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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
SBA130AS_R1_00001 Panjit International Inc. SBA130AS_R1_00001 0.2900
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123 SBA130 Schottky SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-SBA130AS_R1_00001TR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 470 mV @ 1 a 100 µa @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
MBR5H60AFC_R1_00001 Panjit International Inc. MBR5H60AFC_R1_00001 0.5000
RFQ
 ECAD 427 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 MBR5H60 Schottky smaf-c 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-MBR5H60AFC_R1_00001DKR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 750 mV @ 5 a 5 µa @ 60 v -55 ° C ~ 175 ° C 5a 225pf @ 4V, 1MHz
SRM54AV-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. srm54av-au_r1_000a1 0.5100
RFQ
 ECAD 4020 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB SRM54 Schottky SMB (DO-214AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-srm54av-au_r1_000a1dkr 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 490 mV @ 5 a 210 µa @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 350pf @ 4V, 1MHz
S1GF_R1_00001 Panjit International Inc. S1GF_R1_00001 0.0324
RFQ
 ECAD 7205 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-221AA, SMB 플랫 리드 S1GF 기준 SMBF 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 120,000 짐 400 v 1.1 v @ 1 a 1 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 9pf @ 4V, 1MHz
ER801A_T0_00001 Panjit International Inc. ER801A_T0_00001 0.2700
RFQ
 ECAD 5987 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 ER801 기준 TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-er801A_T0_00001 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 950 MV @ 8 a 35 ns 1 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a -
PJF4NA65H_T0_00001 Panjit International Inc. PJF4NA65H_T0_00001 0.3069
RFQ
 ECAD 4553 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 PJF4NA65 MOSFET (금속 (() ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJF4NA65H_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 3A (TA) 10V 3.75ohm @ 1.5a, 10V 4V @ 250µA 16.1 NC @ 10 v ± 30V 423 pf @ 25 v - 23W (TC)
SB1020FCT_T0_00001 Panjit International Inc. SB1020FCT_T0_00001 0.2565
RFQ
 ECAD 7525 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 SB1020 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-SB1020FCT_T0_00001 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 20 v 10A 550 mV @ 5 a 200 µa @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C
PJMF900N65E1_T0_00001 Panjit International Inc. PJMF900N65E1_T0_00001 1.4800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 PJMF900 MOSFET (금속 (() ITO-220AB-F - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 650 v 4.7A (TC) 10V 900mohm @ 1.5a, 10V 4V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 30V 382 pf @ 400 v - 25.5W (TC)
MB3H60AH-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. MB3H60AH-AU_R1_000A1 0.3600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123H MB3H60 Schottky SOD-123HE 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-MB3H60AH-AU_R1_000A1DKR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 700 mv @ 3 a 5 µa @ 60 v -55 ° C ~ 175 ° C 3A 150pf @ 4V, 1MHz
PJW1NA60A_R2_00001 Panjit International Inc. PJW1NA60A_R2_00001 -
RFQ
 ECAD 9385 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA pjw1na60a MOSFET (금속 (() SOT-223 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 400MA (TA) 10V 7.9ohm @ 500ma, 10V 4V @ 250µA 3.1 NC @ 10 v ± 30V 148 pf @ 25 v - 3.3W (TC)
ER201_R2_00001 Panjit International Inc. ER201_R2_00001 0.0891
RFQ
 ECAD 9963 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 ER201 기준 DO-15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-er201_R2_00001CT 귀 99 8541.10.0080 60,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 950 MV @ 2 a 35 ns 1 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 22pf @ 4V, 1MHz
BD6150CS_L2_00001 Panjit International Inc. BD6150CS_L2_00001 0.4617
RFQ
 ECAD 3569 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 BD6150 Schottky TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 75,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 6A 900 mV @ 3 a 50 µa @ 150 v -65 ° C ~ 175 ° C
SS30150HE_R1_00001 Panjit International Inc. SS30150HE_R1_00001 0.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123H SS30150 Schottky SOD-123HE 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 860 MV @ 3 a 20 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
SBA240AL_R1_00001 Panjit International Inc. SBA240AL_R1_00001 0.3900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F SBA240 Schottky SOD-123FL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-SBA240AL_R1_00001DKR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 530 mv @ 2 a 100 µa @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
QRT1506D_R2_00001 Panjit International Inc. QRT1506D_R2_00001 1.3800
RFQ
