SIC
close

불연속 불연속 제품 (5131)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
SVM1060XB_R2_00001 Panjit International Inc. SVM1060XB_R2_00001 0.7900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn SVM1060 Schottky TO-277B - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-SVM1060XB_R2_00001CT 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 490 mV @ 10 a 360 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 10A 850pf @ 4V, 1MHz
PZ1AH8V7B_R1_00001 Panjit International Inc. PZ1AH8V7B_R1_00001 0.0648
RFQ
 ECAD 1690 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123H PZ1AH8V7 1 W. SOD-123HE 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 501,000 10 µa @ 4 v 8.7 v 3 옴
MMBZ5244BTW_R1_00001 Panjit International Inc. MMBZ5244BTW_R1_00001 0.0513
RFQ
 ECAD 2475 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MMBZ5244 200 MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,252,000 3 독립 100 na @ 10.5 v 14 v 15 옴
STR40100LCB_R2_00001 Panjit International Inc. STR40100LCB_R2_00001 2.1000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STR40100 Schottky TO-263 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-STR40100LCB_R2_00001CT 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 20A 720 MV @ 20 a 100 @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C
SS1060FL_R1_00001 Panjit International Inc. SS1060FL_R1_00001 0.3700
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F SS1060 Schottky SOD-123FL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-SS1060FL_R1_00001TR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 700 mv @ 1 a 30 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
MMSZ5243A-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. MMSZ5243A-AU_R1_000A1 0.2400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 MMSZ5243 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,252,000 1 µa @ 9.9 v 13 v 13 옴
1SMA5936-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. 1SMA5936-AU_R2_000A1 0.0648
RFQ
 ECAD 1560 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1SMA5936 1.5 w SMA (DO-214AC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 502,500 1 µa @ 22.8 v 30 v 26 옴
MMBZ5257B_R1_00001 Panjit International Inc. MMBZ5257B_R1_00001 0.1900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5257 410 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-MMBZ5257B_R1_00001TR 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 25 v 33 v 58 옴
SBT30120LFCT_T0_00001 Panjit International Inc. SBT30120LFCT_T0_00001 0.4617
RFQ
 ECAD 5628 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 SBT30120 Schottky ITO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-SBT30120LFCT_T0_00001 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 120 v 15a 840 mV @ 15 a 30 µa @ 120 v -55 ° C ~ 150 ° C
SVM860VB_R2_00001 Panjit International Inc. SVM860VB_R2_00001 0.6700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn SVM860 Schottky TO-277B - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-SVM860VB_R2_00001DKR 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 550 mV @ 8 a 220 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a -
BC817DPN_R1_00001 Panjit International Inc. BC817DPN_R1_00001 0.3200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 BC817 330MW SOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BC817DPN_R1_00001TR 귀 99 8541.21.0075 3,000 45V 500ma 100NA (ICBO) NPN, PNP 700mv @ 500µa, 50ma 100 @ 100ma, 1V 100MHz
BZT52-B24-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BZT52-B24-AU_R1_000A1 0.2200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZT52 410 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 18 v 24 v 80 옴
1SMB5928-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. 1SMB5928-AU_R1_000A1 0.5000
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 1SMB5928 1.5 w SMB (DO-214AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 800 1 µa @ 9.9 v 13 v 7 옴
SBA0530CA_R1_00001 Panjit International Inc. SBA0530CA_R1_00001 0.0606
RFQ
 ECAD 7617 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SBA0530 Schottky SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 2,202,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 500ma 520 mV @ 500 mA 100 µa @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C
2N7002KW_R1_00001 Panjit International Inc. 2N7002KW_R1_00001 0.1900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 2N7002 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 115MA (TA) 4.5V, 10V 3ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 250µA 0.8 nc @ 4.5 v ± 20V 35 pf @ 25 v - 200MW (TA)
BAV99W-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. bav99w-au_r1_000a1 0.1900
