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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
MMBZ5260BW_R1_00001 Panjit International Inc. MMBZ5260BW_R1_00001 0.0270
RFQ
ECAD 8497 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 MMBZ5260 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,252,000 100 na @ 33 v 43 v 93 옴
BZX584C4V3_R1_00001 Panjit International Inc. BZX584C4V3_R1_00001 0.2400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZX584 200 MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 1 v 4.3 v 90 옴
PG5401_R2_00001 Panjit International Inc. PG5401_R2_00001 0.0783
RFQ
ECAD 1022 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 PG5401 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 60,000 100 v 1.2 v @ 3 a 1 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 30pf @ 4V, 1MHz
BZX84C17-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BZX84C17-AU_R1_000A1 0.0216
RFQ
ECAD 5460 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 410 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,252,000 100 na @ 12.2 v 17 v 40
MMBZ5234B_R1_00001 Panjit International Inc. MMBZ5234B_R1_00001 0.1900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5234 410 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-MMBZ5234B_R1_00001CT 귀 99 8541.10.0050 3,000 5 µa @ 4 v 6.2 v 7 옴
BZT52-B2V7_R1_00001 Panjit International Inc. BZT52-B2V7_R1_00001 0.2100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.04% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZT52 410 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BZT52-B2V7_R1_00001CT 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 75 µa @ 1 v 2.7 v 83 옴
1N5344B_R2_00001 Panjit International Inc. 1N5344B_R2_00001 0.4200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. 1N5338B 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-201ae, 1 방향 1N5344 5 w Do-201ae 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,250 10 µa @ 6.2 v 8.2 v 2 옴
PJF18N20_T0_00001 Panjit International Inc. PJF18N20_T0_00001 1.0000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 PJF18N20 MOSFET (금속 (() ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJF18N20_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 18A (TC) 10V 160mohm @ 9a, 10V 3V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 20V 1017 pf @ 25 v - 50W (TC)
MMDT3904_R1_00001 Panjit International Inc. MMDT3904_R1_00001 0.2200
RFQ
ECAD 39 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MMDT3904 225MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-MMDT3904_R1_00001DKR 귀 99 8541.21.0095 3,000 40V 200ma 50NA 2 NPN (() 300mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v -
1SMC5361_R1_00001 Panjit International Inc. 1SMC5361_R1_00001 0.1863
RFQ
ECAD 7456 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AB, SMC 1SMC5361 5 w SMC (DO-214AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 165,600 500 NA @ 20.6 v 27 v 5 옴
PDZ4.7B_R1_00001 Panjit International Inc. PDZ4.7B_R1_00001 0.2400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.13% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F PDZ4.7B 400MW SOD-323 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PDZ4.7B_R1_00001DKR 귀 99 8541.10.0050 5,000 750 NA @ 1.5 v 4.7 v 90 옴
BZT52-B17S-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BZT52-B17S-AU_R1_000A1 0.0270
RFQ
ECAD 4142 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F BZT52 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,250,000 100 na @ 13 v 17 v 40
1SMA4751_R1_00001 Panjit International Inc. 1SMA4751_R1_00001 0.3900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA 1SMA4751 1 W. SMA (DO-214AC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 100 na @ 22.8 v 30 v 40
MMBT5551-AU_R1_000A2 Panjit International Inc. MMBT5551-AU_R1_000A2 0.2700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT5551 250 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 160 v 600 MA 50NA (ICBO) NPN 200mv @ 5ma, 50ma 80 @ 10ma, 5V 300MHz
BC847CPN-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BC847CPN-AU_R1_000A1 0.0405
RFQ
ECAD 9716 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BC847 380MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 120,000 45V 100ma 15NA (ICBO) NPN, PNP 보완 600mv @ 5ma, 100ma 420 @ 2MA, 5V 100MHz
FR3J_R1_00001 Panjit International Inc. FR3J_R1_00001 0.3800
RFQ
