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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
zpy5v6-tr	0.0545	RFQ	9379	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	175 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	zpy5v6		1.3 w	DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	zpy5v6tr	귀 99	8541.10.0050	25,000								500 NA @ 1.5 v						5.6 v	1 옴
vssaf56hm3_a/h	0.4800	RFQ	4	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, TMBS®, Slimsma ™	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-221ac, sma 플랫 리드	SAF56	Schottky		DO-221AC (Slimsma)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		620 MV @ 5 a		400 µa @ 60 v	-40 ° C ~ 150 ° C	5a	540pf @ 4V, 1MHz
VBT5200-E3/4W	0.3731	RFQ	6003	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	VBT5200	Schottky		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		1.6 V @ 5 a		150 µa @ 200 v	-40 ° C ~ 150 ° C	5a	-
SE12DD-M3/I	0.9200	RFQ	15	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	ESMP®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²Pak (2 리드 + 탭) 변형	SE12	기준		TO-263AC (SMPD)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,000		짐		200 v		1.15 V @ 12 a	3 µs	20 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 175 ° C	3.2A	90pf @ 4V, 1MHz
SS22/1	-	RFQ	2644	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	SS22	Schottky		DO-214AA (SMB)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		20 v		500 mV @ 2 a		400 µa @ 20 v	-65 ° C ~ 125 ° C	2A	-
VS-80-7844	-	RFQ	1741	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	마지막으로 마지막으로					80-7844				-				112-VS-80-7844			1
TZM5234F-GS18	-	RFQ	8756	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-	175 ° C	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	TZM5234		500MW	SOD-80 최소값	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	10,000						1.1 v @ 200 ma		5 µa @ 4 v						6.2 v	1000 옴
W06G-E4/1	-	RFQ	1291	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4 원, wog		기준		wog	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000						1 V @ 1 a		5 µa @ 600 v		1.5 a		단일 단일	600 v
BYM11-800-E3/96	0.4300	RFQ	792	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Superectifier®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-213ab, melf (유리)	bym11	기준		do-213ab	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		800 v		1.3 v @ 1 a	500 ns	5 µa @ 800 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
US1K-M3/5AT	0.4100	RFQ	2083	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	US1K	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	7,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		800 v		1.7 V @ 1 a		10 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	-
S5K-M3/57T	0.1549	RFQ	8046	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	S5K	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	850		짐		800 v		1.15 V @ 5 a	2.5 µs	10 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	40pf @ 4V, 1MHz
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murb2020ct	-	RFQ	1952	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	pt®	튜브	쓸모없는			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	murb2020	기준		to-263ab (d²pak)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	200 v	10A	850 mV @ 8 a	35 ns	15 µa @ 200 v	-65 ° C ~ 175 ° C
v8pa12-m3/i	0.5400	RFQ	65	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	ESMP®, TMBS®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-221BC, SMA 플랫 리드 노출 패드	V8PA12	Schottky		DO-221BC (SMPA)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	14,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		120 v		870 mv @ 8 a		600 µa @ 120 v	-40 ° C ~ 150 ° C	8a	700pf @ 4V, 1MHz
V5PA22-M3/i	0.5900	RFQ	13	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-221BC, SMA 플랫 리드 노출 패드		Schottky		DO-221BC (SMPA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	14,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		900 mV @ 5 a		50 µa @ 200 v	-40 ° C ~ 175 ° C	2.3a	240pf @ 4V, 1MHz
BZG05B13-E3-TR3	-	RFQ	8466	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZG05B	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	BZG05		1.25 w	DO-214AC	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	6,000						1.2 v @ 200 ma		500 na @ 10 v						13 v	10 옴
MBRB1545CT	-	RFQ	9063	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	쓸모없는			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MBRB15	Schottky		to-263ab (d²pak)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	45 v	7.5A	840 MV @ 7.5 a		100 µa @ 45 v	-65 ° C ~ 150 ° C
VS-S1601	-	RFQ	4257	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	*	튜브	쓸모없는					S1601				-	Rohs3 준수	1 (무제한)			쓸모없는	0000.00.0000	50
VS-40HFLR80S05M	22.8068	RFQ	9241	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인			섀시, 마운트 스터드	do-203ab, do-5, 스터드	40HFLR80	표준, 극성 역		do-203ab (Do-5)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	VS40HFLR80S05M	귀 99	8541.10.0080	100		짐		800 v		1.3 v @ 125 a			-65 ° C ~ 190 ° C	40a	-
LL46-GS08	0.3800	RFQ	7	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	LL46	Schottky		SOD-80 최소값	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	2,500		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		100 v		1 V @ 250 mA		5 µa @ 75 v	125 ° C (°)	150ma	10pf @ 0V, 1MHz
DZ23C8V2-G3-08	0.0483	RFQ	7267	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	DZ23-G	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DZ23		300MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	15,000	1 음극 음극 공통							100 na @ 6 v						8.2 v	7 옴
V8PM12-M3/86A	0.6300	RFQ	7039	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	ESMP®, TMBS®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-277, 3-powerdfn	v8pm12	Schottky		TO-277A (SMPC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		120 v		840 mV @ 8 a		300 µa @ 120 v	-40 ° C ~ 150 ° C	8a	-
VS-6TQ040STRR-M3	0.5595	RFQ	8276	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	6TQ040	Schottky		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		600 mV @ 6 a		800 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 175 ° C	6A	400pf @ 5V, 1MHz
VS-10TQ045PBF	-	RFQ	3098	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	sic에서 중단되었습니다			구멍을 구멍을	TO-220-2	10TQ045	Schottky		TO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		45 v		760 mV @ 10 a		6 ma @ 45 v	-55 ° C ~ 175 ° C	10A	-
BZG05B24-M3-18	0.1980	RFQ	3033	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZG05B-M	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	BZG05B24		1.25 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	6,000						1.2 v @ 200 ma		500 na @ 18 v						24 v	25 옴
BZG05B11-HM3-08	0.2079	RFQ	1362	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, BZG05B-M	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	BZG05B11		1.25 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	6,000						1.2 v @ 200 ma		500 NA @ 8.2 v						11 v	8 옴
MMSZ4691-HE3-18	0.0378	RFQ	8672	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	MMSZ4691		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000								10 µa @ 5 v						6.2 v
12cwq03fntr	-	RFQ	5195	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	12CWQ	Schottky		D-PAK (TO-252AA)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	30 v	6A	470 mV @ 6 a		3 ma @ 30 v	-55 ° C ~ 150 ° C
FGP30BHE3/73	-	RFQ	4262	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, Superectifier®	테이프 & t (TB)	쓸모없는			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	FGP30	기준		DO-204AC (DO-15)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		950 MV @ 3 a	35 ns	5 µa @ 100 v	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	70pf @ 4V, 1MHz
VS-80CPQ150PBF	-	RFQ	6276	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-247-3	80cpq15	Schottky		TO-247AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	25		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	150 v	40a	860 mV @ 40 a		200 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 175 ° C

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (31214)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²