 ECAD 4307 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB QRT1506 기준 TO-263 - Rohs3 준수 적용 적용 수 할 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2.35 V @ 15 a 40 ns 3 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 15a -
MMBZ5241B_R1_00001 Panjit International Inc. MMBZ5241B_R1_00001 0.1900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5241 410 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-MMBZ5241B_R1_00001TR 귀 99 8541.10.0050 3,000 3 µa @ 8.4 v 11 v 22 옴
ER1A_R1_00001 Panjit International Inc. ER1A_R1_00001 0.0621
RFQ
 ECAD 3650 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB er1a 기준 SMB (DO-214AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 60,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 950 MV @ 1 a 35 ns 1 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
ER3CA_R1_00001 Panjit International Inc. ER3CA_R1_00001 0.1161
RFQ
 ECAD 8221 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB er3c 기준 SMB (DO-214AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 60,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 950 MV @ 3 a 35 ns 1 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 45pf @ 4V, 1MHz
BD6150CS_S2_00001 Panjit International Inc. BD6150CS_S2_00001 0.4617
RFQ
 ECAD 6911 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 BD6150 Schottky TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 75,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 6A 900 mV @ 3 a 50 µa @ 150 v -65 ° C ~ 175 ° C
BAV19W_R1_00001 Panjit International Inc. BAV19W_R1_00001 0.1600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123 BAV19W 기준 SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BAV19W_R1_00001DKR 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 100 v 1 v @ 100 ma 50 ns 100 na @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 200ma 5pf @ 0V, 1MHz
BAT54ATB_R1_00001 Panjit International Inc. BAT54ATB_R1_00001 0.2700
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-89, SOT-490 Bat54 Schottky SOT-523 5 리드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BAT54ATB_R1_00001DKR 귀 99 8541.10.0070 4,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 양극 양극 공통 30 v 200ma 600 mv @ 100 ma 2 µa @ 25 v -55 ° C ~ 125 ° C
FR2G_R1_00001 Panjit International Inc. FR2G_R1_00001 0.4400
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB FR2G 기준 SMB (DO-214AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 V @ 2 a 150 ns 1 µa @ 400 v -50 ° C ~ 150 ° C 2A 40pf @ 4V, 1MHz
SBM2045VFCT_T0_00001 Panjit International Inc. SBM2045VFCT_T0_00001 1.0600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 SBM2045 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 3757-SBM2045VFCT_T0_00001 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 20A 450 mV @ 10 a 320 µa @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C
SD540S_S2_00001 Panjit International Inc. SD540S_S2_00001 0.2700
RFQ
 ECAD 2166 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SD540 Schottky TO-252 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 81,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 5 a 200 µa @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a -
ED304S_S2_00001 Panjit International Inc. ED304S_S2_00001 0.2187
RFQ
 ECAD 8599 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 ED304S 기준 TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 60,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.25 V @ 3 a 35 ns 1 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
PJF10NA60_T0_10001 Panjit International Inc. PJF10NA60_T0_10001 -
RFQ
 ECAD 5715 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 PJF10NA60 MOSFET (금속 (() ITO-220AB-F - 3757-PJF10NA60_T0_10001 쓸모없는 1 n 채널 600 v 10A (TA) 10V 900mohm @ 5a, 10V 4V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 30V 1192 pf @ 25 v - -
PZD22B2V4C_R1_00001 Panjit International Inc. PZD22B2V4C_R1_00001 0.0394
RFQ
 ECAD 4183 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 PZD22 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,252,000 1 양극 양극 공통 50 µa @ 1 v 2.4 v 100 옴
S5B-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. S5B-AU_R1_000A1 -
RFQ
 ECAD 8109 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC S5B 기준 SMC (DO-214AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-S5B-AU_R1_000A1DKR 귀 99 8541.10.0080 800 짐 100 v 1.1 v @ 5 a 10 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 80pf @ 4V, 1MHz
BZT52-C17-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BZT52-C17-AU_R1_000A1 0.0189
RFQ
 ECAD 8685 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZT52 410 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,252,000 100 na @ 13 v 17 v 40
PJT7600_R1_00001 Panjit International Inc. PJT7600_R1_00001 0.4900
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PJT7600 MOSFET (금속 (() 350MW (TA) SOT-363 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJT7600_R1_00001TR 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 보완 p 채널 및 20V 1A (TA), 700MA (TA) 150mohm @ 1a, 4.5v, 325mohm @ 700ma, 4.5v 1V @ 250µA 1.6nc @ 4.5v, 2.2nc @ 4.5v 92pf @ 10v, 151pf @ 10v -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

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