SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
PCDP10120G1_T0_00001 Panjit International Inc. PCDP10120G1_T0_00001 12.9800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 PCDP10120 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 3757-PCDP10120G1_T0_00001 귀 99 8541.10.0080 50 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.7 V @ 10 a 0 ns 100 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 10A 529pf @ 1v, 1MHz
DZ23C2V7_R1_00001 Panjit International Inc. DZ23C2V7_R1_00001 0.0378
RFQ
ECAD 8862 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DZ23C2V7 300MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,252,000 1 음극 음극 공통 75 µa @ 1 v 2.7 v 83 옴
1N4748A_R2_00001 Panjit International Inc. 1N4748A_R2_00001 0.0270
RFQ
ECAD 3713 0.00000000 Panjit International Inc. 1N4728A 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4748 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-1N4748A_R2_00001CT 귀 99 8541.10.0050 500,000 100 na @ 16.7 v 22 v 23 옴
DZ23C18_R1_00001 Panjit International Inc. DZ23C18_R1_00001 0.3400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DZ23C18 300MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-DZ23C18_R1_00001DKR 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 음극 음극 공통 100 na @ 14 v 18 v 50 옴
SSM3060VHE-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. SSM3060VHE-AU_R1_000A1 0.5200
RFQ
ECAD 1634 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123H SSM3060 Schottky SOD-123HE 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-SSM3060VHE-AU_R1_000A1DKR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 500 mV @ 3 a 220 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 180pf @ 4V, 1MHz
BZX84B11W_R1_00001 Panjit International Inc. BZX84B11W_R1_00001 0.0270
RFQ
ECAD 7030 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BZX84 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,252,000 100 na @ 8 v 11 v 20 옴
PJD80N03_L2_00001 Panjit International Inc. PJD80N03_L2_00001 0.2357
RFQ
ECAD 8481 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PJD80 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJD80N03_L2_00001TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 15A (TA), 80A (TC) 4.5V, 10V 6MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 12 nc @ 4.5 v ± 20V 1323 pf @ 25 v - 2W (TA), 55W (TC)
SB33AFC_R1_00001 Panjit International Inc. SB33AFC_R1_00001 0.3800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 SB33 Schottky smaf-c 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 500 mV @ 3 a 100 µa @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 485pf @ 0V, 1MHz
SBA0540Q_R1_00001 Panjit International Inc. SBA0540Q_R1_00001 0.2400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 0402 (1006 메트릭) SBA0540 Schottky 2-DFN (1x0.6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-SBA0540Q_R1_00001DKR 귀 99 8541.10.0070 8,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 600 mV @ 500 mA 50 µa @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 500ma -
MBR30H150CT_T0_00001 Panjit International Inc. MBR30H150CT_T0_00001 1.2200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. MBR30H150CT 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR30H150 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-MBR30H150CT_T0_00001 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 15a 850 mV @ 15 a 800 NA @ 150 v -55 ° C ~ 175 ° C
GS1KWG_R1_00001 Panjit International Inc. GS1KWG_R1_00001 0.0208
RFQ
ECAD 2142 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA GS1 기준 SMA (DO-214AC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 59,400 800 v 1.1 v @ 1 a 1 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 7pf @ 4V, 1MHz
GV808_R1_00001 Panjit International Inc. GV808_R1_00001 0.1485
RFQ
ECAD 2753 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn GV808 기준 TO-277 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 120,000 800 v 1.1 v @ 8 a 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a 55pf @ 4V, 1MHz
MBR120AFC_R1_00001 Panjit International Inc. MBR120AFC_R1_00001 0.3800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 MBR120 Schottky smaf-c 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-MBR120AFC_R1_00001DKR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 900 mV @ 1 a 50 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 30pf @ 4V, 1MHz
BZX84B4V7-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BZX84B4V7-AU_R1_000A1 0.2100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1.91% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 410 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BZX84B4V7-AU_R1_000A1DKR 귀 99 8541.10.0050 3,000 3 µa @ 2 v 4.7 v 80 옴
