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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
VS-4EGH06-M3/5BT	0.5900	RFQ	3	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	pt®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	4EGH06	기준		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,200	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.3 V @ 4 a	41 ns	3 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 175 ° C	4a	-
VS-70HFL40S05	11.6125	RFQ	2052	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인			섀시, 마운트 스터드	do-203ab, do-5, 스터드	70HFL40	기준		do-203ab (Do-5)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	100	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.85 V @ 219.8 a	500 ns	100 µa @ 400 v	-40 ° C ~ 125 ° C	70A	-
v60dm60c-m3/i	2.1200	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	ESMP®, TMBS®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²Pak (2 리드 + 탭) 변형	V60DM60	Schottky		TO-263AC (SMPD)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	60 v	30A	710 MV @ 30 a		2.1 ma @ 60 v	-40 ° C ~ 175 ° C
VSB1545-M3/73	-	RFQ	4190	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	TMBS®	테이프 & t (TB)	쓸모없는			구멍을 구멍을	p600, 축,	B1545	Schottky		P600	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	VSB1545M373	귀 99	8541.10.0080	300	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		45 v		590 mV @ 15 a		800 µa @ 45 v	-40 ° C ~ 150 ° C	6A	1290pf @ 4V, 1MHz
1N4947GP-E3/54	0.5000	RFQ	8230	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Superectifier®	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4947	기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		800 v		1.3 v @ 1 a	250 ns	1 µa @ 800 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
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VB60120C-E3/4W	1.3860	RFQ	7598	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	TMBS®	튜브	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	VB60120	Schottky		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	120 v	30A	950 MV @ 30 a		500 µa @ 120 v	-40 ° C ~ 150 ° C
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vs-1n1184r	-	RFQ	8371	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인			섀시, 마운트 스터드	do-203ab, do-5, 스터드	1N1184	표준, 극성 역		do-203ab (Do-5)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	100	짐		100 v		1.7 V @ 110 a		10 ma @ 100 v	-65 ° C ~ 190 ° C	35a	-
BZM55C20-TR3	0.0368	RFQ	7143	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, BZM55	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음	BZM55C20		500MW	마이크로 마이크로	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000					1.5 v @ 200 ma		100 na @ 15 v				20 v	220 옴
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1N4002/54	-	RFQ	8328	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4002	기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드	rohs 비준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,500	짐		100 v		1.1 v @ 1 a		5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
LL4148-GS18	0.1700	RFQ	116	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	LL4148	기준		SOD-80 최소값	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	10,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		75 v		1 V @ 50 ma	4 ns	5 µa @ 75 v	-65 ° C ~ 175 ° C	300ma	4pf @ 0V, 1MHz
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SML4758HE3_A/H	0.1658	RFQ	5978	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	SML4758		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,800							5 µa @ 42.6 v				56 v	110 옴
vs-6cwq10fntrhm3	1.0479	RFQ	2500	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	6CWQ10	Schottky		D-PAK (TO-252AA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	vs6cwq10fntrhm3	귀 99	8541.10.0080	2,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	100 v	3.5a	960 MV @ 6 a		1 ma @ 100 v	-40 ° C ~ 150 ° C
BZT52B4V3-HE3_A-18	0.0533	RFQ	5538	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, BZT52	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123			300MW	SOD-123	다운로드				112-BZT52B4V3-HE3_A-18TR	귀 99	8541.10.0050	10,000							1 µa @ 1 v				4.3 v	90 옴
MMSZ4701-G3-18	0.0409	RFQ	8768	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	MMSZ4701		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000							50 na @ 10.6 v				14 v
VLZ6V2A-GS08	-	RFQ	8548	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, VLZ	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	SOD-80 변형	VLZ6V2		500MW	SOD-80 Quadromelf	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500					1.5 v @ 200 ma		3 µa @ 4 v				5.94 v	10 옴
ES3GHE3_A/H	0.7700	RFQ	2	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	es3g	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	850	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.1 v @ 3 a	50 ns	10 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	30pf @ 4V, 1MHz
TZX36X-TAP	0.0273	RFQ	4027	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, TZX	테이프 & t (TB)	활동적인	-	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	TZX36		500MW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	30,000					1.5 v @ 200 ma		1 µa @ 27 v				36 v	140 옴
sd101c-tr	0.3600	RFQ	10	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	SD101	Schottky		DO-35 (DO-204AH)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	10,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		40 v		900 mv @ 15 ma		200 na @ 30 v	125 ° C (°)	30ma	2.2pf @ 0v, 1MHz
GPP20J-E3/54	0.3900	RFQ	15	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	GPP20	기준		DO-204AC (DO-15)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	4,000	짐		600 v		1.1 v @ 2 a		5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	-
BAT54S-HE3-18	0.3400	RFQ	45	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Bat54	Schottky		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	10,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	1 연결 연결 시리즈	30 v		800 mv @ 100 ma	5 ns	2 µa @ 25 v	125 ° C (°)
LL42-GS18	0.0733	RFQ	4277	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	LL42	Schottky		SOD-80 최소값	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	10,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		30 v		650 mV @ 50 mA	5 ns	500 na @ 25 v	125 ° C (°)	200ma	7pf @ 1v, 1MHz
SBL10L30-E3/45	-	RFQ	3751	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-220-2	sbl10l30	Schottky		TO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		30 v		520 MV @ 10 a		1 ma @ 30 v	-65 ° C ~ 150 ° C	10A	-
U3B-E3/9AT	0.2279	RFQ	1747	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	U3B	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		900 mV @ 3 a	20 ns	10 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (31214)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²