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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
VS-2EGH02HM3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-2EGH02HM3/5BT -
RFQ
ECAD 5829 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, FRED PT® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AA, SMB 2EGH02 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs2egh02hm35bt 귀 99 8541.10.0080 3,200 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 900 mV @ 2 a 21 ns 2 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C 2A -
VS-10ETS12STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-10ets12strl-m3 0.8138
RFQ
ECAD 8014 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 10ets12 기준 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 1200 v 1.1 v @ 10 a 50 µa @ 1200 v -40 ° C ~ 150 ° C 10A -
VS-MBR1535CT-1PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBR1535CT-1PBF -
RFQ
ECAD 6285 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MBR15 Schottky TO-262-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 7.5A 570 MV @ 7.5 a 100 µa @ 35 v -65 ° C ~ 150 ° C
VS-70HFL80S05 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-70HFL80S05 15.0500
RFQ
ECAD 88 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 70HFL80 기준 do-203ab (Do-5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.85 V @ 219.8 a 500 ns 100 µa @ 800 v -40 ° C ~ 125 ° C 70A -
8ETX06-1 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 8etx06-1 -
RFQ
ECAD 1002 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA 8etx06 기준 TO-262-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 3 V @ 8 a 24 ns 50 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 8a -
25CTQ035STRL Vishay General Semiconductor - Diodes Division 25CTQ035STRL -
RFQ
ECAD 8332 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 25CTQ Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 15a 560 mV @ 15 a 1.75 ma @ 35 v -55 ° C ~ 175 ° C
VLZ3V0-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ3V0-GS18 -
RFQ
ECAD 2580 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, VLZ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SOD-80 변형 VLZ3V0 500MW SOD-80 Quadromelf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 3 v 70 옴
V20DM60C-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V20DM60C-M3/I 1.3000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²Pak (2 리드 + 탭) 변형 V20DM60 Schottky TO-263AC (SMPD) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 10A 660 mV @ 10 a 600 µa @ 60 v -40 ° C ~ 175 ° C
MBRB30H35CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB30H35Cthe3/45 -
RFQ
ECAD 4464 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 튜브 sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB30 Schottky TO-263AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 15a 620 MV @ 15 a 80 µa @ 35 v -65 ° C ~ 175 ° C
SB350-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB350-E3/54 0.5900
RFQ
ECAD 21 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 SB350 Schottky Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,400 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 680 mV @ 3 a 500 µa @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C 3A -
S3D-M3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division S3D-M3/9AT 0.1549
RFQ
ECAD 2500 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC S3D 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 200 v 1.15 V @ 2.5 a 2.5 µs 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
BZX384B7V5-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384B7V5-G3-08 0.0445
RFQ
ECAD 5322 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZX384-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384B7V5 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 1 µa @ 1 v 7.5 v 15 옴
TLZ3V9A-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TLZ3V9A-GS18 0.0335
RFQ
ECAD 8615 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TLZ 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TLZ3V9 500MW SOD-80 최소값 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 3 µa @ 1 v 3.9 v 50 옴
V15K120C-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division V15K120C-M3/H 0.4519
RFQ
ECAD 1298 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 8-powertdfn Schottky Flatpak (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 112-V15K120C-M3/HTR 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 120 v 3.8a 810 MV @ 7.5 a 800 µa @ 120 v -40 ° C ~ 150 ° C
ZGL41-180-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZGL41-180-E3/97 -
RFQ
ECAD 3631 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-213AB, MELF ZGL41 1 W. GL41 (DO-213AB) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 136.9 v 180 v 900 옴
VS-6EWH06FNTR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-6ewh06fntr-m3 0.8900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 6ewh06 기준 D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2.1 v @ 6 a 27 ns 50 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 6A -
MMSZ5244B-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5244B-HE3-18 0.2800
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ5244 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 10 v 14 v 15 옴
MBRB15H45CTHE3_B/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB15H45CThe3_B/I 0.7838
RFQ
ECAD 3227 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRB15 Schottky TO-263AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 7.5A 630 MV @ 7.5 a 50 µa @ 45 v -65 ° C ~ 175 ° C
V30DM150C-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v30dm150c-m3/i 1.5400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP®, TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²Pak (2 리드 + 탭) 변형 V30DM150 Schottky TO-263AC (SMPD) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 15a 1.3 V @ 15 a 200 µa @ 150 v -40 ° C ~ 175 ° C
VS-6CWQ04FNTRLPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-6cwq04fntrlpbf -
RFQ
ECAD 2046 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 6CWQ04 Schottky D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 3.5a 530 mV @ 3 a 2 ma @ 40 v -40 ° C ~ 150 ° C
MBRF1045HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRF1045HE3/45 -
RFQ
ECAD 7337 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2, 분리 된 탭 MBRF104 Schottky ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MBRF1045HE3_A/P 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 840 mV @ 20 a 100 µa @ 45 v -65 ° C ~ 150 ° C 10A -
VS-VSKJ56/08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKJ56/08 36.2300
RFQ
ECAD 3253 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 섀시 섀시 Add-A-Pak (3) vskj56 기준 Add-a-Pak® 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VSVSKJ5608 귀 99 8541.10.0080 10 1 양극 양극 공통 800 v 30A 10 ma @ 800 v -40 ° C ~ 150 ° C
BZG05B27-E3-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05B27-E3-TR -
RFQ
ECAD 9002 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZG05B 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG05 1.25 w DO-214AC - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 200 ma 500 na @ 20 v 27 v 30 옴
SMZJ3791BHE3/5B Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMZJ3791BHE3/5B -
RFQ
ECAD 2112 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB smzj37 1.5 w DO-214AA (SMBJ) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,200 5 µa @ 9.1 v 12 v 7 옴
SS2PH9-M3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS2PH9-M3/84A 0.4400
RFQ
ECAD 27 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-220AA SS2PH9 Schottky DO-220AA (SMP) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 800 mV @ 2 a 1 µa @ 90 v -55 ° C ~ 175 ° C 2A 65pf @ 4V, 1MHz
UF4001-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UF4001-M3/73 -
RFQ
ECAD 9329 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 UF4001 기준 DO-204AL (DO-41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1 V @ 1 a 50 ns 10 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 17pf @ 4V, 1MHz
BZM55B36-TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZM55B36-TR3 0.0433
RFQ
ECAD 4814 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZM55 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 2-SMD,, 없음 BZM55B36 500MW 마이크로 마이크로 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 27 v 36 v 220 옴
BZM55B51-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZM55B51-TR 0.0433
RFQ
ECAD 5905 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZM55 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 2-SMD,, 없음 BZM55B51 500MW 마이크로 마이크로 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 12,500 1.5 v @ 200 ma 100 µa @ 39 v 51 v 700 옴
SML4746AHE3/61 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SML4746EHE3/61 -
RFQ
ECAD 8800 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% 150 ° C 표면 표면 DO-214AC, SMA SML4746 1 W. DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 5 µa @ 13.7 v 18 v 20 옴
GDZ3V9B-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GDZ3V9B-G3-08 0.0445
RFQ
ECAD 6805 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division GDZ-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 GDZ3V9 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 5 µa @ 1 v 3.9 v 100 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고