MMBZ5254B_R1_00001 Panjit International Inc. MMBZ5254B_R1_00001 0.1900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5254 410 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-MMBZ5254B_R1_00001DKR 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 21 v 27 v 41 옴
2EZ8.2_R2_00001 Panjit International Inc. 2EZ8.2_R2_00001 0.0648
RFQ
ECAD 9053 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 2EZ8.2 2 w DO-15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-2EZ8.2_R2_00001CT 귀 99 8541.10.0050 500,000 5 µa @ 6 v 8.2 v 2 옴
ERT2CF_R1_00001 Panjit International Inc. ERT2CF_R1_00001 0.1026
RFQ
ECAD 4790 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-221AA, SMB 플랫 리드 ERT2C 기준 SMBF 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 120,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 950 MV @ 2 a 25 ns 1 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 35pf @ 4V, 1MHz
1SMA5938-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. 1SMA5938-AU_R1_000A1 0.4800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1SMA5938 1.5 w SMA (DO-214AC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 1 µa @ 27.4 v 36 v 38 옴
1SMB5921_R1_00001 Panjit International Inc. 1SMB5921_R1_00001 0.0810
RFQ
ECAD 9040 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 1SMB5921 1.5 w SMB (DO-214AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 500,000 5 µa @ 5.2 v 6.8 v 3 옴
3EZ39_R2_00001 Panjit International Inc. 3EZ39_R2_00001 0.1080
RFQ
ECAD 9456 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 3EZ39 3 w DO-15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-3EZ39_R2_00001CT 귀 99 8541.10.0050 28,000 500 NA @ 29.7 v 39 v 28 옴
S2MF_R1_00001 Panjit International Inc. S2MF_R1_00001 0.0567
RFQ
ECAD 2203 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-221AA, SMB 플랫 리드 S2MF 기준 SMBF 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 120,000 1000 v 1.1 v @ 2 a 1 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 10pf @ 4V, 1MHz
BZT52-C4V7S-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BZT52-C4V7S-AU_R1_000A1 0.2200
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F BZT52 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BZT52-C4V7S-AU_R1_000A1CT 귀 99 8541.10.0050 5,000 5 µa @ 1 v 4.7 v 78 옴
PZS1128BES_R1_00001 Panjit International Inc. PZS1128BES_R1_00001 0.0270
RFQ
ECAD 8866 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 PZS1128 150 MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,250,000 10 na @ 21.2 v 28 v
MMBTA92_R1_00001 Panjit International Inc. MMBTA92_R1_00001 0.1900
RFQ
ECAD 549 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBTA92 250 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 300 v 500 MA 250NA (ICBO) PNP 500mv @ 2ma, 20ma 40 @ 10ma, 10V 50MHz
PZS5128BAS_R1_00001 Panjit International Inc. PZS5128BAS_R1_00001 0.0324
RFQ
ECAD 9221 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 PZS5128 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,252,000 10 na @ 21.2 v 28 v
UF1601FCT_T0_00001 Panjit International Inc. UF1601FCT_T0_00001 0.3213
RFQ
ECAD 1384 0.00000000 Panjit International Inc. UF1600FCT 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 UF1601 기준 ITO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-UF1601FCT_T0_00001 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 16A 1 V @ 8 a 50 ns 1 µa @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C
BZX84C11-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BZX84C11-AU_R1_000A1 0.0216
RFQ
ECAD 4160 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101, BZX84C2V4-AU 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 410 MW SOT-23 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,252,000 100 na @ 8 v 11 v 20 옴
PJF2NA90_T0_00001 Panjit International Inc. PJF2NA90_T0_00001 -
RFQ
ECAD 3332 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 PJF2NA90 MOSFET (금속 (() ITO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 3757-PJF2NA90_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 900 v 2A (TA) 10V 6.4ohm @ 1a, 10V 4V @ 250µA 11.1 NC @ 10 v ± 30V 396 pf @ 25 v - 39W (TC)
PZS516V2BAS-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. PZS516V2BAS-AU_R1_000A1 0.0378
RFQ
ECAD 4664 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 PZS516 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,252,000 10 µa @ 5 v 6.2 v
BX36_R1_00001 Panjit International Inc. BX36_R1_00001 0.3700
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA BX36 Schottky SMA (DO-214AC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BX36_R1_00001DKR 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 740 mV @ 3 a 50 µa @ 60 v -65 ° C ~ 175 ° C 3A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고