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불연속 불연속 제품 (5131)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
B106S_R2_00001 Panjit International Inc. B106S_R2_00001 0.5000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. B1005S 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 B106S 기준 4-MDI 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 3757-B106S_R2_00001DKR 귀 99 8541.10.0080 3,000 1.1 v @ 1 a 5 µa @ 600 v 1 a 단일 단일 600 v
B10S_R2_00001 Panjit International Inc. B10S_R2_00001 0.4300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. B1S 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 B10S 기준 4-MDI 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-B10S_R2_00001CT 귀 99 8541.10.0080 3,000 1 V @ 500 MA 5 µa @ 1000 v 800 MA 단일 단일 1kv
BZX584C3V9_R1_00001 Panjit International Inc. BZX584C3V9_R1_00001 0.2400
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZX584 200 MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 1 v 3.9 v 90 옴
PJQ4404P_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ4404P_R2_00001 0.5900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ4404 MOSFET (금속 (() DFN3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 15A (TA), 60A (TC) 4.5V, 10V 6MOHM @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 12 nc @ 4.5 v ± 20V 1323 pf @ 25 v - 2W (TA), 31W (TC)
PJC138L_R1_00001 Panjit International Inc. PJC138L_R1_00001 0.4900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 PJC138L MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJC138L_R1_00001DKR 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 200MA (TA) 1.8V, 10V 4.2ohm @ 200ma, 10V 1.5V @ 250µA 0.7 nc @ 4.5 v ± 20V 15 pf @ 15 v - 350MW (TA)
SB650_T0_00001 Panjit International Inc. SB650_T0_00001 0.2322
RFQ
 ECAD 9638 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 SB650 Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-SB650_T0_00001 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 700 mv @ 6 a 200 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 6A -
PZS5119BAS_R1_00001 Panjit International Inc. PZS5119BAS_R1_00001 0.0324
RFQ
 ECAD 2046 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 PZS5119 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,330,000 50 NA @ 14.4 v 19 v
MMSZ5261AS_R1_00001 Panjit International Inc. MMSZ5261AS_R1_00001 0.0243
RFQ
 ECAD 3869 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F MMSZ5261 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,250,000 100 na @ 36 v 47 v 105 옴
1SMB3EZ7.5_R1_00001 Panjit International Inc. 1SMB3EZ7.5_R1_00001 0.1134
RFQ
 ECAD 7552 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 1SMB3 3 w SMB (DO-214AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 500,000 5 µa @ 5 v 7.5 v 2 옴
1SMB2EZ33_R1_00001 Panjit International Inc. 1SMB2EZ33_R1_00001 0.1134
RFQ
 ECAD 6954 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 1SMB2 2 w SMB (DO-214AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 500,000 500 NA @ 25.1 v 33 v 23 옴
PJQ4468AP_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ4468AP_R2_00001 0.8700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ4468 MOSFET (금속 (() DFN3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJQ4468AP_R2_00001CT 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 60 v 5A (TA), 18A (TC) 4.5V, 10V 34mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 1173 pf @ 25 v - 2W (TA), 24W (TC)
PJQ4602_R1_00001 Panjit International Inc. PJQ4602_R1_00001 0.2922
RFQ
 ECAD 4657 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn PJQ4602 MOSFET (금속 (() 2W (TA), 17.8W (TC) DFN3030B-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJQ4602_R1_00001TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 보완 p 채널 및 30V 6.4A (TA), 18.5A (TC), 6.4A (TA), 18A (TC) 28mohm @ 6a, 10v, 31mohm @ 4a, 10v 2.1V @ 250µA, 2.5V @ 250µA 7.8NC @ 10V 343pf @ 15v, 870pf @ 15v -
1SMB2EZ8.7_R1_00001 Panjit International Inc. 1SMB2EZ8.7_R1_00001 0.1134
RFQ
 ECAD 2973 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 1SMB2 2 w SMB (DO-214AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 500,000 4 µa @ 6.6 v 8.7 v 2 옴
PJF4NA60_T0_00001 Panjit International Inc. PJF4NA60_T0_00001 -
RFQ
 ECAD 5549 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 PJF4NA60 MOSFET (금속 (() ITO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 3757-PJF4NA60_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 4A (TA) 10V 2.4ohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 11.1 NC @ 10 v ± 30V 450 pf @ 25 v - 33W (TC)
MMSZ5239A-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. MMSZ5239A-AU_R1_000A1 0.0270
