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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
BZT52-B6V2-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BZT52-B6V2-AU_R1_000A1 0.2200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1.94% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZT52 410 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BZT52-B6V2-AU_R1_000A1DKR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 2 v 6.2 v 10 옴
1SMA5922-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. 1SMA5922-AU_R1_000A1 0.4800
RFQ
 ECAD 125 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1SMA5922 1.5 w SMA (DO-214AC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 5 µa @ 6 v 7.5 v 3 옴
DI108S_T0_00001 Panjit International Inc. DI108S_T0_00001 0.4800
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 DI108 기준 4-SDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-DI108S_T0_00001 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 1 a 5 µa @ 800 v 1 a 단일 단일 800 v
BAL99W_R1_00001 Panjit International Inc. BAL99W_R1_00001 0.0162
RFQ
 ECAD 3238 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 BAL99 기준 SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 120,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 75 v 1.25 V @ 150 mA 4 ns 2.5 µa @ 75 v -55 ° C ~ 150 ° C 150ma 1.5pf @ 0v, 1MHz
UF804F_T0_00001 Panjit International Inc. UF804F_T0_00001 0.7000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2, 분리 된 탭 UF804 기준 ITO-220AC - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-UF804F_T0_00001 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 V @ 8 a 50 ns 1 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a -
PJU4NA70_T0_00001 Panjit International Inc. PJU4NA70_T0_00001 -
RFQ
 ECAD 5360 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA PJU4NA70 MOSFET (금속 (() TO-251AA - 3757-PJU4NA70_T0_00001 쓸모없는 1 n 채널 700 v 4A (TA) 10V 2.8ohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 10.5 nc @ 10 v ± 30V 514 pf @ 25 v - 77W (TC)
PJS6421_S1_00001 Panjit International Inc. PJS6421_S1_00001 0.4600
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 PJS6421 MOSFET (금속 (() SOT-23-6 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 7.4A (TA) 1.8V, 4.5V 26mohm @ 5a, 4.5v 1V @ 250µA 16.5 nc @ 4.5 v ± 10V 1620 pf @ 15 v - 2W (TA)
PJC7472B_R1_00001 Panjit International Inc. PJC7472B_R1_00001 0.0987
RFQ
 ECAD 5610 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 PJC7472 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJC7472B_R1_00001TR 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 250MA (TA) 4.5V, 10V 3ohm @ 600ma, 10V 2.5V @ 250µA 0.82 nc @ 4.5 v ± 30V 34 pf @ 25 v - 350MW (TA)
BC817-25-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BC817-25-AU_R1_000A1 0.1900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC817 330 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 160 @ 100MA, 1V 100MHz
PJP60R390E_T0_00001 Panjit International Inc. PJP60R390E_T0_00001 2.0300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PJP60R MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJP60R390E_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 1.5A (TA), 11A (TC) 10V 390mohm @ 3.8a, 10V 4V @ 250µA 32 NC @ 10 v ± 20V 531 pf @ 25 v - 2W (TA), 124W (TC)
BC846BS_R1_00001 Panjit International Inc. BC846BS_R1_00001 0.2400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BC846 250MW SOT-363 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BC846BS_R1_00001DKR 귀 99 8541.21.0075 3,000 65V 100ma 15NA (ICBO) 2 NPN (() 300mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
PSMB055N08NS1_R2_00601 Panjit International Inc. PSMB055N08NS1_R2_00601 1.6100
RFQ
 ECAD 398 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB PSMB055N08 MOSFET (금속 (() TO-263 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PSMB055N08NS1_R2_00601TR 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 80 v 108A (TC) 7V, 10V 5.5mohm @ 50a, 10V 3.75V @ 250µA 48 NC @ 7 v ± 20V 4773 pf @ 40 v - 113.6W (TC)
PJL9458AL_R2_00001 Panjit International Inc. PJL9458AL_R2_00001 0.3261
RFQ
 ECAD 2433 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) PJL9458 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 3757-PJL9458AL_R2_00001TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 7A (TA) 4.5V, 10V 25mohm @ 7a, 10V 2.5V @ 250µA 31 NC @ 10 v ± 20V 1519 pf @ 30 v - 2.5W (TA)
MMBT3906_R1_00001 Panjit International Inc. MMBT3906_R1_00001 0.1300
RFQ
 ECAD 62 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT3906 330 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-MMBT3906_R1_00001DKR 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 200 MA 50NA PNP 400mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 250MHz
PJD1NA60A_R2_00001 Panjit International Inc. PJD1NA60A_R2_00001 -
RFQ
 ECAD 8578 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PJD1NA60 MOSFET (금속 (() TO-252 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v - 10V 7.9ohm @ 500ma, 10V 4V @ 250µA 3.1 NC @ 10 v ± 30V 148 pf @ 25 v - -
