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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
MER3DBF-AU_R1_007A1 Panjit International Inc. mer3dbf-au_r1_007a1 0.4300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-221AA, SMB 플랫 리드 mer3d 기준 SMBF 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-MER3DBF-AU_R1_007A1CT 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 MV @ 3 a 35 ns 1 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 3A 31pf @ 4V, 1MHz
PDZ5.6B-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. PDZ5.6B-AU_R1_000A1 0.2700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.23% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F PDZ5.6B 400MW SOD-323 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PDZ5.6B-AU_R1_000A1DKR 귀 99 8541.10.0050 5,000 500 na @ 3 v 5.6 v 50 옴
PJA3416A_R1_00001 Panjit International Inc. PJA3416A_R1_00001 0.3500
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PJA3416 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 5.8A (TA) 1.8V, 4.5V 24mohm @ 5.8a, 4.5v 1.2V @ 250µA 10.4 NC @ 4.5 v ± 12V 592 pf @ 10 v - 1.25W (TA)
PJQ4443P-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. PJQ4443P-AU_R2_000A1 0.9700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ4443 MOSFET (금속 (() DFN3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 p 채널 40 v 8.8A (TA), 46A (TC) 4.5V, 10V 12MOHM @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 23 NC @ 4.5 v ± 20V 2767 pf @ 25 v - 2.1W (TA), 59.5W (TC)
ER1GAFC_R1_00001 Panjit International Inc. ER1GAFC_R1_00001 0.4500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 er1g 기준 smaf-c 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.25 V @ 1 a 35 ns 1 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
MB315_R1_00001 Panjit International Inc. MB315_R1_00001 0.4600
RFQ
 ECAD 794 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC MB315 Schottky SMC (DO-214AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-MB315_R1_00001DKR 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 900 mV @ 3 a 50 µa @ 150 v -65 ° C ~ 175 ° C 3A 140pf @ 4V, 1MHz
MBR6150_T0_00001 Panjit International Inc. MBR6150_T0_00001 0.5130
RFQ
 ECAD 2094 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 MBR6150 Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-MBR6150_T0_00001 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 900 mV @ 6 a 50 µa @ 150 v -65 ° C ~ 175 ° C 6A -
PJQ4401P-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. pjq4401p-au_r2_000a1 0.7400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ4401 MOSFET (금속 (() DFN3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-pjq4401p-au_r2_000a1tr 귀 99 8541.29.0095 5,000 p 채널 30 v 10A (TA), 50A (TC) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 27 NC @ 4.5 v ± 20V 3228 pf @ 15 v - 2W (TA), 60W (TC)
PJL9411_R2_00001 Panjit International Inc. PJL9411_R2_00001 0.5200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) PJL9411 MOSFET (금속 (() 8-SOP - Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 3757-PJL9411_R2_00001DKR 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 8.4A (TA) 4.5V, 10V 20mohm @ 8.4a, 10V 2.5V @ 250µA 11 NC @ 4.5 v ± 20V 1169 pf @ 15 v - 1.7W (TA)
PJMB390N65EC_R2_00601 Panjit International Inc. PJMB390N65EC_R2_00601 2.2700
RFQ
 ECAD 600 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB PJMB390 MOSFET (금속 (() TO-263 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 650 v 10A (TC) 10V 390mohm @ 5a, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 30V 726 pf @ 400 v - 87.5W (TC)
PJP60R980E_T0_00001 Panjit International Inc. PJP60R980E_T0_00001 0.5557
RFQ
 ECAD 1147 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PJP60R MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJP60R980E_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 4A (TC) 10V 980mohm @ 1.5a, 10V 4V @ 250µA 14.4 NC @ 10 v ± 20V 300 pf @ 25 v - 58W (TC)
PJD45P03_L2_00001 Panjit International Inc. PJD45P03_L2_00001 0.2402
RFQ
 ECAD 1797 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PJD45 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJD45P03_L2_00001TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 10A (TA), 45A (TC) 4.5V, 10V 15.5mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 14 nc @ 4.5 v ± 20V 1556 pf @ 15 v - 2W (TA), 40W (TC)
PJD9N10A_L2_00001 Panjit International Inc. pjd9n10a_l2_00001 0.5500
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PJD9 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJD9N10A_L2_00001DKR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 2.4A (TA), 9A (TC) 4.5V, 10V 152mohm @ 4.5a, 10V 2.5V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V 1021 pf @ 25 v - 2W (TA), 31W (TC)
PSMP055N08NS1_T0_00601 Panjit International Inc. PSMP055N08NS1_T0_00601 1.6700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PSMP055N08 MOSFET (금속 (() TO-220AB-L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PSMP055N08NS1_T0_00601 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 80 v 111A (TC) 7V, 10V 5.5mohm @ 50a, 10V 3.75V @ 250µA 48 NC @ 7 v ± 20V 4773 pf @ 40 v - 136W (TC)
