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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
MMSZ5246AS_R1_00001 Panjit International Inc. MMSZ5246AS_R1_00001 0.2100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F MMSZ5246 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-MMSZ5246AS_R1_00001CT 귀 99 8541.10.0050 5,000 100 na @ 12 v 16 v 17 옴
BZX84C5V6-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BZX84C5V6-AU_R1_000A1 0.2100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101, BZX84C2V4-AU 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 410 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BZX84C5V6-AU_R1_000A1DKR 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 µa @ 2 v 5.6 v 40
PCDH20120G1_T0_00601 Panjit International Inc. PCDH20120G1_T0_00601 12.6300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-2 PCDH20120 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247AD-2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PCDH20120G1_T0_00601 귀 99 8541.10.0080 1,500 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.7 V @ 20 a 0 ns 180 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 20A 1023pf @ 1v, 1MHz
PJC7401_R1_00001 Panjit International Inc. PJC7401_R1_00001 0.4500
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 PJC7401 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 1.5A (TA) 2.5V, 10V 115mohm @ 1.5a, 10V 1.3V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 12V 443 pf @ 15 v - 350MW (TA)
SVC12120VB_R2_00001 Panjit International Inc. SVC12120VB_R2_00001 0.2322
RFQ
 ECAD 4967 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn SVC12120 Schottky TO-277B - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 15,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 120 v 770 MV @ 12 a 100 @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 12a -
PZS119V1BES_R1_00001 Panjit International Inc. PZS119V1BES_R1_00001 0.0270
RFQ
 ECAD 4746 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 PZS119V1 150 MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,330,000 1 µa @ 6.9 v 9.1 v
SS30200HE_R1_00001 Panjit International Inc. SS30200HE_R1_00001 0.4300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123H SS30200 Schottky SOD-123HE 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 860 MV @ 3 a 20 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
ED303S_S2_00001 Panjit International Inc. ED303S_S2_00001 0.2187
RFQ
 ECAD 5503 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 ED303S 기준 TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 60,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.25 V @ 3 a 35 ns 1 µa @ 300 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
ES1D_R1_00001 Panjit International Inc. ES1D_R1_00001 0.3400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA ES1D 기준 SMA (DO-214AC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-ES1D_R1_00001TR 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 MV @ 1 a 35 ns 1 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 7pf @ 4V, 1MHz
SB54AFC_R1_00001 Panjit International Inc. SB54AFC_R1_00001 0.3600
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 SB54 Schottky smaf-c 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-SB54AFC_R1_00001TR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 540 mV @ 5 a 100 µa @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 159pf @ 10V, 1MHz
BZX84C20_R1_00001 Panjit International Inc. BZX84C20_R1_00001 0.1900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 410 MW SOT-23 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BZX84C20_R1_00001DKR 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 14 v 20 v 55 옴
MMBZ5231AW_R1_00001 Panjit International Inc. MMBZ5231AW_R1_00001 0.0189
RFQ
 ECAD 7200 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1.96% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 MMBZ5231 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,252,000 5 µa @ 2 v 5.1 v 17 옴
PJT7413_S2_00001 Panjit International Inc. PJT7413_S2_00001 -
RFQ
 ECAD 6624 0.00000000 Panjit International Inc. - 컷 컷 (CT) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PJT7413 MOSFET (금속 (() SOT-363 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJT7413_S2_00001DKR 귀 99 8541.21.0095 10,000 p 채널 20 v 2.5A (TA) 1.5V, 4.5V 85mohm @ 2.5a, 4.5v 1.2V @ 250µA 7 NC @ 4.5 v ± 12V 522 pf @ 10 v - 750MW (TA)
BZT52-B5V1S_R1_00001 Panjit International Inc. BZT52-B5V1S_R1_00001 0.1900
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Panjit International Inc. BZT52-B2V4S 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1.96% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F BZT52 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BZT52-B5V1S_R1_00001DKR 귀 99 8541.10.0050 5,000 100 NA @ 800 MV 5.1 v 60 옴
UF504IG_AY_00001 Panjit International Inc. UF504IG_AY_00001 0.1539
RFQ
