SIC
close

불연속 불연속 제품 (5131)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
BZX84C8V7W_R1_00001 Panjit International Inc. BZX84C8V7W_R1_00001 0.0162
RFQ
 ECAD 8476 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BZX84 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,250,000 700 na @ 5 v 8.7 v 15 옴
MMSZ5248AS-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. MMSZ5248AS-AU_R1_000A1 0.2400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F MMSZ5248 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-MMSZ5248AS-AU_R1_000A1DKR 귀 99 8541.10.0050 5,000 100 na @ 14 v 18 v 21 옴
PJQ5445-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. PJQ5445-AU_R2_000A1 -
RFQ
 ECAD 8939 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ5445 MOSFET (금속 (() DFN5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 40 v 8.5A (TA), 45A (TC) 4.5V, 10V 17mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 19 NC @ 4.5 v ± 20V 2030 pf @ 25 v - 2W (TA), 63W (TC)
MMSZ5248A-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. MMSZ5248A-AU_R1_000A1 0.3500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 MMSZ5248 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-MMSZ5248A-AU_R1_000A1CT 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 14 v 18 v 21 옴
PJW7N04-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. pjw7n04-au_r2_000a1 0.1973
RFQ
 ECAD 1349 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA PJW7N04 MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-pjw7n04-au_r2_000a1tr 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 6.5A (TA) 4.5V, 10V 42mohm @ 5a, 10V 2.5V @ 250µA 4.8 NC @ 4.5 v ± 20V 410 pf @ 20 v - 3.7W (TA)
BAT54C-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BAT54C-AU_R1_000A1 0.1600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bat54 Schottky SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-bat54c-au_r1_000a1tr 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 음극 음극 공통 30 v 200ma 600 mv @ 100 ma 2 µa @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C
MER3DAH-AU_R1_007A1 Panjit International Inc. mer3dah-au_r1_007a1 0.5300
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123H mer3d 기준 SOD-123HE 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-MER3DAH-AU_R1_007A1CT 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 MV @ 3 a 35 ns 1 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 3A 31pf @ 4V, 1MHz
BZT52-B17S_R1_00001 Panjit International Inc. BZT52-B17S_R1_00001 0.2400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F BZT52 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BZT52-B17S_R1_00001DKR 귀 99 8541.10.0050 5,000 100 na @ 13 v 17 v 40
1SMB5931_R1_00001 Panjit International Inc. 1SMB5931_R1_00001 0.0810
RFQ
 ECAD 8581 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 1SMB5931 1.5 w SMB (DO-214AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 500,000 1 µa @ 13.7 v 18 v 12 옴
BAS116-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BAS116-AU_R1_000A1 0.0162
RFQ
 ECAD 5498 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS116 기준 SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 120,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 75 v 1.25 V @ 150 mA 3 µs 5 na @ 75 v -55 ° C ~ 150 ° C 200ma 2pf @ 0V, 1MHz
PG5391_R2_00001 Panjit International Inc. PG5391_R2_00001 0.0334
RFQ
 ECAD 8037 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 PG5391 기준 DO-15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 60,000 짐 50 v 1.4 V @ 1.5 a 1 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1.5A 25pf @ 4V, 1MHz
MMBZ5250B_R1_00001 Panjit International Inc. MMBZ5250B_R1_00001 0.0189
RFQ
 ECAD 2819 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5250 410 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,252,000 100 na @ 15 v 20 v 25 옴
BZX84B2V7-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BZX84B2V7-AU_R1_000A1 0.0216
RFQ
 ECAD 7158 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.04% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 410 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,250,000 20 µa @ 1 v 2.7 v 100 옴
MER1DMA-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. mer1dma-au_r2_000a1 0.3700
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA mer1dm 기준 SMA (DO-214AC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 MV @ 1 a 35 ns 1 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A 17pf @ 4V, 1MHz
S5J_R1_00001 Panjit International Inc. S5J_R1_00001 0.4100
RFQ
 ECAD 713 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC S5J 기준 SMC (DO-214AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-S5J_R1_00001DKR 귀 99 8541.10.0080 800 짐 600 v 1.1 v @ 5 a 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 80pf @ 4V, 1MHz