RFQ
 ECAD 7382 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1.98% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 MMSZ5239 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,252,000 3 µa @ 6.5 v 9.1 v 10 옴
PJL9420_R2_00001 Panjit International Inc. PJL9420_R2_00001 0.3537
RFQ
 ECAD 7188 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) PJL9420 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJL9420_R2_00001TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 14A (TA) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 25 nc @ 4.5 v ± 20V 1258 pf @ 25 v - 2.1W (TA)
ER3C_R1_00001 Panjit International Inc. ER3C_R1_00001 0.1107
RFQ
 ECAD 8642 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC er3c 기준 SMC (DO-214AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 60,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 950 MV @ 3 a 35 ns 1 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 45pf @ 4V, 1MHz
MMSZ5228BS-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. MMSZ5228BS-AU_R1_000A1 0.0270
RFQ
 ECAD 7684 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F MMSZ5228 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,250,000 10 µa @ 1 v 3.9 v 23 옴
MMBZ5246AW_R1_00001 Panjit International Inc. MMBZ5246AW_R1_00001 0.0189
RFQ
 ECAD 2192 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 MMBZ5246 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,252,000 100 na @ 12 v 16 v 17 옴
1SMA5935_R1_00001 Panjit International Inc. 1SMA5935_R1_00001 0.3800
RFQ
 ECAD 978 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1SMA5935 1.5 w SMA (DO-214AC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 1 µa @ 20.6 v 27 v 23 옴
MMSZ5261B_R1_00001 Panjit International Inc. MMSZ5261B_R1_00001 0.1900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 MMSZ5261 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 36 v 47 v 105 옴
1SMB3EZ51-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. 1SMB3EZ51-AU_R1_000A1 0.1242
RFQ
 ECAD 5666 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 1SMB3 3 w SMB (DO-214AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 500,000 500 NA @ 38.8 v 51 v 45 옴
1SMA4747_R1_00001 Panjit International Inc. 1SMA4747_R1_00001 0.3900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1SMA4747 1 W. SMA (DO-214AC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 100 na @ 15.2 v 20 v 22 옴
SV560L_R2_00001 Panjit International Inc. SV560L_R2_00001 0.5000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn SV560 Schottky TO-277 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-SV560L_R2_00001DKR 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 670 mV @ 5 a 150 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
PJMF990N65EC_T0_00001 Panjit International Inc. PJMF990N65EC_T0_00001 2.1800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 PJMF990 MOSFET (금속 (() ITO-220AB-F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJMF990N65EC_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 650 v 4.7A (TC) 10V 990mohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 9.7 NC @ 10 v ± 30V 306 PF @ 400 v - 22.5W (TC)
GBU610_T0_00601 Panjit International Inc. GBU610_T0_00601 0.8100
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU610 기준 GBU-2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-GBU610_T0_00601 귀 99 8541.10.0080 1,000 1.05 V @ 3 a 5 µa @ 1000 v 6 a 단일 단일 1kv
GBU2510_T0_00601 Panjit International Inc. GBU2510_T0_00601 1.1600
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU2510 기준 GBU-2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-GBU2510_T0_00601 귀 99 8541.10.0080 1,000 1.05 V @ 12.5 a 5 µa @ 1000 v 25 a 단일 단일 1kv
KBJ1510_T0_00601 Panjit International Inc. KBJ1510_T0_00601 0.9200
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBJ KBJ1510 기준 KBJ 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-KBJ1510_T0_00601 귀 99 8541.10.0080 1,000 1.1 v @ 15 a 5 µa @ 1 v 15 a 단일 단일 1kv
KBJ3510_T0_00601 Panjit International Inc. KBJ3510_T0_00601 1.2200
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBJ KBJ3510 기준 KBJ 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-KBJ3510_T0_00601 귀 99 8541.10.0080 1,000 1.1 v @ 35 a 5 µa @ 1 v 35 a 단일 단일 1kv
KBJ1010_T0_00601 Panjit International Inc. KBJ1010_T0_00601 0.8900
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBJ KBJ1010 기준 KBJ 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-KBJ1010_T0_00601 귀 99 8541.10.0080 1,000 1.1 v @ 10 a 5 µa @ 1 v 10 a 단일 단일 1kv
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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