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제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	구조	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	현재 -홀드 (ih) (최대)	전압 - 상태 꺼짐	현재- it (it (rms)) (max)	짐	짐	현재- 트리거 게이트 (igt) (최대)	전압 -상태 (vtm) (최대)	현재- it (it (av)) (max)	Current -Off State (Max)	scr 유형	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	scrs, 수 다이오드	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
SL04-HM3-08	0.4000	RFQ	22	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, ESMP®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	do-219ab	SL04	Schottky			DO-219AB (SMF)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												40 v		540 mV @ 1.1 a	10 ns	20 µa @ 40 v	175 ° C (°)	1.1a	65pf @ 4V, 1MHz
V12W60C-M3/i	-	RFQ	4367	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	TMBS®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	v12w60	Schottky			D-PAK (TO-252AA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											1 음극 음극 공통	60 v	6A	620 MV @ 6 a		3.5 ma @ 60 v	-40 ° C ~ 150 ° C
FES8JT-13HE3/45	-	RFQ	5599	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-220-2	FES8	기준			TO-220AC	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	50		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												600 v		1.5 v @ 8 a	50 ns	10 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C
1N5222C 탭	0.0373	RFQ	3018	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & t (TB)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 200 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N5222		500MW		DO-35 (DO-204AH)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	30,000																1.1 v @ 200 ma		100 µa @ 1 v					2.5 v	30 옴
AZ23B2V7-G3-18	0.0594	RFQ	7127	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	AZ23-G	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23B2V7		300MW		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000	1 양극 양극 공통																						2.7 v	83 옴
SS23-M3/5BT	0.1440	RFQ	2004	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	SS23	Schottky			DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,200		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												30 v		500 mV @ 2 a		400 µa @ 30 v	-65 ° C ~ 125 ° C	2A	-
VS-VSKJ71/10	40.8800	RFQ	10	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인			섀시 섀시	Add-A-Pak (3)	vskj71	기준			Add-a-Pak®	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	10		짐											1 양극 양극 공통	1000 v	40a			10 ma @ 1000 v	-40 ° C ~ 150 ° C
vs-hfa16tb120slhm3	2.2505	RFQ	7719	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, Hexfred®	튜브	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	HFA16	기준			to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												1200 v		3 V @ 16 a	90 ns	20 µa @ 1200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	16A	-
GI1402-E3/45	0.5298	RFQ	9175	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-2	GI1402	기준			TO-220AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												100 v		975 MV @ 8 a	35 ns	5 µa @ 100 v	-65 ° C ~ 150 ° C	8a	-
1N4586GPHE3/54	-	RFQ	9570	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Superectifier®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	1N4586	기준			DO-204AC (DO-15)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	4,000		짐												1000 v		1 V @ 1 a	2 µs	5 µa @ 1000 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
IRKT27/16A	-	RFQ	5625	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	쓸모없는		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	Add-A-Pak (3 + 4)	IRKT27			시리즈 시리즈 - 연결 scr		다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	10			200 MA	1.6kV	60 a	2.5 v	400A, 420A	150 MA		27 a												2 scrs
BZX55C39-TAP	0.2300	RFQ	28	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, BZX55	컷 컷 (CT)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	BZX55C39		500MW		DO-35 (DO-204AH)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000																1.5 v @ 200 ma		100 na @ 30 v					39 v	90 옴
VS-110RKI40M	113.4428	RFQ	2626	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인		-	섀시, 마운트 스터드	TO-209AC, TO-94-4, 스터드	110RKI40				TO-209AC (TO-94)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	vs110rki40m	귀 99	8541.30.0080	25							-					표준 표준
VS-ST1230C14K0	416.6250	RFQ	7089	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C	섀시 섀시	TO-200AC, K-PUK, A-24	ST1230				A-24 (K-PUK)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	2			600 MA	1.4kV	3200 a	3 v	33500A, 35100A	200 MA	1.62 v	1745 a	100 MA	표준 표준
AS3BG-M3/H	0.1634	RFQ	8543	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	AS3	눈사태			DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	750		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												400 v		1.05 V @ 3 a		20 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	40pf @ 4V, 1MHz
VFT1080S-M3/4W	0.4884	RFQ	4255	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	TMBS®	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	vft1080	Schottky			ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												80 v		810 mv @ 10 a		600 µa @ 80 v	-55 ° C ~ 150 ° C	10A	-
ZPY18-TR	0.3700	RFQ	24	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	175 ° C	구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	ZPY18		1.3 w		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000																		500 NA @ 14 v					18 v	5 옴
30wq06fntrl	-	RFQ	2598	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	30WQ06	Schottky			D-PAK (TO-252AA)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												60 v		610 mV @ 3 a		2 ma @ 60 v	-40 ° C ~ 150 ° C	3.5a	-
ESH3B-E3/9AT	0.3208	RFQ	5490	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	ESH3	기준			DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,500		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												100 v		900 mV @ 3 a	40 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	-
DZ23C10-E3-18	0.0415	RFQ	3794	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	DZ23	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DZ23		300MW		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000	1 음극 음극 공통																	100 na @ 7.5 v					10 v	15 옴
50wq04fn	-	RFQ	9846	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	쓸모없는			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	50WQ04	Schottky			D-PAK (TO-252AA)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	75		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												40 v		510 mV @ 5 a		3 ma @ 40 v	-40 ° C ~ 150 ° C	5.5A	405pf @ 5V, 1MHz
BZM55B18-TR	0.3200	RFQ	5795	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, BZM55	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음	BZM55B18		500MW		마이크로 마이크로	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500																1.5 v @ 200 ma		100 na @ 13 v					18 v	170 옴
BZG05C36-HE3-TR	-	RFQ	9796	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101, BZG05C	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	BZG05		1.25 w		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	6,000																1.2 v @ 200 ma		500 na @ 27 v					36 v	40
SML4747HE3/5A	-	RFQ	9733	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	SML4747		1 W.		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	7,500																		5 µa @ 15.2 v					20 v	22 옴
BZG05C3V3TR3	-	RFQ	6734	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	BZG05		1.25 w		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	6,000																1.2 v @ 200 ma		40 µa @ 1 v					3.3 v	400 옴
VS-25TTS12STRL-M3	2.0900	RFQ	3470	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	25TTS12				to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	800			150 MA	1.2kV	25 a	2 v	350A @ 50Hz	45 MA	1.25 v	16 a	10 MA	표준 표준
HFA30TA60CSTRR	-	RFQ	9150	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Hexfred®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	HFA30	기준			to-263ab (d²pak)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)											1 음극 음극 공통	600 v	15A (DC)	1.7 V @ 15 a	60 ns	10 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C
1N4947GP-E3/53	-	RFQ	2215	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Superectifier®	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4947	기준			DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												800 v		1.3 v @ 1 a	250 ns	1 µa @ 800 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
GLL4757A-E3/96	0.3256	RFQ	2472	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF	GLL4757		1 W.		Melf do-213ab	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1,500																		5 µa @ 38.8 v					51 v	95 옴
20etf02strl	-	RFQ	5201	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	20etf02	기준			to-263ab (d²pak)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)												200 v		1.3 V @ 20 a	160 ns	100 µa @ 200 v	-40 ° C ~ 150 ° C	20A	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (31214)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²