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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
PJE138L_R1_00001 Panjit International Inc. PJE138L_R1_00001 0.4900
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-523 PJE138 MOSFET (금속 (() SOT-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJE138L_R1_00001DKR 귀 99 8541.21.0095 4,000 n 채널 60 v 160MA (TA) 1.8V, 10V 4.2ohm @ 160ma, 10V 1.5V @ 250µA 0.7 nc @ 4.5 v ± 20V 15 pf @ 15 v - 223MW (TA)
BAS21S_R1_00001 Panjit International Inc. BAS21S_R1_00001 0.6200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS21 기준 SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BAS21S_R1_00001DKR 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 연결 연결 시리즈 250 v 200ma 1 v @ 100 ma 50 ns 100 na @ 200 v 150 ° C
PJE8438_R1_00001 Panjit International Inc. PJE8438_R1_00001 0.4400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-523 PJE8438 MOSFET (금속 (() SOT-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJE8438_R1_00001DKR 귀 99 8541.21.0095 4,000 n 채널 50 v 360MA (TA) 1.8V, 10V 1.45ohm @ 500ma, 10V 1V @ 250µA 0.95 nc @ 4.5 v ± 20V 36 pf @ 25 v - 300MW (TA)
3EZ22_R2_00001 Panjit International Inc. 3EZ22_R2_00001 0.1080
RFQ
 ECAD 9973 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 3EZ22 3 w DO-15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-3EZ22_R2_00001CT 귀 99 8541.10.0050 28,000 500 NA @ 16.7 v 22 v 8 옴
US1002FL_R1_00001 Panjit International Inc. US1002FL_R1_00001 0.4800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F US1002 기준 SOD-123FL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-US1002FL_R1_00001CT 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1 V @ 1 a 50 ns 1 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 9pf @ 4V, 1MHz
BAT54BRW_R1_00001 Panjit International Inc. BAT54BRW_R1_00001 0.4100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Bat54 Schottky SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BAT54BRW_R1_00001DKR 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 2 연결 연결 시리즈 30 v 200MA (DC) 600 mv @ 100 ma 2 µa @ 25 v -55 ° C ~ 125 ° C
BAS40ADW_R1_00001 Panjit International Inc. BAS40ADW_R1_00001 0.0513
RFQ
 ECAD 6767 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BAS40 Schottky SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 4,002,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 2 양극 양극 공통 40 v 200MA (DC) 1 v @ 40 ma 5 ns 1 µa @ 25 v -55 ° C ~ 125 ° C
QR406D_R2_00001 Panjit International Inc. QR406D_R2_00001 -
RFQ
 ECAD 5136 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB QR406 기준 TO-263 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.45 V @ 4 a 60 ns 3 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 4a -
PJT7802_S1_00001 Panjit International Inc. PJT7802_S1_00001 0.5100
RFQ
 ECAD 3742 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PJT7802 MOSFET (금속 (() 350MW (TA) SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJT7802_S1_00001DKR 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 500MA (TA) 400mohm @ 500ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.9NC @ 4.5V 39pf @ 10V -
PJD35N06A_L2_00001 Panjit International Inc. PJD35N06A_L2_00001 0.6300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PJD35 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 4.7A (TA), 35A (TC) 4.5V, 10V 21mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 28 nc @ 10 v ± 20V 1680 pf @ 20 v - 1.1W (TA), 63W (TC)
MMBZ5225BTW_R1_00001 Panjit International Inc. MMBZ525BTW_R1_00001 0.0513
RFQ
 ECAD 4891 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MMBZ5225 200 MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,252,000 3 독립 50 µa @ 1 v 3 v 30 옴
MMSZ5231B_R1_00001 Panjit International Inc. MMSZ5231B_R1_00001 0.1900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 MMSZ5231 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-MMSZ5231B_R1_00001DKR 귀 99 8541.10.0050 3,000 5 µa @ 2 v 5.1 v 17 옴
PJQ4466AP_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ4466AP_R2_00001 0.5700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ4466 MOSFET (금속 (() DFN3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJQ4466AP_R2_00001DKR 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 60 v 6A (TA), 33A (TC) 4.5V, 10V 21mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 28 nc @ 10 v ± 20V 1680 pf @ 20 v - 2W (TA), 44.6W (TC)
EDT302S_L2_00001 Panjit International Inc. EDT302S_L2_00001 0.2187
RFQ
 ECAD 7071 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 EDT302S 기준 TO-252 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 60,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 MV @ 3 a 25 ns 1 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 50pf @ 4V, 1MHz
GS1J_R1_00001 Panjit International Inc. GS1J_R1_00001 0.2200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA GS1 기준 SMA (DO-214AC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-GS1J_R1_00001DKR 귀 99 8541.10.0080 1,800 짐 600 v 1.1 v @ 1 a 1 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 12pf @ 4V, 1MHz