RFQ
 ECAD 513 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 bav99 기준 SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BAV99W-AU_R1_000A1DKR 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 연결 연결 시리즈 75 v 150ma 1.25 V @ 150 mA 4 ns 2.5 µa @ 75 v -55 ° C ~ 150 ° C
MMSZ5255AS-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. MMSZ5255AS-AU_R1_000A1 0.0270
RFQ
 ECAD 7762 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F MMSZ5255 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,250,000 100 na @ 21 v 28 v 44 옴
PJD40N06A_L2_00001 Panjit International Inc. PJD40N06A_L2_00001 0.2329
RFQ
 ECAD 4568 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PJD40 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJD40N06A_L2_00001TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 40A (TC) 4.5V, 10V 17mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 13.5 nc @ 4.5 v ± 20V 1574 pf @ 25 v - 60W (TC)
PJD5NA80_L2_00001 Panjit International Inc. PJD5NA80_L2_00001 -
RFQ
 ECAD 8543 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PJD5NA80 MOSFET (금속 (() TO-252 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJD5NA80_L2_00001CT 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 800 v 5A (TA) 10V 2.7ohm @ 2.5a, 10V 4V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 30V 660 pf @ 25 v - 140W (TC)
PJL9414_R2_00001 Panjit International Inc. PJL9414_R2_00001 0.5900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) PJL9414 MOSFET (금속 (() 8-SOP - Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 3757-PJL9414_R2_00001CT 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 15A (TA) 4.5V, 10V 6MOHM @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 12 nc @ 4.5 v ± 20V 1323 pf @ 25 v - 1.7W (TA)
PSDP0860L1_T0_00001 Panjit International Inc. PSDP0860L1_T0_00001 1.7300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 PSDP0860 기준 TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 3757-PSDP0860L1_T0_00001 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.8 v @ 8 a 90 ns 100 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a -
PZS1119BES_R1_00001 Panjit International Inc. PZS1119BES_R1_00001 0.0270
RFQ
 ECAD 9500 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 PZS1119 150 MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,330,000 50 NA @ 14.4 v 19 v
MMBZ5245BV_R1_00001 Panjit International Inc. MMBZ5245BV_R1_00001 0.0189
RFQ
 ECAD 5143 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 MMBZ5245 200 MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,250,000 100 na @ 11 v 15 v 16 옴
BZX84C4V3-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BZX84C4V3-AU_R1_000A1 0.2100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 410 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BZX84C4V3-AU_R1_000A1CT 귀 99 8541.10.0050 3,000 3 µa @ 1 v 4.3 v 90 옴
MBR2150_R2_00001 Panjit International Inc. MBR2150_R2_00001 0.0675
RFQ
 ECAD 7850 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 MBR2150 Schottky DO-15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-MBR2150_R2_00001CT 귀 99 8541.10.0080 60,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 900 mV @ 2 a 50 µa @ 150 v -65 ° C ~ 175 ° C 2A -
US1BAFC_R1_00001 Panjit International Inc. US1BAFC_R1_00001 0.0465
RFQ
 ECAD 4465 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 US1B 기준 smaf-c - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 120,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1 V @ 1 a 50 ns 1 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1MHz
1SMA5934-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. 1SMA5934-AU_R2_000A1 0.0648
RFQ
 ECAD 5247 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1SMA5934 1.5 w SMA (DO-214AC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 502,500 1 µa @ 18.2 v 24 v 19 옴
S2D_R1_00001 Panjit International Inc. S2D_R1_00001 0.3200
RFQ
 ECAD 790 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB S2D 기준 SMB (DO-214AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 짐 200 v 1.1 v @ 2 a 1 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 30pf @ 4V, 1MHz
MMSZ5244B_R1_00001 Panjit International Inc. MMSZ5244B_R1_00001 0.1900
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 MMSZ5244 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 10.5 v 14 v 15 옴
STR20100LCT_T0_00001 Panjit International Inc. STR20100LCT_T0_00001 1.3500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 STR20100 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-STR20100LCT_T0_00001 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 10A 750 mv @ 10 a 50 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다