PJD1NA50_L2_00001 Panjit International Inc. PJD1NA50_L2_00001 -
RFQ
 ECAD 4810 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 pjd1na50 MOSFET (금속 (() TO-252 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJD1NA50_L2_00001CT 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 500 v 1A (TA) 10V 9ohm @ 500ma, 10V 4V @ 250µA 4.2 NC @ 10 v ± 30V 95 pf @ 25 v - 25W (TC)
MMBT3904FN3_R1_00001 Panjit International Inc. MMBT3904FN3_R1_00001 0.2700
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-ufdfn MMBT3904 250 MW 3-DFN (1x0.6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 40 v 200 MA 50NA NPN 300mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v -
BZT52-C17S-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BZT52-C17S-AU_R1_000A1 0.0243
RFQ
 ECAD 8521 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F BZT52 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,250,000 100 na @ 13 v 17 v 40
PJP7NA80_T0_00001 Panjit International Inc. PJP7NA80_T0_00001 -
RFQ
 ECAD 2692 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PJP7 MOSFET (금속 (() TO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 3757-PJP7NA80_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 7A (TA) 10V 1.55ohm @ 3.5a, 10V 4V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 30V 1082 pf @ 25 v - 154W (TC)
MBR6200F_T0_00001 Panjit International Inc. MBR6200F_T0_00001 1.1600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2, 분리 된 탭 MBR6200 Schottky ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 900 mV @ 6 a 50 µa @ 200 v -65 ° C ~ 175 ° C 6A -
PJE8472B_R1_00001 Panjit International Inc. PJE8472B_R1_00001 0.0987
RFQ
 ECAD 8566 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-523 PJE8472 MOSFET (금속 (() SOT-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJE8472B_R1_00001TR 귀 99 8541.21.0095 4,000 n 채널 60 v 200MA (TA) 4.5V, 10V 3ohm @ 600ma, 10V 2.5V @ 250µA 0.82 nc @ 4.5 v ± 30V 34 pf @ 25 v - 300MW (TA)
PJF7NA60_T0_00001 Panjit International Inc. PJF7NA60_T0_00001 -
RFQ
 ECAD 9238 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 PJF7NA60 MOSFET (금속 (() ITO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 3757-PJF7NA60_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 7A (TA) 10V 1.2ohm @ 3.5a, 10V 4V @ 250µA 15.2 NC @ 10 v ± 30V 723 pf @ 25 v - 45W (TC)
PJL9413_R2_00001 Panjit International Inc. PJL9413_R2_00001 0.6100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) PJL9413 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 3757-PJL9413_R2_00001DKR 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 10A (TA) 4.5V, 10V 15.5mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 14 nc @ 4.5 v ± 20V 1556 pf @ 15 v - 1.7W (TA)
BC850CW_R1_00001 Panjit International Inc. BC850CW_R1_00001 0.0189
RFQ
 ECAD 1164 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC850 250 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 120,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 420 @ 2MA, 5V 100MHz
BC856BW-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BC856BW-AU_R1_000A1 0.1900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC856 250 MW SOT-323 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BC856BW-AU_R1_000A1DKR 귀 99 8541.21.0075 3,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 200 @ 2mA, 5V 200MHz
PSMP032N08NS1_T0_00601 Panjit International Inc. PSMP032N08NS1_T0_00601 2.4200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PSMP032N08 MOSFET (금속 (() TO-220AB-L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PSMP032N08NS1_T0_00601 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 80 v 166A (TC) 7V, 10V 3.4mohm @ 50a, 10V 3.75V @ 250µA 76 NC @ 7 v ± 20V 7430 pf @ 40 v - 156W (TC)
PJD5P10A_L2_00001 Panjit International Inc. PJD5P10A_L2_00001 0.1816
RFQ
 ECAD 7322 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PJD5 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-pjd5p10a_l2_00001tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 100 v 1.3A (TA), 5A (TC) 4.5V, 10V 650mohm @ 2.5a, 10V 2.5V @ 250µA 8 nc @ 10 v ± 20V 448 pf @ 15 v - 2W (TA), 30W (TC)
2EZ15_R2_00001 Panjit International Inc. 2EZ15_R2_00001 0.0648
RFQ
 ECAD 1563 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 2EZ15 2 w DO-15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-2EZ15_R2_00001CT 귀 99 8541.10.0050 500,000 500 NA @ 11.4 v 15 v 7 옴
MMBD3004S_R1_00001 Panjit International Inc. MMBD3004S_R1_00001 0.2500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBD3004 기준 SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 연결 연결 시리즈 240 v 225MA (DC) 1.25 V @ 200 ma 50 ns 100 na @ 350 v -55 ° C ~ 150 ° C
BC847C_R1_00001 Panjit International Inc. BC847C_R1_00001 0.1900
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Panjit International Inc. BC847 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC847 330 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 420 @ 2MA, 5V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

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