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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	현재 -홀드 (ih) (최대)	전압 - 상태 꺼짐	현재- it (it (rms)) (max)	짐	짐	현재- 트리거 게이트 (igt) (최대)	전압 -상태 (vtm) (최대)	현재- it (it (av)) (max)	Current -Off State (Max)	scr 유형	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
BZX384B56-HE3-18	0.0378	RFQ	1693	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, BZX384	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-76, SOD-323	BZX384B56		200 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000																	50 NA @ 39.2 v				56 v	200 옴
AS4PDHM3/87A	-	RFQ	3413	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	ESMP®	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	TO-277, 3-powerdfn	AS4	눈사태		TO-277A (SMPC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	6,500	짐												200 v		962 MV @ 2 a	1.8 µs	10 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 175 ° C	2.4a	60pf @ 4V, 1MHz
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VLZ36C-GS18	-	RFQ	2491	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, VLZ	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	SOD-80 변형	VLZ36		500MW	SOD-80 Quadromelf	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000															1.5 v @ 200 ma		40 µa @ 31.7 v				34.27 v	75 옴
SMZJ3792BHM3_A/H	0.1815	RFQ	3361	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMZJ3792		1.5 w	DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	750																	5 µa @ 9.9 v				13 v	7.5 옴
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GDZ33B-E3-18	0.0360	RFQ	3601	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	GDZ	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 4%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-76, SOD-323	GDZ33		200 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000																	100 na @ 25 v				33 v	250 옴
VS-MURD620CT-M3	0.8700	RFQ	4609	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	pt®	튜브	활동적인			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	murd620	기준		D-PAK (TO-252AA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	VS-MURD620CT-M3GI	귀 99	8541.10.0080	75	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											1 음극 음극 공통	200 v	6A	1.2 v @ 6 a	19 ns	5 µa @ 200 v	-65 ° C ~ 175 ° C
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TLZ15B-GS18	0.0335	RFQ	1963	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	TLZ	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	TLZ15		500MW	SOD-80 최소값	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000															1.5 v @ 200 ma		40 NA @ 13.2 v				15 v	16 옴
VS-45LR10	34.6460	RFQ	5787	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	마지막으로 마지막으로			스터드 스터드	DO-205AC, DO-30, 스터드	45LR10	표준, 극성 역		DO-205AC (DO-30)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	VS45LR10	귀 99	8541.10.0080	25	짐												100 v		1.33 V @ 471 a			-40 ° C ~ 200 ° C	150a	-
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as3pjhm3/86a	-	RFQ	4794	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, ESMP®	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	TO-277, 3-powerdfn	AS3	눈사태		TO-277A (SMPC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,500	짐												600 v		920 MV @ 1.5 a	1.2 µs	10 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 175 ° C	2.1a	37pf @ 4V, 1MHz
TZQ5235B-GS18	0.0303	RFQ	3922	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	SOD-80 변형	TZQ5235		500MW	SOD-80 Quadromelf	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000															1.5 v @ 200 ma		3 µa @ 5 v				6.8 v	5 옴
VS-SD553C30S50L	162.0800	RFQ	1641	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	마지막으로 마지막으로			클램프 클램프	DO-200AB, B-PUK	SD553	기준		DO-200AB, B-PUK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3	짐												3000 v		3.24 V @ 1500 a	5 µs	75 ma @ 3000 v		560a	-
se10fjhm3/h	0.4400	RFQ	29	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	SE10	기준		DO-219AB (SMF)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	짐												600 v		1.05 V @ 1 a	780 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	7.5pf @ 4V, 1MHz
VS-22RIA40	11.8406	RFQ	5111	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인		-65 ° C ~ 125 ° C	섀시, 마운트 스터드	TO-208AA, TO-48-3, 스터드	22RIA40			TO-208AA (TO-48)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	100		130 MA	400 v	35 a	2 v	400A, 420A	60 MA	1.7 v	22 a	10 MA	표준 표준
VT2045CBP-M3/4W	0.8471	RFQ	5059	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	TMBS®	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	VT2045	Schottky		TO-220-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											1 음극 음극 공통	45 v	10A	580 mV @ 10 a		2 ma @ 45 v	200 ° C (()
1N6479HE3/96	-	RFQ	2730	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Superectifier®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-213ab, melf (유리)	1N6479	기준		do-213ab	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1N6479HE3_A/H	귀 99	8541.10.0080	1,500	짐												100 v		1.1 v @ 1 a		10 µa @ 100 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8pf @ 4V, 1MHz
fep6ct-e3/45	-	RFQ	7628	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-220-3	fep6	기준		TO-220-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											1 음극 음극 공통	150 v	6A	975 MV @ 3 a	35 ns	5 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 150 ° C
VS-87HF120	8.7081	RFQ	1698	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인			섀시, 마운트 스터드	do-203ab, do-5, 스터드	87hf120	기준		do-203ab (Do-5)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	VS87HF120	귀 99	8541.10.0080	100	짐												1200 v		1.2 v @ 267 a			-65 ° C ~ 180 ° C	85A	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (31214)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²