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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
PZ1AL39B_R1_00001 Panjit International Inc. PZ1AL39B_R1_00001 0.0648
RFQ
 ECAD 5280 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F PZ1AL39 1 W. SOD-123FL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 567,000 1 µa @ 30 v 39 v 40
MMBZ5222BW_R1_00001 Panjit International Inc. MMBZ522BW_R1_00001 0.0189
RFQ
 ECAD 6412 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 MMBZ5222 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,252,000 100 µa @ 1 v 2.5 v 30 옴
BAW56W_R1_00001 Panjit International Inc. BAW56W_R1_00001 0.1600
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 baw56 기준 SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BAW56W_R1_00001DKR 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 양극 양극 공통 75 v 150ma 1.25 V @ 150 mA 4 ns 2.5 µa @ 75 v -55 ° C ~ 150 ° C
BZX84C6V2_R1_00001 Panjit International Inc. BZX84C6V2_R1_00001 0.1900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 410 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BZX84C6V2_R1_00001CT 귀 99 8541.10.0050 3,000 3 µa @ 4 v 6.2 v 10 옴
UF302G_R2_00001 Panjit International Inc. UF302G_R2_00001 0.3700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 UF302 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 3757-UF302G_R2_00001CT 귀 99 8541.10.0080 1,250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1 V @ 3 a 50 ns 1 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 75pf @ 4V, 1MHz
BAS70AW_R1_00001 Panjit International Inc. BAS70AW_R1_00001 0.2100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. BAS70W 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 BAS70 Schottky SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BAS70AW_R1_00001DKR 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 양극 양극 공통 70 v 200ma 1 V @ 15 ma 10 µa @ 70 v 150 ° C
QR406D_R2_00001 Panjit International Inc. QR406D_R2_00001 -
RFQ
 ECAD 5136 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB QR406 기준 TO-263 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.45 V @ 4 a 60 ns 3 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 4a -
ES1006FL_R1_00001 Panjit International Inc. ES1006FL_R1_00001 0.4800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F ES1006FL 기준 SOD-123FL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 1 a 35 ns 500 NA @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 7pf @ 4V, 1MHz
MMBZ5261BV_R1_00001 Panjit International Inc. MMBZ5261BV_R1_00001 0.0270
RFQ
 ECAD 7571 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 MMBZ5261 200 MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,250,000 100 na @ 36 v 47 v 105 옴
SS16_R1_00001 Panjit International Inc. SS16_R1_00001 0.2700
RFQ
 ECAD 670 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA SS16 Schottky SMA (DO-214AC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 700 mv @ 1 a 100 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 50pf @ 4V, 1MHz
PZ1AH4V7B-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. PZ1AH4V7B-AU_R1_000A1 0.4200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123H PZ1AH4V7 1 W. SOD-123HE 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-pz1ah4v7b-au_r1_000a1dkr 귀 99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 1 v 4.7 v 7 옴
BZT52-B12S-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BZT52-B12S-AU_R1_000A1 0.2400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F BZT52 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BZT52-B12S-AU_R1_000A1DKR 귀 99 8541.10.0050 5,000 100 na @ 9 v 12 v 20 옴
PJMH120N60EC_T0_00601 Panjit International Inc. PJMH120N60EC_T0_00601 5.2600
RFQ
 ECAD 7304 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 PJMH120 MOSFET (금속 (() TO-247AD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJMH120N60EC_T0_00601 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 30A (TC) 10V 120mohm @ 12a, 10V 4V @ 250µA 51 NC @ 10 v ± 30V 1960 pf @ 400 v - 235W (TC)
PJQ4441P-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. pjq4441p-au_r2_000a1 0.7100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ4441 MOSFET (금속 (() DFN3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-pjq4441p-au_r2_000a1dkr 귀 99 8541.29.0095 5,000 p 채널 40 v 8.5A (TA), 44A (TC) 4.5V, 10V 17mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 19 NC @ 4.5 v ± 20V 2030 pf @ 25 v - 2W (TA), 59.5W (TC)
SBT10120LCT_T0_00001 Panjit International Inc. SBT10120LCT_T0_00001 1.0692
RFQ
 ECAD 4874 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 SBT10120 Schottky TO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-SBT10120LCT_T0_00001 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 120 v 5a 830 mv @ 5 a 20 µa @ 120 v -55 ° C ~ 150 ° C
