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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
BC846APN_R1_00001 Panjit International Inc. BC846APN_R1_00001 0.3600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BC846 225MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BC846APN_R1_00001CT 귀 99 8541.21.0075 3,000 65V 100ma 15NA (ICBO) NPN, PNP 보완 600mv @ 5ma, 100ma / 650mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 100MHz
MMBT3904FN3_R1_00001 Panjit International Inc. MMBT3904FN3_R1_00001 0.2700
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-ufdfn MMBT3904 250 MW 3-DFN (1x0.6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 40 v 200 MA 50NA NPN 300mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v -
MMBT918_R1_00001 Panjit International Inc. MMBT918_R1_00001 0.2200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT918 225MW SOT-23 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-MMBT918_R1_00001DKR 귀 99 8541.21.0075 3,000 - 15V 50ma NPN 20 @ 3ma, 1v 600MHz -
PDZ30B_R1_00001 Panjit International Inc. PDZ30B_R1_00001 0.2400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F PDZ30B 400MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PDZ30B_R1_00001DKR 귀 99 8541.10.0050 5,000 50 na @ 23 v 30 v 40
PJP35N06A_T0_00001 Panjit International Inc. PJP35N06A_T0_00001 0.8000
RFQ
 ECAD 168 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PJP35 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJP35N06A_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 4.7A (TA), 35A (TC) 4.5V, 10V 21mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 28 nc @ 10 v ± 20V 1680 pf @ 20 v - 2W (TA), 104W (TC)
PZS524V3BCH_R1_00001 Panjit International Inc. PZS524V3BCH_R1_00001 0.3200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.12% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F PZS524V3 500MW SOD-323HE 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PZS524V3BCH_R1_00001CT 귀 99 8541.10.0050 5,000 5 µa @ 1 v 4.3 v 95 옴
PJS6421_S1_00001 Panjit International Inc. PJS6421_S1_00001 0.4600
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 PJS6421 MOSFET (금속 (() SOT-23-6 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 7.4A (TA) 1.8V, 4.5V 26mohm @ 5a, 4.5v 1V @ 250µA 16.5 nc @ 4.5 v ± 10V 1620 pf @ 15 v - 2W (TA)
PDZ10B-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. PDZ10B-AU_R1_000A1 0.2700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F PDZ10B 400MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PDZ10B-AU_R1_000A1DKR 귀 99 8541.10.0050 5,000 100 na @ 7 v 10 v 10 옴
MBR1045DC_R2_00001 Panjit International Inc. MBR1045DC_R2_00001 0.2835
RFQ
 ECAD 9690 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBR104 Schottky TO-263 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 75,200 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 10A 700 mv @ 5 a 50 µa @ 45 v -65 ° C ~ 175 ° C
PJQ5450-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. PJQ5450-AU_R2_000A1 0.6400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ5450 MOSFET (금속 (() DFN5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJQ5450-AU_R2_000A1DKR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 5.9A (TA), 21A (TC) 4.5V, 10V 32mohm @ 12a, 10V 2.5V @ 250µA 4.4 NC @ 4.5 v ± 20V 425 pf @ 25 v - 2.4W (TA), 30W (TC)
PZ1AL3V6B-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. pz1al3v6b-au_r1_000a1 0.0756
RFQ
 ECAD 3978 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F PZ1AL3V6 1 W. SOD-123FL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 288,000 100 µa @ 1 v 3.6 v 8 옴
PJC7439_R1_00001 Panjit International Inc. PJC7439_R1_00001 0.4400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 PJC7439 MOSFET (금속 (() SOT-323 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJC7439_R1_00001CT 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 60 v 250MA (TA) 2.5V, 10V 4ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 250µA 1.1 NC @ 4.5 v ± 20V 51 pf @ 25 v - 350MW (TA)
PJL9433A_R2_00001 Panjit International Inc. PJL9433A_R2_00001 0.5100
RFQ
 ECAD 8570 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) PJL9433 MOSFET (금속 (() 8-SOP - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJL9433A_R2_00001DKR 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 60 v 3.2A (TA) 4.5V, 10V 110mohm @ 3.2a, 10V 2.5V @ 250µA 10 nc @ 10 v ± 20V 785 pf @ 30 v - 2.5W (TA)
ES1AWG_R1_00001 Panjit International Inc. es1awg_r1_00001 0.0570
RFQ
 ECAD 9941 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA ES1A 기준 SMA (DO-214AC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 59,400 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 950 MV @ 1 a 35 ns 1 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
BZT52-C47_R1_00001 Panjit International Inc. BZT52-C47_R1_00001 0.0156
RFQ
 ECAD 6887 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZT52 410 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,252,000 100 na @ 35 v 47 v 100 옴
