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불연속 불연속 제품 (5131)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
STR40100CT_T0_00001 Panjit International Inc. STR40100CT_T0_00001 1.6000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 STR40100 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-STR40100CT_T0_00001 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 20A 810 mV @ 20 a 100 @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C
BZT52-B3V9-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BZT52-B3V9-AU_R1_000A1 0.2200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.05% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZT52 410 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 10 µa @ 1 v 3.9 v 95 옴
ER303_R2_00001 Panjit International Inc. ER303_R2_00001 0.1134
RFQ
 ECAD 1754 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 ER303 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-er303_R2_00001CT 귀 99 8541.10.0080 60,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.25 V @ 3 a 35 ns 1 µa @ 300 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 35pf @ 4V, 1MHz
PSDD0860L1_L2_00001 Panjit International Inc. PSDD0860L1_L2_00001 1.5900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PSDD0860 기준 TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.8 v @ 8 a 90 ns 100 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a -
PSMP050N10NS2_T0_00601 Panjit International Inc. PSMP050N10NS2_T0_00601 2.5500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PSMP050N10 MOSFET (금속 (() TO-220AB-L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PSMP050N10NS2_T0_00601 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 120A (TC) 6V, 10V 5mohm @ 50a, 10V 3.8V @ 270µA 53 NC @ 10 v ± 20V 3910 pf @ 50 v - 138W (TC)
UF1006_T0_00001 Panjit International Inc. UF1006_T0_00001 0.7600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 UF1006 기준 TO-220AC - Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 10 a 100 ns 1 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 10A 50pf @ 4V, 1MHz
TS2100S_R1_00001 Panjit International Inc. TS2100S_R1_00001 0.6600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 TS2100 Schottky 4 d sm/smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-TS2100S_R1_00001DKR 귀 99 8541.10.0080 1,000 840 MV @ 2 a 4 µa @ 100 v 2 a 단일 단일 100 v
PZS519V1BCH_R1_00001 Panjit International Inc. PZS519V1BCH_R1_00001 0.0324
RFQ
 ECAD 5610 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F PZS519 500MW SOD-323HE 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,250,000 1 µa @ 6.9 v 9.1 v
PJQ4407P_R1_00001 Panjit International Inc. PJQ4407P_R1_00001 0.2139
RFQ
 ECAD 3585 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ4407 MOSFET (금속 (() DFN3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJQ4407P_R1_00001TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 8.5A (TA), 30A (TC) 4.5V, 10V 20mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 250µA 11 NC @ 4.5 v ± 20V 1169 pf @ 15 v - 2W (TA), 27W (TC)
PZ1AL62B-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. PZ1AL62B-AU_R1_000A1 0.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F pz1al62 1 W. SOD-123FL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-pz1al62b-au_r1_000a1ct 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 µa @ 47 v 62 v 80 옴
MMBZ5224BTW_R1_00001 Panjit International Inc. MMBZ524BTW_R1_00001 0.0513
RFQ
 ECAD 5181 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MMBZ5224 200 MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,252,000 3 독립 75 µa @ 1 v 2.8 v 30 옴
BZX84C13-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BZX84C13-AU_R1_000A1 0.2100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 410 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BZX84C13-AU_R1_000A1DKR 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 8 v 13 v 30 옴
BZX84C30TW_R1_00001 Panjit International Inc. BZX84C30TW_R1_00001 0.0513
RFQ
 ECAD 7535 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BZX84 200 MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,252,000 3 독립 100 na @ 21 v 30 v 80 옴
MMDT4401_R1_00001 Panjit International Inc. MMDT4401_R1_00001 0.3400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MMDT4401 225MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-MMDT4401_R1_00001CT 귀 99 8541.21.0075 3,000 40V 600ma 100NA 2 NPN (() 750mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 1V 250MHz
BZT52-B3V6-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BZT52-B3V6-AU_R1_000A1 0.2200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.08% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZT52 410 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BZT52-B3V6-AU_R1_000A1CT 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 15 µa @ 1 v 3.6 v 95 옴