BAS116WS_R1_00001 Panjit International Inc. BAS116WS_R1_00001 0.2100
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-90, SOD-323F BAS116 기준 SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BAS116WS_R1_00001DKR 귀 99 8541.10.0070 5,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 75 v 1.25 V @ 150 mA 3 µs 5 na @ 75 v -55 ° C ~ 150 ° C 200ma 2pf @ 0V, 1MHz
MMBD4448W_R1_00001 Panjit International Inc. MMBD4448W_R1_00001 0.1800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 MMBD4448 기준 SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 120,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 75 v 1 v @ 100 ma 4 ns 2.5 µa @ 75 v -55 ° C ~ 150 ° C 150ma 4pf @ 0V, 1MHz
1SMB2EZ51_R1_00001 Panjit International Inc. 1SMB2EZ51_R1_00001 0.1134
RFQ
 ECAD 2347 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 1SMB2 2 w SMB (DO-214AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 500,000 500 NA @ 38.8 v 51 v 48 옴
BAS20_R1_00001 Panjit International Inc. BAS20_R1_00001 0.1300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS20 기준 SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BAS20_R1_00001DKR 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 150 v 1 v @ 100 ma 50 ns 1 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 200ma 1.5pf @ 0v, 1MHz
PJT7839_R1_00001 Panjit International Inc. PJT7839_R1_00001 0.3900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PJT7839 MOSFET (금속 (() 350MW (TA) SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJT7839_R1_00001DKR 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 60V 250MA (TA) 4ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 250µA 1.1NC @ 4.5V 51pf @ 25V -
BZT52-B28S_R1_00001 Panjit International Inc. BZT52-B28S_R1_00001 0.2400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F BZT52 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BZT52-B28S_R1_00001CT 귀 99 8541.10.0050 5,000 100 na @ 22 v 28 v 80 옴
PJT7812_R1_00001 Panjit International Inc. PJT7812_R1_00001 0.5100
RFQ
 ECAD 2758 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PJT7812 MOSFET (금속 (() 350MW (TA) SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJT7812_R1_00001DKR 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 500MA (TA) 1.2ohm @ 500ma, 4.5v 1.1V @ 250µA 0.87NC @ 4.5V 34pf @ 15V -
MMSZ5244AS-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. MMSZ5244AS-AU_R1_000A1 0.0270
RFQ
 ECAD 9298 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F MMSZ5244 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,250,000 100 na @ 10.5 v 14 v 15 옴
PJQ4548P-AU_R2_002A1 Panjit International Inc. pjq4548p-au_r2_002a1 0.7500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ4548 MOSFET (금속 (() DFN3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 12.4A (TA), 43A (TC) 4.5V, 10V 9.1MOHM @ 10A, 10V 2.3V @ 50µA 13 nc @ 10 v ± 20V 778 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 30W (TC)
BD1050CS_S2_00001 Panjit International Inc. BD1050CS_S2_00001 0.3078
RFQ
 ECAD 3649 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 BD1050 Schottky TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 75,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 50 v 10A 750 mV @ 5 a 50 @ 50 v -65 ° C ~ 175 ° C
PG4934_R2_00001 Panjit International Inc. PG4934_R2_00001 0.0389
RFQ
 ECAD 4367 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 PG4934 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 60,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.2 v @ 1 a 200 ns 5 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 12pf @ 4V, 1MHz
BD6100CS_S2_00001 Panjit International Inc. BD6100CS_S2_00001 0.4617
RFQ
 ECAD 4745 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 BD6100 Schottky TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 75,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 6A 800 mv @ 3 a 50 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C
BZX84C27_R1_00001 Panjit International Inc. BZX84C27_R1_00001 0.1900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 410 MW SOT-23 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BZX84C27_R1_00001CT 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 18.9 v 27 v 80 옴
PSMQC060N06LS1-AU_R2_006A1 Panjit International Inc. PSMQC060N06LS1-AU_R2_006A1 1.6400
RFQ
 ECAD 4089 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PSMQC060 MOSFET (금속 (() DFN5060-8 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 68A (TC) 4.5V, 10V 6MOHM @ 20A, 10V 3V @ 250µA 37 NC @ 10 v ± 20V 2057 pf @ 30 v - 50W (TC)
PZS51A30CS_R1_00001 Panjit International Inc. PZS51A30CS_R1_00001 0.0455
RFQ
 ECAD 5697 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F PZS51A30 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,330,000 10 na @ 22.8 v 30 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다