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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
PZ1AL15B-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. PZ1AL15B-AU_R1_000A1 0.0756
RFQ
 ECAD 5804 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F pz1al15 1 W. SOD-123FL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 567,000 1 µa @ 11 v 15 v 12 옴
BZX84C15W_R1_00001 Panjit International Inc. BZX84C15W_R1_00001 0.0162
RFQ
 ECAD 9521 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BZX84 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,252,000 100 na @ 10.5 v 15 v 30 옴
AZ23C2V4_R1_00001 Panjit International Inc. AZ23C2V4_R1_00001 0.2700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C2V4 300MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 양극 양극 공통 100 µa @ 1 v 2.4 v 85 옴
BZT52-C5V1-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BZT52-C5V1-AU_R1_000A1 0.1900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZT52 410 MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BZT52-C5V1-AU_R1_000A1TR 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 NA @ 800 MV 5.1 v 60 옴
PJS6461-AU_S1_000A1 Panjit International Inc. PJS6461-AU_S1_000A1 0.7300
RFQ
 ECAD 44 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 PJS6461 MOSFET (금속 (() SOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 3.2A (TA) 4.5V, 10V 110mohm @ 3.2a, 10V 2.5V @ 250µA 10 nc @ 10 v ± 20V 785 pf @ 30 v - 2W (TA)
S2JGF_R1_00001 Panjit International Inc. S2JGF_R1_00001 0.0513
RFQ
 ECAD 7479 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-221AA, SMB 플랫 리드 S2JGF 기준 SMBF 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 120,000 짐 600 v 1.1 v @ 2 a 1 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 18pf @ 4V, 1MHz
PJQ4441P-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. pjq4441p-au_r2_000a1 0.7100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ4441 MOSFET (금속 (() DFN3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-pjq4441p-au_r2_000a1dkr 귀 99 8541.29.0095 5,000 p 채널 40 v 8.5A (TA), 44A (TC) 4.5V, 10V 17mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 19 NC @ 4.5 v ± 20V 2030 pf @ 25 v - 2W (TA), 59.5W (TC)
2N7002KDW_R1_00001 Panjit International Inc. 2N7002KDW_R1_00001 0.2500
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 2N7002 MOSFET (금속 (() 200MW (TA) SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 115MA (TA) 3ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 250µA 0.8NC @ 4.5V 35pf @ 25V -
PJD25N04-AU_L2_000A1 Panjit International Inc. PJD25N04-AU_L2_000A1 0.2301
RFQ
 ECAD 3267 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PJD25 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-pjd25n04-au_l2_000a1tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 5.9A (TA), 21A (TC) 4.5V, 10V 32mohm @ 12a, 10V 2.5V @ 250µA 4.4 NC @ 4.5 v ± 20V 425 pf @ 25 v - 2.4W (TA), 30W (TC)
BZX84C36W_R1_00001 Panjit International Inc. BZX84C36W_R1_00001 0.0162
RFQ
 ECAD 7455 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BZX84 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,252,000 100 na @ 25.2 v 36 v 90 옴
MMBZ5234BW_R1_00001 Panjit International Inc. MMBZ5234BW_R1_00001 0.0189
RFQ
 ECAD 3403 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 MMBZ5234 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,252,000 5 µa @ 4 v 6.2 v 7 옴
SB660F_T0_00001 Panjit International Inc. SB660F_T0_00001 0.7400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2, 분리 된 탭 SB660 Schottky ITO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-SB660F_T0_00001 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 700 mv @ 6 a 100 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 6A -
MBR3050CT_T0_00001 Panjit International Inc. MBR3050CT_T0_00001 0.4617
RFQ
 ECAD 9173 0.00000000 Panjit International Inc. MBR3040CT 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR3050 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-MBR3050CT_T0_00001 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 50 v 30A 750 mV @ 15 a 100 µa @ 50 v -65 ° C ~ 175 ° C
DZ23C3V6_R1_00001 Panjit International Inc. DZ23C3V6_R1_00001 0.0378
RFQ
 ECAD 4456 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DZ23C3V6 300MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,252,000 1 음극 음극 공통 5 µa @ 1 v 3.6 v 90 옴
PZS515V6BCH_R1_00001 Panjit International Inc. PZS515V6BCH_R1_00001 0.2900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F PZS515 500MW SOD-323HE - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PZS515V6BCH_R1_00001DKR 귀 99 8541.10.0050 5,000 7 µa @ 4.2 v 5.6 v
BZX84C68_R1_00001 Panjit International Inc. BZX84C68_R1_00001 0.0216
RFQ
 ECAD 6189 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 410 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,252,000 100 na @ 51 v 68 v 200 옴
