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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
PSMQC040N10NS2_R2_00601 Panjit International Inc. PSMQC040N10NS2_R2_00601 2.4400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 PSMQC040N10 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000
BC850B_R1_00001 Panjit International Inc. BC850B_R1_00001 0.0189
RFQ
 ECAD 8439 0.00000000 Panjit International Inc. BC850 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC850 330 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 120,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
SBA220AL_R1_00001 Panjit International Inc. SBA220AL_R1_00001 0.3900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F SBA220 Schottky SOD-123FL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-SBA220AL_R1_00001DKR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 460 mV @ 2 a 100 µa @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
MURC4J_R1_00001 Panjit International Inc. MURC4J_R1_00001 0.5000
RFQ
 ECAD 885 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC murc4 기준 SMC (DO-214AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-MURC4J_R1_00001DKR 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.28 V @ 4 a 50 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 4a -
PCDP1065GB_T0_00601 Panjit International Inc. PCDP1065GB_T0_00601 6.2000
RFQ
 ECAD 8956 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 PCDP1065 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PCDP1065GB_T0_00601 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 650 v 1.6 V @ 10 a 100 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 10A 446pf @ 1v, 1MHz
PJT7802_R1_00001 Panjit International Inc. PJT7802_R1_00001 0.5100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PJT7802 MOSFET (금속 (() 350MW (TA) SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJT7802_R1_00001DKR 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 500MA (TA) 400mohm @ 500ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.9NC @ 4.5V 39pf @ 10V -
MER802FT_T0_00601 Panjit International Inc. MER802FT_T0_00601 0.9400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2, 분리 된 탭 MER802 기준 ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 MV @ 8 a 35 ns 1 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 8a 80pf @ 4V, 1MHz
PJQ4463AP_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ4463AP_R2_00001 0.5000
RFQ
 ECAD 4927 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ4463 MOSFET (금속 (() DFN3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 p 채널 60 v 4.2A (TA) 4.5V, 10V 68mohm @ 6a, 10V 2.5V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V 879 pf @ 30 v - 2.1W (TA)
MB115_R1_00001 Panjit International Inc. MB115_R1_00001 0.4300
RFQ
 ECAD 780 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB MB115 Schottky SMB (DO-214AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 900 mV @ 1 a 50 µa @ 150 v -65 ° C ~ 175 ° C 1A -
BZX84C62W_R1_00001 Panjit International Inc. BZX84C62W_R1_00001 0.0162
RFQ
 ECAD 9029 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BZX84 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,252,000 100 na @ 46 v 62 v 150 옴
SD620CS_S2_00001 Panjit International Inc. SD620CS_S2_00001 0.3078
RFQ
 ECAD 3884 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SD620 Schottky TO-252 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 81,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 20 v 6A 550 mV @ 3 a 200 µa @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C
AZ23C7V5_R1_00001 Panjit International Inc. AZ23C7V5_R1_00001 0.0297
RFQ
 ECAD 7963 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C7V5 300MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,252,000 1 양극 양극 공통 100 na @ 5 v 7.5 v 7 옴
3EZ16_R2_00001 Panjit International Inc. 3EZ16_R2_00001 0.1080
RFQ
 ECAD 2438 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 3EZ16 3 w DO-15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-3EZ16_R2_00001CT 귀 99 8541.10.0050 28,000 500 NA @ 12.2 v 16 v 6 옴
BZX84C27W_R1_00001 Panjit International Inc. BZX84C27W_R1_00001 0.0162
RFQ
 ECAD 7269 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BZX84 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,252,000 100 na @ 18.9 v 27 v 80 옴
BZT52-C2V4_R1_00001 Panjit International Inc. BZT52-C2V4_R1_00001 0.1500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZT52 410 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BZT52-C2V4_R1_00001DKR 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 µa @ 1 v 2.4 v 85 옴
