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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 구조 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 현재 -홀드 (ih) (최대) 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 전압 -상태 (vtm) (최대) 현재- it (it (av)) (max) Current -Off State (Max) scr 유형 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f scrs, 수 다이오드 다이오드 다이오드 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
1N4151WS-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4151WS-HE3-08 0.0341
RFQ
ECAD 2753 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-76, SOD-323 1N4151 기준 SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 15,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 50 v 1 V @ 50 ma 4 ns 50 Na @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 150ma -
GP10-4007E-M3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10-4007E-M3/54 -
RFQ
ECAD 2180 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 GP10 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,500 1000 v 1.1 v @ 1 a 3 µs 5 µa @ 1000 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
VS-15CTQ035-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-15CTQ035-N3 -
RFQ
ECAD 6659 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 15ctq035 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs15ctq035n3 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 15a 700 mV @ 15 a 800 µa @ 35 v 150 ° C (°)
MBRB2550CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB2550CT-E3/45 -
RFQ
ECAD 6411 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB25 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 50 v 15a 750 mV @ 15 a 1 ma @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C
FESE16AT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FESE16AT-E3/45 -
RFQ
ECAD 8796 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 FESE16 기준 TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 975 MV @ 16 a 35 ns 10 µa @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C
VS-16TTS08FPPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-16TTS08FPPBF -
RFQ
ECAD 1254 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 16TTS08 TO-220AB Full-Pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 1,000 100 MA 800 v 16 a 2 v 200a @ 50Hz 60 MA 1.4 v 10 a 500 µA 표준 표준
FESB8GTHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division FESB8GTHE3_A/I 0.8910
RFQ
ECAD 3485 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FESB8 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 V @ 8 a 50 ns 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a -
VS-30EPU12L-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30EPU12L-N3 1.7622
RFQ
ECAD 9299 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-2 30epu12 기준 TO-247AD 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1200 v 2.68 V @ 30 a 220 ns 145 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 30A -
MMSZ5255C-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5255C-E3-18 0.0433
RFQ
ECAD 5648 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ5255 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 21 v 28 v 44 옴
G2SBA60L-6847E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G2SBA60L-6847E3/51 -
RFQ
ECAD 8350 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 - - - G2SBA60 - - - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 1 -
ESH2CHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division ESH2CHE3_A/I 0.1576
RFQ
ECAD 9921 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB ESH2 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,200 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 930 MV @ 2 a 25 ns 2 µa @ 150 v -55 ° C ~ 175 ° C 2A 30pf @ 4V, 1MHz
SS15P3S-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS15P3S-M3/86A 0.9700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn SS15 Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 570 mV @ 15 a 1 ma @ 30 v 200 ° C (() 15a -
VS-40HFL10S05 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40HFL10S05 9.3774
RFQ
ECAD 7922 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 40HFL10 기준 do-203ab (Do-5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.95 V @ 40 a 500 ns 100 @ 100 v -40 ° C ~ 125 ° C 40a -
GP30GHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP30GHE3/73 -
RFQ
ECAD 4032 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, Superectifier® 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 GP30 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 400 v 1.1 v @ 3 a 5 µs 5 µa @ 400 v -65 ° C ~ 175 ° C 3A -
V40120C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V40120C-E3/4W 2.3800
RFQ
ECAD 3913 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 v40120 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 120 v 20A 880 mV @ 20 a 500 µa @ 120 v -40 ° C ~ 150 ° C
TLZ9V1C-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TLZ9V1C-GS18 0.0335
RFQ
ECAD 6874 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TLZ 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 tlz9v1 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 40 NA @ 8.39 v 9.1 v 8 옴
VSKL170-16 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSKL170-16 -
RFQ
ECAD 1897 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 - 섀시 섀시 3-MAGN-A-PAK ™ VSKL170 시리즈 시리즈 - scr/다이오드 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 2 500 MA 1.6kV 377 a 3 v 5100A, 5350A 200 MA 170 a 1 scr, 1 다이오드
BYG10MHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg10mhe3_a/i 0.1452
RFQ
ECAD 5616 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA byg10 눈사태 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 1000 v 1.15 V @ 1.5 a 4 µs 1 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A -
BZX84C8V2-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84C8V2-E3-08 0.2300
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZX84 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C8V2 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 700 na @ 5 v 8.2 v 15 옴
GI856-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GI856-E3/73 -
RFQ
ECAD 6016 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 GI856 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.25 V @ 3 a 200 ns 10 µa @ 600 v -50 ° C ~ 150 ° C 3A 28pf @ 4V, 1MHz
MMSZ5267B-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5267B-E3-08 0.2700
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ5267 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 56 v 75 v 270 옴
BZX84C3V9-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84C3V9-HE3-18 0.0323
RFQ
ECAD 9411 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZX84 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C3V9 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 3 µa @ 1 v 3.9 v 90 옴
VS-10ETF12FP-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10etf12FP-M3 2.6700
RFQ
ECAD 245 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 10etf12 기준 TO-220-2 풀 -2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs10etf12fpm3 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1200 v 1.33 V @ 10 a 310 ns 100 @ 1000 v -40 ° C ~ 150 ° C 10A -
1N4002E-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4002E-E3/73 0.4100
RFQ
ECAD 17 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4002 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 100 v 1.1 v @ 1 a 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
GP10JE-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10JE-M3/73 -
RFQ
ECAD 5993 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 GP10 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 600 v 1.1 v @ 1 a 3 µs 5 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
IRKD91/12A Vishay General Semiconductor - Diodes Division IRKD91/12A -
RFQ
ECAD 7015 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 Add-A-Pak (3) IRKD91 기준 Add-a-Pak® 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10 1 연결 연결 시리즈 1200 v 100A 10 ma @ 1200 v
VS-25F40 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-25F40 5.9900
RFQ
ECAD 9414 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 25F40 기준 DO-203AA (DO-4) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 400 v 1.3 v @ 78 a 12 ma @ 400 v -65 ° C ~ 175 ° C 25A -
V40M120CHM3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V40M120CHM3/4W -
RFQ
ECAD 1201 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TMBS® 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 V40M120 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 120 v 20A 890 mV @ 20 a 500 µa @ 120 v -40 ° C ~ 175 ° C
VS-85HF140M Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-85HF140M 20.4923
RFQ
ECAD 1455 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 85HF140 기준 do-203ab (Do-5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VS85HF140M 귀 99 8541.10.0080 100 1400 v 1.2 v @ 267 a -65 ° C ~ 180 ° C 85A -
SE50PAJHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE50PAJHM3/i 0.5000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-221BC, SMA 플랫 리드 노출 패드 SE50 기준 DO-221BC (SMPA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 14,000 600 v 1.16 V @ 5 a 2 µs 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 5a 32pf @ 4v, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고