PJQ5466A1-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. pjq5466a1-au_r2_000a1 0.9500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ5466 MOSFET (금속 (() DFN5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-pjq5466a1-au_r2_000a1tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 7.4A (TA), 48A (TC) 4.5V, 10V 17mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 13.5 nc @ 4.5 v ± 20V 1574 pf @ 25 v - 2.4W (TA), 100W (TC)
PJD2NA1K_L2_00001 Panjit International Inc. PJD2NA1K_L2_00001 -
RFQ
 ECAD 1260 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 pjd2n MOSFET (금속 (() TO-252 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 1000 v 2A (TA) 10V 9ohm @ 1a, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 30V 385 pf @ 25 v - 50W (TC)
PJQ4463AP-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. pjq4463ap-au_r2_000a1 0.7900
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ4463 MOSFET (금속 (() DFN3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 p 채널 60 v 4.2A (TA) 4.5V, 10V 68mohm @ 6a, 10V 2.5V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V 879 pf @ 30 v - 2.1W (TA)
PG206_R2_00001 Panjit International Inc. PG206_R2_00001 0.0540
RFQ
 ECAD 4811 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 PG206 기준 DO-15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 60,000 짐 600 v 1.1 v @ 2 a 1 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 25pf @ 4V, 1MHz
PJQ5461A_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ5461A_R2_00001 0.1963
RFQ
 ECAD 8481 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ5461 MOSFET (금속 (() DFN5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJQ5461A_R2_00001TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 3.2A (TA), 11.5A (TC) 4.5V, 10V 110mohm @ 6a, 10V 2.5V @ 250µA 10 nc @ 10 v ± 20V 785 pf @ 30 v - 2W (TA), 26W (TC)
DI108S_T0_00001 Panjit International Inc. DI108S_T0_00001 0.4800
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 DI108 기준 4-SDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-DI108S_T0_00001 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 1 a 5 µa @ 800 v 1 a 단일 단일 800 v
MMBZ5253A_R1_00001 Panjit International Inc. MMBZ5253A_R1_00001 0.0189
RFQ
 ECAD 4348 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5253 410 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,252,000 100 na @ 19 v 25 v 35 옴
1SMA5922-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. 1SMA5922-AU_R1_000A1 0.4800
RFQ
 ECAD 125 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1SMA5922 1.5 w SMA (DO-214AC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 5 µa @ 6 v 7.5 v 3 옴
BZT52-B6V2-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BZT52-B6V2-AU_R1_000A1 0.2200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1.94% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZT52 410 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BZT52-B6V2-AU_R1_000A1DKR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 2 v 6.2 v 10 옴
BAL99W_R1_00001 Panjit International Inc. BAL99W_R1_00001 0.0162
RFQ
 ECAD 3238 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 BAL99 기준 SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 120,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 75 v 1.25 V @ 150 mA 4 ns 2.5 µa @ 75 v -55 ° C ~ 150 ° C 150ma 1.5pf @ 0v, 1MHz
PSMQC040N10NS2_R2_00601 Panjit International Inc. PSMQC040N10NS2_R2_00601 2.4400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 PSMQC040N10 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000
PJU4NA70_T0_00001 Panjit International Inc. PJU4NA70_T0_00001 -
RFQ
 ECAD 5360 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA PJU4NA70 MOSFET (금속 (() TO-251AA - 3757-PJU4NA70_T0_00001 쓸모없는 1 n 채널 700 v 4A (TA) 10V 2.8ohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 10.5 nc @ 10 v ± 30V 514 pf @ 25 v - 77W (TC)
UF804F_T0_00001 Panjit International Inc. UF804F_T0_00001 0.7000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2, 분리 된 탭 UF804 기준 ITO-220AC - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-UF804F_T0_00001 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 V @ 8 a 50 ns 1 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a -
BZT52-C17S-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BZT52-C17S-AU_R1_000A1 0.0243
RFQ
 ECAD 8521 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F BZT52 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,250,000 100 na @ 13 v 17 v 40
PJD1NA60A_R2_00001 Panjit International Inc. PJD1NA60A_R2_00001 -
RFQ
 ECAD 8578 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PJD1NA60 MOSFET (금속 (() TO-252 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v - 10V 7.9ohm @ 500ma, 10V 4V @ 250µA 3.1 NC @ 10 v ± 30V 148 pf @ 25 v - -
PJD1NA50_L2_00001 Panjit International Inc. PJD1NA50_L2_00001 -
RFQ
 ECAD 4810 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 pjd1na50 MOSFET (금속 (() TO-252 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJD1NA50_L2_00001CT 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 500 v 1A (TA) 10V 9ohm @ 500ma, 10V 4V @ 250µA 4.2 NC @ 10 v ± 30V 95 pf @ 25 v - 25W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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