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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
PJQ2405-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. PJQ2405-AU_R1_000A1 0.2576
RFQ
 ECAD 8830 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-wdfn n 패드 PJQ2405 MOSFET (금속 (() DFN2020B-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-pjq2405-au_r1_000a1tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 7.2A 1.8V, 4.5V 32mohm @ 7.2a, 4.5v 900MV @ 250µA 18.9 NC @ 4.5 v ± 8V 1785 pf @ 10 v - 2.8W (TA)
BZX84B14W_R1_00001 Panjit International Inc. BZX84B14W_R1_00001 0.0270
RFQ
 ECAD 7620 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BZX84 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,252,000 100 na @ 10 v 14 v 30 옴
MMBZ5245BW_R1_00001 Panjit International Inc. MMBZ5245BW_R1_00001 0.1900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 MMBZ5245 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-MMBZ5245BW_R1_00001DKR 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 11 v 15 v 16 옴
PZ1AH11B_R1_00001 Panjit International Inc. PZ1AH11B_R1_00001 0.0648
RFQ
 ECAD 8308 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123H PZ1AH11 1 W. SOD-123HE 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 567,000 4 µa @ 8.2 v 11 v 7 옴
DXK410_T0_00001 Panjit International Inc. DXK410_T0_00001 0.6100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-sip DXK410 기준 DXK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-DXK410_T0_00001 귀 99 8541.10.0080 5,600 1.05 V @ 2 a 5 µa @ 1000 v 4 a 단일 단일 1kv
PJMD990N65EC_L2_00001 Panjit International Inc. PJMD990N65EC_L2_00001 6.8300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PJMD990 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJMD990N65EC_L2_00001CT 귀 99 8541.29.0095 6,000 n 채널 650 v 4.7A (TC) 10V 990mohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 9.7 NC @ 10 v ± 30V 306 PF @ 400 v - 47.5W (TC)
GBU1510_T0_00601 Panjit International Inc. GBU1510_T0_00601 0.8500
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU1510 기준 GBU-2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-GBU1510_T0_00601 귀 99 8541.10.0080 1,000 1.05 V @ 7.5 a 5 µa @ 1000 v 15 a 단일 단일 1kv
GBU810_T0_00601 Panjit International Inc. GBU810_T0_00601 0.9000
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU810 기준 GBU-2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-GBU810_T0_00601 귀 99 8541.10.0080 1,000 1.05 V @ 4 a 5 µa @ 1000 v 8 a 단일 단일 1kv
KBJ2010_T0_00601 Panjit International Inc. KBJ2010_T0_00601 0.8600
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBJ KBJ2010 기준 KBJ 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-KBJ2010_T0_00601 귀 99 8541.10.0080 1,000 1.1 v @ 20 a 5 µa @ 1 v 20 a 단일 단일 1kv
KBJ410_T0_00601 Panjit International Inc. KBJ410_T0_00601 0.8500
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBJ-2 KBJ410 기준 KBJ-2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-KBJ410_T0_00601 귀 99 8541.10.0080 1,000 1.05 V @ 2 a 5 µa @ 1000 v 4 a 단일 단일 1kv
KBJ2510_T0_00601 Panjit International Inc. KBJ2510_T0_00601 1.0900
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBJ KBJ2510 기준 KBJ 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-KBJ2510_T0_00601 귀 99 8541.10.0080 1,000 1.1 v @ 25 a 5 µa @ 1 v 25 a 단일 단일 1kv
PMS410_R2_00601 Panjit International Inc. PMS410_R2_00601 0.4200
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 Panjit International Inc. M4 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 PMS410 기준 M4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 1.05 V @ 2 a 5 µa @ 1000 v 4 a 단일 단일 1kv
PJMB210N65EC_R2_00601 Panjit International Inc. PJMB210N65EC_R2_00601 2.2700
RFQ
 ECAD 276 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB PJMB210 MOSFET (금속 (() TO-263 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJMB210N65EC_R2_00601CT 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 650 v 19A (TC) 10V 210mohm @ 9.5a, 10V 4V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 30V 1412 pf @ 400 v - 150W (TC)
GBU1008LV_T0_00601 Panjit International Inc. GBU1008LV_T0_00601 0.9700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU1008 기준 GBU-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-GBU1008LV_T0_00601 귀 99 8541.10.0080 20 940 MV @ 5 a 5 µa @ 800 v 10 a 단일 단일 800 v
PMS310_R2_00601 Panjit International Inc. PMS310_R2_00601 0.4700
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Panjit International Inc. M4 컷 컷 (CT) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 PMS310 기준 M4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PMS310_R2_00601CT 귀 99 8541.10.0080 3,000 1.05 V @ 1.5 a 5 µa @ 1000 v 3 a 단일 단일 1kv
