 단일 | 1kv | ||||||||||||||
| GBU8KL-5301E3/45 | - | | 2241 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, GBU | GBU8 | 기준 | GBU | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 8 a | 5 µa @ 800 v | 3.9 a | 단일 단일 | 800 v |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
위시리스트 (0 항목)