2EZ18_R2_00001 Panjit International Inc. 2EZ18_R2_00001 0.0648
RFQ
 ECAD 5475 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 2EZ18 2 w DO-15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-2EZ18_R2_00001CT 귀 99 8541.10.0050 500,000 500 NA @ 13.7 v 18 v 10 옴
S1MF_R1_00001 Panjit International Inc. S1MF_R1_00001 0.0324
RFQ
 ECAD 4327 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-221AA, SMB 플랫 리드 S1MF 기준 SMBF 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 120,000 짐 1000 v 1.1 v @ 1 a 1 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 9pf @ 4V, 1MHz
PZS517V5BAS-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. PZS517V5BAS-AU_R1_000A1 0.0378
RFQ
 ECAD 4280 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 PZS517 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,252,000 10 µa @ 5.7 v 7.5 v
PCDP1665GC_T0_00601 Panjit International Inc. PCDP1665GC_T0_00601 6.9600
RFQ
 ECAD 4431 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 PCDP1665 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PCDP1665GC_T0_00601 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 650 v 1.8 V @ 16 a 100 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 16A 446pf @ 1v, 1MHz
MMBZ5256B_R1_00001 Panjit International Inc. MMBZ5256B_R1_00001 0.1900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5256 410 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-MMBZ5256B_R1_00001DKR 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 23 v 30 v 49 옴
MMSZ5227BS_R1_00001 Panjit International Inc. MMSZ5227BS_R1_00001 0.2100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Panjit International Inc. MMSZ5221BS 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F MMSZ5227 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-MMSZ5227BS_R1_00001DKR 귀 99 8541.10.0050 5,000 15 µa @ 1 v 3.6 v 24 옴
SD840YS_L2_00001 Panjit International Inc. SD840YS_L2_00001 0.8900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SD840 Schottky TO-252 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 3757-SD840YS_L2_00001DKR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 8 a 200 µa @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a -
GV804B_R2_00001 Panjit International Inc. GV804B_R2_00001 0.4900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn GV804 기준 TO-277B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-GV804B_R2_00001CT 귀 99 8541.10.0080 5,000 짐 400 v 1.1 v @ 8 a 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a 55pf @ 4V, 1MHz
BZT52-C18S_R1_00001 Panjit International Inc. BZT52-C18S_R1_00001 0.1900
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Panjit International Inc. BZT52-C2V4 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F BZT52 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BZT52-C18S_R1_00001DKR 귀 99 8541.10.0050 5,000 100 na @ 14 v 18 v 50 옴
BC857CW_R1_00001 Panjit International Inc. BC857CW_R1_00001 0.1900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC857 250 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BC857CW_R1_00001DKR 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 420 @ 2MA, 5V 200MHz
UF800F_T0_00001 Panjit International Inc. UF800F_T0_00001 0.2700
RFQ
 ECAD 7213 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2, 분리 된 탭 UF800 기준 ITO-220AC - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-UF800F_T0_00001 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1 V @ 8 a 50 ns 1 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a -
PG600R_R2_00001 Panjit International Inc. PG600R_R2_00001 0.2052
RFQ
 ECAD 2471 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 p600, 축, PG600 기준 P600 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 60,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.3 V @ 6 a 150 ns 1 µa @ 50 v -50 ° C ~ 150 ° C 6A 300pf @ 4V, 1MHz
MBR190_R2_00001 Panjit International Inc. MBR190_R2_00001 0.0513
RFQ
 ECAD 1597 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 MBR190 Schottky DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-MBR190_R2_00001CT 귀 99 8541.10.0080 60,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 90 v 800 mv @ 1 a 50 µa @ 90 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A -
SK33_R1_00001 Panjit International Inc. SK33_R1_00001 0.4500
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC SK33 Schottky SMC (DO-214AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 500 mV @ 3 a 200 µa @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
US1R_R1_00001 Panjit International Inc. US1R_R1_00001 0.3400
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA US1R 기준 SMA (DO-214AC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-US1R_R1_00001DKR 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1300 v 1.9 V @ 1 a 75 ns 1 µa @ 1300 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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