MMBT3904_R1_00001 Panjit International Inc. MMBT3904_R1_00001 0.1100
RFQ
 ECAD 91 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT3904 225 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-MMBT3904_R1_00001DKR 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 200 MA 50NA NPN 300mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 300MHz
MMBD3004A_R1_00001 Panjit International Inc. MMBD3004A_R1_00001 0.2700
RFQ
 ECAD 3404 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBD3004 기준 SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 240 v 225MA (DC) 1.25 V @ 200 ma 50 ns 100 na @ 350 v -55 ° C ~ 150 ° C
SD820YS_S2_00001 Panjit International Inc. sd820ys_s2_00001 0.3456
RFQ
 ECAD 2388 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SD820 Schottky TO-252 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 81,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 550 mV @ 8 a 200 µa @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C 8a -
SK12_R1_00001 Panjit International Inc. SK12_R1_00001 0.3900
RFQ
 ECAD 789 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB SK12 Schottky SMB (DO-214AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 500 mV @ 1 a 200 µa @ 20 v -50 ° C ~ 125 ° C 1A -
BZT52-B8V2S_R1_00001 Panjit International Inc. BZT52-B8V2S_R1_00001 0.2400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1.95% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F BZT52 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BZT52-B8V2S_R1_00001CT 귀 99 8541.10.0050 5,000 100 na @ 6 v 8.2 v 7 옴
PJA3416A_R1_00001 Panjit International Inc. PJA3416A_R1_00001 0.3500
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PJA3416 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 5.8A (TA) 1.8V, 4.5V 24mohm @ 5.8a, 4.5v 1.2V @ 250µA 10.4 NC @ 4.5 v ± 12V 592 pf @ 10 v - 1.25W (TA)
PJQ5948-AU_R2_002A1 Panjit International Inc. PJQ5948-AU_R2_002A1 1.1900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn PJQ5948 MOSFET (금속 (() 2.5W (TA), 30W (TC) DFN5060B-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 40V 10.6A (TA), 37A (TC) 12.3mohm @ 10a, 10V 2.3V @ 50µA 13NC @ 10V 778pf @ 25v 논리 논리 게이트
PJA3415_R1_00001 Panjit International Inc. PJA3415_R1_00001 0.3700
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PJA3415 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 4A (TA) 1.8V, 4.5V 57mohm @ 4a, 4.5v 1.2V @ 250µA 18 nc @ 4.5 v ± 12V 756 pf @ 10 v - 1.25W (TA)
PJL9411_R2_00001 Panjit International Inc. PJL9411_R2_00001 0.5200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) PJL9411 MOSFET (금속 (() 8-SOP - Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 3757-PJL9411_R2_00001DKR 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 8.4A (TA) 4.5V, 10V 20mohm @ 8.4a, 10V 2.5V @ 250µA 11 NC @ 4.5 v ± 20V 1169 pf @ 15 v - 1.7W (TA)
BAV99S_R1_00001 Panjit International Inc. BAV99S_R1_00001 0.2200
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 bav99 기준 SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 2 연결 연결 시리즈 75 v 150ma 1.25 V @ 150 mA 4 ns 2.5 µa @ 75 v -55 ° C ~ 150 ° C
BC848A_R1_00001 Panjit International Inc. BC848A_R1_00001 0.0189
RFQ
 ECAD 6225 0.00000000 Panjit International Inc. BC848 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC848 330 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 120,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 100MHz
SS1030_R1_00001 Panjit International Inc. SS1030_R1_00001 0.3200
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123 SS1030 Schottky SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 480 mV @ 1 a 50 µa @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
TS340IS_R1_00001 Panjit International Inc. TS340IS_R1_00001 0.2322
RFQ
 ECAD 8729 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 TS340 Schottky 4 d sm/smd - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 120,000 530 mV @ 3 a 100 µa @ 40 v 3 a 단일 단일 40 v
BAT721AC_R1_00001 Panjit International Inc. BAT721AC_R1_00001 0.0216
RFQ
 ECAD 4546 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAT721 Schottky SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1,248,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 400ma 650 mV @ 400 mA 50 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C
BC856BS_R1_00001 Panjit International Inc. BC856BS_R1_00001 0.3200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BC856 150MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BC856BS_R1_00001DKR 귀 99 8541.21.0075 3,000 65V 100ma 15NA (ICBO) 2 PNP (() 650MV @ 5MA, 100MA 220 @ 2MA, 5V 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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