 ECAD 5041 0.00000000 Panjit International Inc. - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 UF504 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 60,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.25 V @ 5 a 50 ns 1 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
ER506_R2_00001 Panjit International Inc. ER506_R2_00001 0.4600
RFQ
 ECAD 512 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 ER506 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 5 a 35 ns 1 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 65pf @ 4V, 1MHz
1SMB3EZ30-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. 1SMB3EZ30-AU_R2_000A1 0.1242
RFQ
 ECAD 6949 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 1SMB3 3 w SMB (DO-214AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 501,000 500 NA @ 22.5 v 30 v 16 옴
PJQ4408P_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ4408P_R2_00001 0.5000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ4408 MOSFET (금속 (() DFN3333-8 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJQ4408P_R2_00001CT 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 10A (TA), 42A (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 16a, 10V 2.5V @ 250µA 7.1 NC @ 4.5 v ± 20V 763 pf @ 25 v - 2W (TA), 35W (TC)
MBR38AFC_R1_00001 Panjit International Inc. MBR38AFC_R1_00001 0.4300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 MBR38 Schottky smaf-c 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-MBR38AFC_R1_00001DKR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 80 v 800 mv @ 3 a 50 µa @ 80 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 20pf @ 4V, 1MHz
MB810_R1_00001 Panjit International Inc. MB810_R1_00001 0.5800
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC MB810 Schottky SMC (DO-214AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 800 mV @ 8 a 50 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a -
BZT52-B30-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BZT52-B30-AU_R1_000A1 0.2200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZT52 410 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 22.5 v 30 v 80 옴
1SMB3EZ16-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. 1SMB3EZ16-AU_R2_000A1 0.1242
RFQ
 ECAD 8838 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 1SMB3 3 w SMB (DO-214AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 501,000 500 NA @ 12.2 v 16 v 6 옴
MMBZ5246A_R1_00001 Panjit International Inc. MMBZ5246A_R1_00001 0.0189
RFQ
 ECAD 5622 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5246 410 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,252,000 100 na @ 12 v 16 v 17 옴
MBR6080PT_T0_00001 Panjit International Inc. MBR6080PT_T0_00001 1.5390
RFQ
 ECAD 1665 0.00000000 Panjit International Inc. MBR6040PT 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 MBR6080 Schottky TO-247AD (TO-3P) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-MBR6080PT_T0_00001 귀 99 8541.10.0080 30 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 80 v 60a 800 mV @ 30 a 100 µa @ 80 v -65 ° C ~ 175 ° C
BZT52-B33_R1_00001 Panjit International Inc. BZT52-B33_R1_00001 0.2100
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZT52 410 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BZT52-B33_R1_00001DKR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 25 v 33 v 80 옴
ER1C_R1_00001 Panjit International Inc. ER1C_R1_00001 0.0621
RFQ
 ECAD 4206 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB ER1C 기준 SMB (DO-214AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 60,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 950 MV @ 1 a 35 ns 1 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
PZ1AH13B_R1_00001 Panjit International Inc. PZ1AH13B_R1_00001 0.0648
RFQ
 ECAD 7718 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123H PZ1AH13 1 W. SOD-123HE 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 501,000 2 µa @ 10 v 13 v 10 옴
PBSS4232DD_L2_00001 Panjit International Inc. PBSS4232DD_L2_00001 0.5300
RFQ
 ECAD 8152 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PBSS4232 2 w TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PBSS4232DD_L2_00001DKR 귀 99 8541.29.0095 3,000 32 v 2 a 100NA NPN 800mv @ 200ma, 2a 180 @ 500ma, 3v 270MHz
BAS100AS_R1_00001 Panjit International Inc. BAS100AS_R1_00001 0.3900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123 BAS100 Schottky SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 850 mV @ 500 mA 15 na @ 80 v -55 ° C ~ 150 ° C 500ma 21pf @ 4V, 1MHz
BZT52-C8V2S_R1_00001 Panjit International Inc. BZT52-C8V2S_R1_00001 0.2100
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Panjit International Inc. BZT52-C2V4 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F BZT52 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 100 na @ 6 v 8.2 v 7 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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