GS1N_R1_00001 Panjit International Inc. GS1N_R1_00001 0.4600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA GS1 기준 SMA (DO-214AC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 짐 1200 v 1.1 v @ 1 a 1 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 12pf @ 4V, 1MHz
PZ1AL33B_R1_00001 Panjit International Inc. PZ1AL33B_R1_00001 0.0648
RFQ
 ECAD 3808 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F pz1al33 1 W. SOD-123FL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 501,000 1 µa @ 24 v 33 v 15 옴
BD860CS_S2_00001 Panjit International Inc. BD860CS_S2_00001 0.3969
RFQ
 ECAD 4616 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 BD860 Schottky TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 75,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 8a 750 mV @ 4 a 50 µa @ 60 v -65 ° C ~ 175 ° C
RB551V-30_R1_00001 Panjit International Inc. RB551V-30_R1_00001 0.2100
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-90, SOD-323F RB551V Schottky SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-RB551V-30_R1_00001DKR 귀 99 8541.10.0070 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 470 mV @ 500 mA 100 µa @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C 500ma -
BZX584C22_R1_00001 Panjit International Inc. BZX584C22_R1_00001 0.2400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZX584 200 MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 15.4 v 22 v 55 옴
PJQ5948-AU_R2_002A1 Panjit International Inc. PJQ5948-AU_R2_002A1 1.1900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn PJQ5948 MOSFET (금속 (() 2.5W (TA), 30W (TC) DFN5060B-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 40V 10.6A (TA), 37A (TC) 12.3mohm @ 10a, 10V 2.3V @ 50µA 13NC @ 10V 778pf @ 25v 논리 논리 게이트
ERT3AAF_R1_00001 Panjit International Inc. ERT3AAF_R1_00001 0.1755
RFQ
 ECAD 6188 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-221AA, SMB 플랫 리드 ert3aaf 기준 SMBF 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 120,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 950 MV @ 3 a 25 ns 1 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 50pf @ 4V, 1MHz
PJQ1906_R1_00201 Panjit International Inc. PJQ1906_R1_00201 -
RFQ
 ECAD 1514 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-ufdfn PJQ1906 MOSFET (금속 (() DFN1006-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 30 v 300MA (TA) 1.2V, 4.5V 1.2ohm @ 300ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.9 nc @ 4.5 v ± 10V 45 pf @ 10 v - 700MW (TA)
SR22_R1_00001 Panjit International Inc. SR22_R1_00001 0.3800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA SR22 Schottky SMA (DO-214AC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-SR22_R1_00001DKR 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 500 mV @ 2 a 200 µa @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C 2A -
MMBZ5232BW_R1_00001 Panjit International Inc. MMBZ5232BW_R1_00001 0.0189
RFQ
 ECAD 1856 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 MMBZ5232 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,252,000 5 µa @ 3 v 5.6 v 11 옴
PJQ5450_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ5450_R2_00001 0.1641
RFQ
 ECAD 4409 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ5450 MOSFET (금속 (() DFN5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJQ5450_R2_00001TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 5.9A (TA), 21A (TC) 4.5V, 10V 32mohm @ 12a, 10V 2.5V @ 250µA 4.4 NC @ 4.5 v ± 20V 425 pf @ 25 v - 2W (TA), 25W (TC)
RS1008FL_R1_00001 Panjit International Inc. RS1008FL_R1_00001 0.3700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F Rs1008 기준 SOD-123FL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-RS1008FL_R1_00001DKR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.3 v @ 1 a 500 ns 1 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 9pf @ 4V, 1MHz
PZS519V1BCH-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. PZS519V1BCH-AU_R1_000A1 0.0378
RFQ
 ECAD 1133 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F PZS519 500MW SOD-323HE 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,330,000 1 µa @ 6.9 v 9.1 v
SS18W_R1_00001 Panjit International Inc. SS18W_R1_00001 0.2700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA SS18 Schottky SMA (DO-214AC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 80 v 850 mv @ 1 a 500 µa @ 80 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
BZX84B51_R1_00001 Panjit International Inc. BZX84B51_R1_00001 0.1800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 410 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,250,000 100 na @ 38 v 51 v 100 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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