PZS5214BCH_R1_00001 Panjit International Inc. PZS5214BCH_R1_00001 0.0351
RFQ
 ECAD 2619 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F PZS5214 500MW SOD-323HE 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,250,000 100 na @ 10.5 v 14 v 25 옴
BC858B_R1_00001 Panjit International Inc. BC858B_R1_00001 0.1900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. BC856 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC858 330 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BC858B_R1_00001DKR 귀 99 8541.21.0095 3,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 220 @ 2MA, 5V 200MHz
PZ1AH24B_R1_00001 Panjit International Inc. PZ1AH24B_R1_00001 0.0648
RFQ
 ECAD 6728 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123H PZ1AH24 1 W. SOD-123HE 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 567,000 1 µa @ 18 v 24 v 15 옴
1SMC5364_R1_00001 Panjit International Inc. 1SMC5364_R1_00001 0.1863
RFQ
 ECAD 8684 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AB, SMC 1SMC5364 5 w SMC (DO-214AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 165,600 500 NA @ 25.1 v 33 v 10 옴
MMBZ5250A_R1_00001 Panjit International Inc. MMBZ5250A_R1_00001 0.0189
RFQ
 ECAD 1425 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5250 410 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,252,000 100 na @ 15 v 20 v 25 옴
PJD55N03_L2_00001 Panjit International Inc. PJD55N03_L2_00001 0.1992
RFQ
 ECAD 4928 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PJD55 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJD55N03_L2_00001TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 10.5A (TA), 55A (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 16a, 10V 2.5V @ 250µA 7.1 NC @ 4.5 v ± 20V 763 pf @ 25 v - 2W (TA), 54W (TC)
PJQ2461_R1_00001 Panjit International Inc. PJQ2461_R1_00001 0.1480
RFQ
 ECAD 3959 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-wdfn n 패드 PJQ2461 MOSFET (금속 (() DFN2020B-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJQ2461_R1_00001TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 2.4A (TA) 4.5V, 10V 190mohm @ 2a, 10V 2.5V @ 250µA 8.3 NC @ 10 v ± 20V 430 pf @ 30 v - 2W (TA)
PJF7NA80_T0_00001 Panjit International Inc. PJF7NA80_T0_00001 -
RFQ
 ECAD 8035 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 PJF7NA80 MOSFET (금속 (() ITO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 3757-PJF7NA80_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 7A (TA) 10V 1.55ohm @ 3.5a, 10V 4V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 30V 1082 pf @ 25 v - 50W (TC)
PJQ4448P-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. PJQ4448P-AU_R2_000A1 0.5900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ4448 MOSFET (금속 (() DFN3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-pjq4448p-au_r2_000a1ct 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 10A (TA), 42A (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 250µA 10 nc @ 4.5 v ± 20V 1040 pf @ 20 v - 2.4W (TA), 42W (TC)
2EZ8.7_R2_00001 Panjit International Inc. 2EZ8.7_R2_00001 0.0648
RFQ
 ECAD 9003 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 2EZ8.7 2 w DO-15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-2EZ8.7_R2_00001CT 귀 99 8541.10.0050 500,000 4 µa @ 6.6 v 8.7 v 2 옴
PJD25N04-AU_L2_000A1 Panjit International Inc. PJD25N04-AU_L2_000A1 0.2301
RFQ
 ECAD 3267 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PJD25 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-pjd25n04-au_l2_000a1tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 5.9A (TA), 21A (TC) 4.5V, 10V 32mohm @ 12a, 10V 2.5V @ 250µA 4.4 NC @ 4.5 v ± 20V 425 pf @ 25 v - 2.4W (TA), 30W (TC)
PJQ4463AP-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. pjq4463ap-au_r2_000a1 0.7900
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ4463 MOSFET (금속 (() DFN3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 p 채널 60 v 4.2A (TA) 4.5V, 10V 68mohm @ 6a, 10V 2.5V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V 879 pf @ 30 v - 2.1W (TA)
BZX84B14_R1_00001 Panjit International Inc. BZX84B14_R1_00001 0.1900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 410 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BZX84B14_R1_00001DKR 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 10 v 14 v 30 옴
PZS5112BAS-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. PZS5112BAS-AU_R1_000A1 0.0378
RFQ
 ECAD 1105 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 PZS5112 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,252,000 50 na @ 9.1 v 12 v
BC850CW_R1_00001 Panjit International Inc. BC850CW_R1_00001 0.0189
RFQ
 ECAD 1164 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC850 250 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 120,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 420 @ 2MA, 5V 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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