BZX84C36_R1_00001 Panjit International Inc. BZX84C36_R1_00001 0.1900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 410 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BZX84C36_R1_00001DKR 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 25.2 v 36 v 90 옴
PJS6461_S1_00001 Panjit International Inc. PJS6461_S1_00001 0.4600
RFQ
 ECAD 48 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 PJS6461 MOSFET (금속 (() SOT-23-6 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJS6461_S1_00001TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 3.2A (TA) 4.5V, 10V 110mohm @ 3.2a, 10V 2.5V @ 250µA 10 nc @ 10 v ± 20V 785 pf @ 30 v - 2W (TA)
PJS6415AE_S1_00001 Panjit International Inc. PJS6415AE_S1_00001 0.4000
RFQ
 ECAD 3688 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 PJS6415 MOSFET (금속 (() SOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJS6415AE_S1_00001CT 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 4.9A (TA) 1.8V, 10V 60mohm @ 4.9a, 10V 1.2V @ 250µA 6.9 NC @ 4.5 v ± 12V 602 pf @ 10 v - 2W (TA)
BZX584C4V3-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BZX584C4V3-AU_R1_000A1 0.0270
RFQ
 ECAD 4622 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZX584 200 MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,250,000 3 µa @ 1 v 4.3 v 90 옴
PJQ4448P-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. PJQ4448P-AU_R2_000A1 0.5900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ4448 MOSFET (금속 (() DFN3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-pjq4448p-au_r2_000a1ct 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 10A (TA), 42A (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 250µA 10 nc @ 4.5 v ± 20V 1040 pf @ 20 v - 2.4W (TA), 42W (TC)
PJQ4848P-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. pjq4848p-au_r2_000a1 0.7700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn PJQ4848 MOSFET (금속 (() 2.4W (TA), 39.6W (TC) DFN3333B-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 2 n 채널 (채널) 40V 9A (TA), 37A (TC) 15mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 250µA 10NC @ 4.5V 1040pf @ 20V -
BAT54STB-TB6_R1_00001 Panjit International Inc. BAT54STB-TB6_R1_00001 0.0378
RFQ
 ECAD 6424 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-563, SOT-666 Bat54 Schottky SOT-563 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 4,000,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 연결 연결 시리즈 30 v 200MA (DC) 600 mv @ 100 ma 2 µa @ 25 v -55 ° C ~ 125 ° C
BZX84C62W_R1_00001 Panjit International Inc. BZX84C62W_R1_00001 0.0162
RFQ
 ECAD 9029 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BZX84 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,252,000 100 na @ 46 v 62 v 150 옴
BC848A_R1_00001 Panjit International Inc. BC848A_R1_00001 0.0189
RFQ
 ECAD 6225 0.00000000 Panjit International Inc. BC848 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC848 330 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 120,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 100MHz
SBM1660VCT_T0_00001 Panjit International Inc. SBM1660VCT_T0_00001 0.4445
RFQ
 ECAD 5618 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 SBM1660 Schottky TO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-SBM1660VCT_T0_00001 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 8a 550 mV @ 8 a 220 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C
PJD1NA60B_L2_00001 Panjit International Inc. PJD1NA60B_L2_00001 -
RFQ
 ECAD 2418 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PJD1NA60 MOSFET (금속 (() TO-252 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 1A (TA) 10V 10ohm @ 500ma, 10V 3.5V @ 250µA 6.1 NC @ 10 v ± 30V 210 pf @ 25 v - 28W (TC)
MMSZ5245BS-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. MMSZ5245BS-AU_R1_000A1 0.0270
RFQ
 ECAD 2165 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F MMSZ5245 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,250,000 100 na @ 11 v 15 v 16 옴
PJQ1902_R1_00001 Panjit International Inc. PJQ1902_R1_00001 0.4400
RFQ
 ECAD 9553 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-ufdfn PJQ1902 MOSFET (금속 (() 3-DFN (0.6x1) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJQ1902_R1_00001DKR 귀 99 8541.21.0095 8,000 n 채널 30 v 500MA (TA) 1.5V, 4.5V 1.2ohm @ 350ma, 4.5v 1.1V @ 250µA 0.87 NC @ 4.5 v ± 10V 34 pf @ 15 v - 700MW (TA)
PZ1AL7V5B_R1_00001 Panjit International Inc. PZ1AL7V5B_R1_00001 0.4800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F PZ1AL7V5 1 W. SOD-123FL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PZ1AL7V5B_R1_00001TR 귀 99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 3 v 7.5 v 2 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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