PJU7NA60_T0_00001 Panjit International Inc. PJU7NA60_T0_00001 -
RFQ
 ECAD 5275 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA pju7na60 MOSFET (금속 (() TO-251AA - 3757-PJU7NA60_T0_00001 쓸모없는 1 n 채널 600 v 7A (TA) 10V 1.2ohm @ 3.5a, 10V 4V @ 250µA 15.2 NC @ 10 v ± 30V 723 pf @ 25 v - 140W (TC)
PJU6NA40_T0_00001 Panjit International Inc. PJU6NA40_T0_00001 -
RFQ
 ECAD 1840 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA PJU6NA40 MOSFET (금속 (() TO-251AA - 3757-PJU6NA40_T0_00001 쓸모없는 1 n 채널 400 v 6A (TA) 10V 950mohm @ 3a, 10V 4V @ 250µA 11.4 NC @ 10 v ± 30V 553 pf @ 25 v - 77W (TC)
PJZ9NA90_T0_10001 Panjit International Inc. PJZ9NA90_T0_10001 -
RFQ
 ECAD 6592 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 PJZ9NA90 MOSFET (금속 (() to-3pl - 3757-PJZ9NA90_T0_10001 쓸모없는 1 n 채널 900 v 9A (TA) 10V 1.4ohm @ 4.5a, 10V 4V @ 250µA 31 NC @ 10 v ± 30V 1634 pf @ 25 v - 240W (TC)
PJQ1906_R1_00001 Panjit International Inc. PJQ1906_R1_00001 -
RFQ
 ECAD 1425 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-ufdfn PJQ1906 MOSFET (금속 (() 3-DFN (1x0.6) 다운로드 영향을받지 영향을받지 3757-PJQ1906_R1_00001TR 귀 99 8541.21.0095 1 n 채널 30 v 300MA (TA) 1.2V, 4.5V 1.2ohm @ 300ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.9 nc @ 4.5 v ± 10V 45 pf @ 10 v - 700MW (TA)
GBJ1010_T0_00601 Panjit International Inc. GBJ1010_T0_00601 1.0900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 4-SIP, GBJ GBJ1010 기준 GBJ-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-GBJ1010_T0_00601 귀 99 8541.10.0080 15 1.05 V @ 5 a 5 µa @ 1000 v 10 a 단일 단일 1kv
GBJ2010_T0_00601 Panjit International Inc. GBJ2010_T0_00601 1.1600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBJ GBJ2010 기준 GBJ-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-GBJ2010_T0_00601 귀 99 8541.10.0080 15 1.05 V @ 10 a 5 µa @ 1000 v 20 a 단일 단일 1kv
GBJ2510_T0_00601 Panjit International Inc. GBJ2510_T0_00601 1.2900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBJ GBJ2510 기준 GBJ-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-GBJ2510_T0_00601 귀 99 8541.10.0080 15 1.05 V @ 12.5 a 5 µa @ 1000 v 25 a 단일 단일 1kv
MER3DMB-AU_R2_006A1 Panjit International Inc. mer3dmb-au_r2_006a1 0.4300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB mer3d 기준 SMB (DO-214AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 MV @ 3 a 35 ns 1 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 3A 31pf @ 4V, 1MHz
MER502FT_T0_00601 Panjit International Inc. MER502FT_T0_00601 0.8700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2, 분리 된 탭 MER502 기준 ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 MV @ 5 a 35 ns 1 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 5a 51pf @ 4V, 1MHz
MER2DMB_R2_00601 Panjit International Inc. MER2DMB_R2_00601 0.3800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB mer2d 기준 SMB (DO-214AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 MV @ 2 a 35 ns 1 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 2A 25pf @ 4V, 1MHz
MER802T_T0_00601 Panjit International Inc. MER802T_T0_00601 0.9400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 MER802 기준 TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 MV @ 8 a 35 ns 1 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 8a 80pf @ 4V, 1MHz
MER3DMB_R2_00601 Panjit International Inc. mer3dmb_r2_00601 0.4400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB mer3d 기준 SMB (DO-214AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 MV @ 3 a 35 ns 1 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 3A 31pf @ 4V, 1MHz
MER3DMA-AU_R2_006A1 Panjit International Inc. mer3dma-au_r2_006a1 0.4100
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA mer3d 기준 SMA (DO-214AC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 MV @ 3 a 35 ns 1 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 3A 31pf @ 4V, 1MHz
STR60100CT_T0_00001 Panjit International Inc. STR60100CT_T0_00001 2.0600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 STR60100 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-STR60100CT_T0_00001 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 30A 830 mV @ 30 a 100 @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C
STR30100FCT_T0_00001 Panjit International Inc. STR30100FCT_T0_00001 1.5700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 str30100 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-STR30100FCT_T0_00001 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 15a 780 mV @ 15 a 50 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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