ER503_R2_00001 Panjit International Inc. ER503_R2_00001 0.1539
RFQ
 ECAD 7738 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 ER503 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-er503_R2_00001CT 귀 99 8541.10.0080 60,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.25 V @ 5 a 35 ns 1 µa @ 300 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 65pf @ 4V, 1MHz
RS1G_R1_00001 Panjit International Inc. RS1G_R1_00001 0.3900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA Rs1g 기준 SMA (DO-214AC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-RS1G_R1_00001DKR 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 1 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 12pf @ 4V, 1MHz
ES1006FL_R1_00001 Panjit International Inc. ES1006FL_R1_00001 0.4800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F ES1006FL 기준 SOD-123FL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 1 a 35 ns 500 NA @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 7pf @ 4V, 1MHz
PJQ4411P_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ4411P_R2_00001 0.6700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ4411 MOSFET (금속 (() DFN3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 p 채널 20 v 13A (TA), 60A (TC) 1.8V, 4.5V 8mohm @ 8a, 4.5v 1V @ 250µA 46.8 NC @ 4.5 v ± 12V 4659 pf @ 15 v - 2W (TA), 60W (TC)
PJS6461-AU_S1_000A1 Panjit International Inc. PJS6461-AU_S1_000A1 0.7300
RFQ
 ECAD 44 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 PJS6461 MOSFET (금속 (() SOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 3.2A (TA) 4.5V, 10V 110mohm @ 3.2a, 10V 2.5V @ 250µA 10 nc @ 10 v ± 20V 785 pf @ 30 v - 2W (TA)
PJD1NA50_L2_00001 Panjit International Inc. PJD1NA50_L2_00001 -
RFQ
 ECAD 4810 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 pjd1na50 MOSFET (금속 (() TO-252 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJD1NA50_L2_00001CT 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 500 v 1A (TA) 10V 9ohm @ 500ma, 10V 4V @ 250µA 4.2 NC @ 10 v ± 30V 95 pf @ 25 v - 25W (TC)
BZX84B16_R1_00001 Panjit International Inc. BZX84B16_R1_00001 0.1900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 410 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BZX84B16_R1_00001CT 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 11.2 v 16 v 40
PJMP130N65EC_T0_00001 Panjit International Inc. PJMP130N65EC_T0_00001 6.8300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PJMP130 MOSFET (금속 (() TO-220AB-L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJMP130N65EC_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 650 v 29A (TC) 10V 130mohm @ 10.8a, 10V 4V @ 250µA 51 NC @ 10 v ± 30V 1920 pf @ 400 v - 235W (TC)
MMBTA55_R1_00001 Panjit International Inc. MMBTA55_R1_00001 0.1900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBTA55 225 MW SOT-23 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-MMBTA55_R1_00001DKR 귀 99 8541.21.0095 3,000 60 v 500 MA 100NA PNP 250mv @ 10ma, 100ma 100 @ 100ma, 1V 100MHz
BC807-16-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BC807-16-AU_R1_000A1 0.2100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC807 330 MW SOT-23 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BC807-16-AU_R1_000A1DKR 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50ma, 500ma 100 @ 100ma, 1V 100MHz
PJU2NA70_T0_00001 Panjit International Inc. PJU2NA70_T0_00001 -
RFQ
 ECAD 5891 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA PJU2NA70 MOSFET (금속 (() TO-251AA - 3757-PJU2NA70_T0_00001 쓸모없는 1 n 채널 700 v 2A (TA) 10V 6.5ohm @ 1a, 10V 4V @ 250µA 7.8 NC @ 10 v ± 30V 260 pf @ 25 v - 39W (TC)
BZX84C6V2_R1_00001 Panjit International Inc. BZX84C6V2_R1_00001 0.1900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 410 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BZX84C6V2_R1_00001CT 귀 99 8541.10.0050 3,000 3 µa @ 4 v 6.2 v 10 옴
SVM1560UB_R2_00001 Panjit International Inc. SVM1560UB_R2_00001 0.8500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn SVM1560 Schottky TO-277B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 560 mV @ 15 a 320 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 15a 850pf @ 4V, 1MHz
1N5350B_R2_00001 Panjit International Inc. 1N5350B_R2_00001 0.0945
RFQ
 ECAD 8677 0.00000000 Panjit International Inc. 1N5338B 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-201ae, 1 방향 1N5350 5 w Do-201ae 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-1n5350B_R2_00001CT 귀 99 8541.10.0050 500,000 1 µa @ 9.9 v 13 v 3 옴
MMBT5401-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. MMBT5401-AU_R1_000A1 0.2900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT5401 225 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 150 v 600 MA 50NA (ICBO) PNP 500mv @ 5ma, 50ma 60 @ 10ma, 5V 300MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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