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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 구조 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 현재 -홀드 (ih) (최대) 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 현재- it (it (av)) (max) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f scrs, 수 다이오드 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
GP30D-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP30D-E3/73 -
RFQ
ECAD 4991 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 GP30 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 200 v 1.1 v @ 3 a 5 µs 5 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C 3A -
VS-60CPU04-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-60CPU04-N3 8.1300
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 60cpu04 기준 TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 400 v 30A 1.3 V @ 30 a 65 ns 10 µa @ 400 v -65 ° C ~ 175 ° C
129NQ135 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 129NQ135 -
RFQ
ECAD 9335 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 D-67 하프 7 129NQ135 Schottky D-67 하프 7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *129NQ135 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 135 v 1.07 V @ 120 a 3 ma @ 135 v 120a 3000pf @ 5V, 1MHz
BZT52C13-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52C13-G3-18 0.0409
RFQ
ECAD 3608 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZT52-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52C13 410 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 10 v 13 v 9 옴
BZT52B6V8-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B6V8-HE3-18 0.0436
RFQ
ECAD 4496 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZT52 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52B6V8 410 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 3 v 6.8 v 4.5 옴
RGP10KHE3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10KHE3/53 -
RFQ
ECAD 2071 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, Superectifier® 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 RGP10 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 800 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
MMBZ5261C-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5261C-HE3-18 -
RFQ
ECAD 8904 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5261 225 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 36 v 47 v 105 옴
SMZJ3805BHE3/5B Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMZJ3805BHE3/5B -
RFQ
ECAD 6490 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB smzj38 1.5 w DO-214AA (SMBJ) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,200 5 µa @ 35.8 v 47 v 67 옴
VS-6ESH01-M3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-6ESH01-M3/87A 0.2609
RFQ
ECAD 2368 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn 6ESH01 기준 TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 940 MV @ 6 a 22 ns 2 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C 6A -
VS-4CSH01HM3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-4CSH01HM3/87A 0.2828
RFQ
ECAD 5615 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, FRED PT® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn 4CSH01 기준 TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 2A 950 MV @ 2 a 24 ns 2 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C
BZG05B5V1-HM3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05B5V1-HM3-08 0.2079
RFQ
ECAD 7947 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZG05B-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1.96% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG05B5V1 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 1.5 v 5.1 v 10 옴
BZG03B91-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03B91-M3-08 0.2228
RFQ
ECAD 6059 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZG03B-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG03B91 1.25 w DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 500 ma 1 µa @ 68 v 91 v 200 옴
EGF1B-1HE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGF1B-1HE3_A/H -
RFQ
ECAD 9634 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, Superectifier® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214BA EGF1 기준 DO-214BA (GF1) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
SMZJ3808BHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division smzj3808bhm3_a/i -
RFQ
ECAD 5322 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB SMZJ3808 1.5 w DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,200 5 µa @ 47.1 v 62 v 100 옴
VLZ4V7-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ4V7-GS08 -
RFQ
ECAD 7679 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, VLZ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SOD-80 변형 VLZ4V7 500MW SOD-80 Quadromelf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.5 v @ 200 ma 3 µa @ 2 v 4.7 v 25 옴
BZD27C33P-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C33P-M3-18 0.1650
RFQ
ECAD 2277 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZD27-M 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 do-219ab BZD27C33 800MW DO-219AB (SMF) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 24 v 33 v 15 옴
TZM5231F-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM5231F-GS08 -
RFQ
ECAD 7748 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TZM5231 500MW SOD-80 최소값 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.1 v @ 200 ma 5 µa @ 2 v 5.1 v 1600 옴
VS-EPH3006HN3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-eph3006hn3 1.8492
RFQ
ECAD 7945 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, FRED PT® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-2 EPH3006 기준 TO-247AC ac 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VSEPH3006HN3 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2.65 V @ 30 a 26 ns 30 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 30A -
MBR20H90CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR20H90CT-E3/45 -
RFQ
ECAD 3903 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR20 Schottky TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 90 v 10A 770 MV @ 10 a 4.5 µa @ 90 v -65 ° C ~ 175 ° C
SS6P4CHM3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS6P4CHM3/86A -
RFQ
ECAD 7753 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn SS6P4 Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 3A 650 MV @ 3 a 200 µa @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C
VB20100S-M3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VB20100S-M3/8W 0.7209
RFQ
ECAD 4376 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB VB20100 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 120 v 1.12 V @ 20 a 300 µa @ 120 v -40 ° C ~ 150 ° C 20A -
IRKH56/06A Vishay General Semiconductor - Diodes Division IRKH56/06A -
RFQ
ECAD 6489 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 Add-A-Pak (3 + 2) IRKH56 시리즈 시리즈 - scr/다이오드 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 10 200 MA 600 v 135 a 2.5 v 1310a, 1370a 150 MA 60 a 1 scr, 1 다이오드
VS-16CTQ060SPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-16CTQ060SPBF -
RFQ
ECAD 2737 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 16ctq060 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs16ctq060spbf 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 8a 880 mV @ 16 a 580 µa @ 60 v 150 ° C (°)
SE70PGHM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division Se70pghm3_a/h 0.8500
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn SE70 기준 TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 400 v 1.05 V @ 7 a 2.6 µs 20 µa @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C 2.9A 76pf @ 4v, 1MHz
TZMB51-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZMB51-GS08 0.3100
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, TZM 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TZMB51 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 39 v 51 v 125 옴
VBT3080C-M3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VBT3080C-M3/8W 0.9167
RFQ
ECAD 4692 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB vbt3080 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 80 v 15a 820 MV @ 15 a 700 µa @ 80 v -55 ° C ~ 150 ° C
VLZ15C-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ15C-GS08 -
RFQ
ECAD 7829 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, VLZ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SOD-80 변형 VLZ15 500MW SOD-80 Quadromelf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.5 v @ 200 ma 40 µa @ 13.6 v 14.72 v 16 옴
BY206GPHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BY206GPHE3/73 -
RFQ
ECAD 3049 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Superectifier® 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 BY206 기준 DO-204AL (DO-41) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 300 v 1.5 v @ 2 a 1 µs 2 µa @ 300 v -65 ° C ~ 175 ° C 400ma -
VS-240UR60D Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-240UR60D 47.4842
RFQ
ECAD 3401 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 스터드 스터드 do-205AB, do-9, 스터드 240UR60 표준, 극성 역 DO-205AB (DO-9) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 12 600 v 1.33 V @ 750 a 15 ma @ 600 v -40 ° C ~ 180 ° C 320A -
VS-VSUD505CW60 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSUD505CW60 54.6000
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 상자 활동적인 섀시 섀시 TO-244AB 기준 TO-244 - Rohs3 준수 1 (무제한) 112-VS-VSUD505CW60 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 600 v 572A 1.355 V @ 250 a 179 ns 820 µa @ 600 v -40 ° C ~ 175 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고