ECAD 604 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC FR3J 기준 SMC (DO-214AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.3 v @ 3 a 250 ns 1 µa @ 600 v -50 ° C ~ 150 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
1SMB2EZ36_R1_00001 Panjit International Inc. 1SMB2EZ36_R1_00001 0.4500
RFQ
ECAD 800 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 1SMB2 2 w SMB (DO-214AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 800 500 NA @ 27.4 v 36 v 25 옴
AZ23C43_R1_00001 Panjit International Inc. AZ23C43_R1_00001 0.0297
RFQ
ECAD 7230 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C43 300MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,252,000 1 양극 양극 공통 100 na @ 32 v 43 v 100 옴
MBR20150DC_R2_00001 Panjit International Inc. MBR20150DC_R2_00001 0.9600
RFQ
ECAD 790 0.00000000 Panjit International Inc. MBR2040DC 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBR20150 Schottky TO-263 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 3757-MBR20150DC_R2_00001CT 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 20A 900 mV @ 10 a 50 µa @ 150 v -50 ° C ~ 150 ° C
BZX584C33_R1_00001 Panjit International Inc. BZX584C33_R1_00001 0.2400
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZX584 200 MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 23.1 v 33 v 80 옴
PJQ5410_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ5410_R2_00001 0.6700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ5410 MOSFET (금속 (() DFN5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJQ5410_R2_00001DKR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 15A (TA), 80A (TC) 4.5V, 10V 6MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 12 nc @ 4.5 v ± 20V 1323 pf @ 25 v - 2W (TA), 62W (TC)
PJA3439_R1_00001 Panjit International Inc. PJA3439_R1_00001 0.3900
RFQ
ECAD 37 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PJA3439 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJA3439_R1_00001TR 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 60 v 300MA (TA) 2.5V, 10V 4ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 250µA 1.1 NC @ 4.5 v ± 20V 51 pf @ 25 v - 500MW (TA)
PZS5236BCH_R1_00001 Panjit International Inc. PZS5236BCH_R1_00001 0.0351
RFQ
ECAD 6938 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F PZS5236 500MW SOD-323HE 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,250,000 100 na @ 27 v 36 v 90 옴
BZT52-C14_R1_00001 Panjit International Inc. BZT52-C14_R1_00001 0.1500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZT52 410 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BZT52-C14_R1_00001DKR 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 10.5 v 14 v 25 옴
PSDP0860S1_T0_00001 Panjit International Inc. PSDP0860S1_T0_00001 1.7300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 PSDP0860 기준 TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 3757-PSDP0860S1_T0_00001 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2.3 v @ 8 a 55 ns 100 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 8a -
PJE138K_R1_00001 Panjit International Inc. PJE138K_R1_00001 0.3700
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-89, SOT-490 PJE138 MOSFET (금속 (() SOT-523 5 리드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJE138K_R1_00001TR 귀 99 8541.21.0095 4,000 n 채널 50 v 350MA (TA) 2.5V, 10V 1.6ohm @ 500ma, 10V 1.5V @ 250µA 1 NC @ 4.5 v ± 20V 50 pf @ 25 v - 223MW (TA)
1SMB5929_R1_00001 Panjit International Inc. 1SMB5929_R1_00001 0.4500
RFQ
ECAD 510 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 1SMB5929 1.5 w SMB (DO-214AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 800 1 µa @ 11.4 v 15 v 9 옴
PJA3402_R1_00001 Panjit International Inc. PJA3402_R1_00001 0.4900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PJA3402 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 4.4A (TA) 1.8V, 10V 48mohm @ 4.4a, 10V 1.2V @ 250µA 11.3 NC @ 10 v ± 12V 447 pf @ 15 v - 1.25W (TA)
1N5360B_R2_00001 Panjit International Inc. 1N5360B_R2_00001 0.1404
RFQ
ECAD 7816 0.00000000 Panjit International Inc. 1N5338B 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-201ae, 1 방향 1N5360 5 w Do-201ae 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-1N5360B_R2_00001CT 귀 99 8541.10.0050 500,000 500 na @ 19 v 25 v 4 옴
MMBZ5226B_R1_00001 Panjit International Inc. MMBZ5226B_R1_00001 0.1900
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5226 410 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 25 µa @ 1 v 3.3 v 28 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고